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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB7430PBF
Code Commande2253784
Egalement appeléSP001551786
Fiche technique
456 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 3,180 € |
10+ | 2,720 € |
100+ | 2,260 € |
500+ | 1,800 € |
1000+ | 1,340 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB7430PBF
Code Commande2253784
Egalement appeléSP001551786
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id195A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0013ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.2V
Dissipation de puissance375W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. It is suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters and DC/AC inverters applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- High-current rating and high-current carrying capability package
- Product qualification according to JEDEC standard
- Softer body-diode compared to previous silicon generation
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
- Increased power density
- Standard pinout allows for drop in replacement
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
195A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
375W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0013ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
2.2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour IRFB7430PBF
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00195
Traçabilité des produits