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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 33,400 € |
5+ | 32,120 € |
10+ | 30,830 € |
25+ | 28,760 € |
50+ | 27,750 € |
100+ | 26,770 € |
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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMTA4ATF51264HZ-3G2J1.
Code Commande3773867
Fiche technique
Densité de mémoire4GB
Vitesse de mémoire1MHz
Mémoire du ModulePC4-3200
Facteur de forme module260-Pin DDR4 SDRAM SO-DIMM
Application de mémoireNotebook SODIMM
Configuration mémoire512M x 64bit
Tension, alimentation min.1.14V
Tension, alimentation max..1.26V
Tension d'alimentation nominale1.2V
Température de fonctionnement max..95°C
Gamme de produit-
Spécifications techniques
Densité de mémoire
4GB
Mémoire du Module
PC4-3200
Application de mémoire
Notebook SODIMM
Tension, alimentation min.
1.14V
Tension d'alimentation nominale
1.2V
Gamme de produit
-
Vitesse de mémoire
1MHz
Facteur de forme module
260-Pin DDR4 SDRAM SO-DIMM
Configuration mémoire
512M x 64bit
Tension, alimentation max..
1.26V
Température de fonctionnement max..
95°C
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.009072