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IRF6623TRPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Montage en surface
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| 10+ | 1,870 € |
| 100+ | 1,290 € |
| 500+ | 1,070 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF6623TRPBF
Code Commande2579981
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001526818
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id55A
Résistance Drain-Source à l'état-ON5700µohm
Type de boîtier de transistorDirectFET ST
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.2V
Dissipation de puissance42W
Nbre de broches7Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
55A
Type de boîtier de transistor
DirectFET ST
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
42W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
5700µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.2V
Nbre de broches
7Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits