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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD3P50TM
Code Commande2575364
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..500V
Courant de drain Id2.1A
Résistance Drain-Source à l'état-ON3.9ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance2.5W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitQFET
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
2.1A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
2.5W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Vds max..
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
3.9ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
QFET
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000426
Traçabilité des produits