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IRF540NPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Traversant
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF540NPBF
Code Commande8648298
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001561906
Fiche technique
84 006 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,070 € |
| 10+ | 1,000 € |
| 100+ | 0,608 € |
| 500+ | 0,511 € |
| 1000+ | 0,476 € |
| 5000+ | 0,435 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF540NPBF
Code Commande8648298
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001561906
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id33A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.044ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance130W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
L'IRF540NPBF est un MOSFET de puissance 100V, simple canal N, HEXFET, boîtier 3 broches TO-220AB. Il utilise des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par surface de silicium. Cet avantage combiné à la vitesse de commutation rapide et une conception du dispositif robuste que les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus pour fournir au concepteur des dispositifs extrêmement efficaces pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
- Tension drain à source (Vds) de 100V
- Tension grille à source de ±20V
- Résistance à l'état passant Rds(on) de 44mohm à Vgs de 10V
- Dissipation de puissance (Pd) 130W à 25°C
- Courant de drain continu (Id) de 33A à Vgs 10V et 25°C
- Température de jonction d'utilisation de -55°C à 175°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
33A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
130W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.044ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET Series
MSL
-
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002712