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IRFI4410ZPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 43 A, 0.0079 ohm, TO-220AB, Traversant
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFI4410ZPBF
Code Commande2580017
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001566742
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..100V
Courant de drain Id43A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0079ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance47W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
MSLMSL 2 - 1 an
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IRFI4410ZPBF
1 produit trouvé
Aperçu du produit
IRFI4410ZPBF is a HEXFET® power MOSFET. Application includes high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 100V min (VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Drain-to-source leakage current is 20µA max (VDS = 100V, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Breakdown voltage temp coefficient is 95mV/°C typ (reference to 25°C, ID = 5mA)
- Maximum power dissipation is 47W (TC = 25°C), gate-to-source voltage is ±30V
- Rise time is 27ns typ (VDD = 65V, ID = 26A, RG= 2.7ohm, VGS = 10V)
- Fall time is 30ns typ (VDD = 65V, ID = 26A, RG= 2.7ohm, VGS = 10V)
- TO-220 Full-Pak package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
43A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
47W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0079ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 2 - 1 an
Documents techniques (3)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.003221