FDL100N50F

Le FDL100N50F est un MOSFET UniFET™ FRFET® 500V, canal N basé sur la technologie à bande plane et DMOS Ce MOSFET est conçu pour réduire la résistance à l'état ON et pour fournir de meilleures performances de commutation et une force d'énergie d'avalanche plus élevée. Les performances de récupération inverse de la diode du corps du MOSFET UniFET FRFET® ont été améliorées par le contrôle de la durée de vie Son trr est inférieur à 100 ns et l'immunité dv/dt inverse est de 15 V/ns tandis que les MOSFET planaires normaux ont respectivement plus de 200 ns et 4,5 V/ns. Par conséquent, il peut supprimer des composants supplémentaires et améliorer la fiabilité du système dans certaines applications dans lesquelles les performances de la diode du corps du MOSFET sont importantes. Cette famille de composant convient aux applications de conversion de puissance telles que la correction du facteur de puissance (PFC), l'alimentation TV à écran plat (FPD), l'ATX et les ballasts de lampes électroniques. Ce produit est recommandé pour un usage général et convient à de nombreuses applications différentes.

• Faible charge de grille
• Test Avalanche 100%
• Capacité dV/dt améliorée

Avertissements

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.