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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 0,705 € |
10+ | 0,571 € |
100+ | 0,337 € |
500+ | 0,321 € |
1000+ | 0,260 € |
2500+ | 0,233 € |
Informations produit
Aperçu du produit
The MC33178DR2G is a low power low noise monolithic dual Operational Amplifier employing bipolar technology with innovative high performance concepts. This device family incorporates the use of high frequency PNP input transistors to produce amplifiers exhibiting low input offset voltage, noise and distortion. In addition, the amplifier provides high output current drive capability while consuming only 420μA of drain current per amplifier. The NPN output stage used, exhibits no dead-band crossover distortion, large output voltage swing, excellent phase and gain margins, low open-loop high frequency output impedance, symmetrical source and sink AC frequency performance.
- Large output voltage swing
- ESD Clamps on the inputs increase ruggedness without affecting device performance
- 600Ω Output drive capability
- 0.15mV (mean) Low offset voltage
- 2.0μV/°C Low TC of input offset voltage
- 0.0024% Low total harmonic distortion
Spécifications techniques
2Canal(aux)
2V/µs
SOIC
Usage Général
150µV
Montage en surface
85°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
-
2 amplificateurs
5MHz
± 2V à ± 18V
8Broche(s)
-
100nA
-40°C
-
MSL 1 - Illimité
SOIC
5MHz
2V/µs
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
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Certificat de conformité du produit