BS170-D26Z
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Traversant
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,447 € |
| 50+ | 0,305 € |
| 100+ | 0,149 € |
| 500+ | 0,146 € |
| 1000+ | 0,130 € |
Informations produit
Aperçu du produit
Le BS170_D26Z est un transistor à effet de champ à mode d'enrichissement canal 60V N produit en utilisant exclusivement la technologie de cellule haute densité CMOS. Ce composant est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en offrant des performances de commutation robustes, fiables et rapides. Il est compatible avec la plupart des applications nécessitant jusqu'à 500mA DC. Il convient également pour les applications faible intensité et faible tension, comme les petites commandes de servomoteur, les pilotes de grille MOSFET de puissance et d'autres applications de commutation. Ce produit est recommandé pour un usage général et convient à de nombreuses applications différentes.
- Conception avec cellule haute densité pour un faible RDS (ON)
- Commutateur à petits signaux contrôlé en tension
- Robuste et fiable
- Haute capacité de courant de saturation
- Tension Drain-Grille (VDGR) 60V
- Tension Source Grille continue (VGSS) ±20V
- Résistance thermique 150°C/W, jonction / air ambiant
Spécifications techniques
Canal N
500mA
TO-92
10V
830mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
1.2ohm
Traversant
2.1V
3Broche(s)
-
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BS170-D26Z
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit