Imprimer la page
MT53E512M64D2NW-046 WT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 512M x 64 bits, 2.133 GHz, VFBGA, 432 Broche(s)
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
595 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 27,640 € |
| 5+ | 26,450 € |
| 10+ | 25,270 € |
| 25+ | 24,060 € |
| 50+ | 23,050 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
27,64 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53E512M64D2NW-046 WT:B
Code Commande3861305
Type DRAMMobile LPDDR4
Densité de mémoire32Gbit
Configuration mémoire512M x 64 bits
Fréquence d'horloge Max.2.133GHz
IC Boîtier/PaquetVFBGA
Nbre de broches432Broche(s)
Tension d'alimentation nominale1.1V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-25°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produit-
Aperçu du produit
MT53E512M64D2NW-046 WT:B is a mobile LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM. The 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8 banks.
- 16n prefetch DDR architecture, single-ended CK and DQS support
- 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, on-chip temperature sensor to control self-refresh rate
- Bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- 4GB (32Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin, 512 Meg x 64 configuration
- 432-ball VFBGA package
- Operating Temperature range from -25°C to +85°C
Spécifications techniques
Type DRAM
Mobile LPDDR4
Configuration mémoire
512M x 64 bits
IC Boîtier/Paquet
VFBGA
Tension d'alimentation nominale
1.1V
Température d'utilisation min
-25°C
Gamme de produit
-
Densité de mémoire
32Gbit
Fréquence d'horloge Max.
2.133GHz
Nbre de broches
432Broche(s)
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002189