CY62128EV30LL-45SXIT

Le CY62128EV30LL-45SXIT est un module RAM statique CMOS hautes performances organisé en 128 000 mots sur 8 bits. Ce composant présente une conception de circuit avancée pour fournir un courant actif ultra faible. Il est idéal pour fournir MoBL® dans des applications portables. Il dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie lorsque les adresses ne basculent pas. Mettre l'appareil en mode veille réduit la consommation d'énergie de plus de 99% lorsqu'il est désélectionné. Les huit broches d'entrée et de sortie sont placées dans un état de haute impédance lorsque l'appareil est désélectionné, les sorties sont désactivées ou une opération d'écriture est en cours. Pour écrire sur le périphérique, prenez l'activation de la puce et les entrées d'activation à l'état BAS. Les données sur les huit broches d'E/S sont ensuite écrites à l'emplacement spécifié sur la broche d'adresse. Pour lire à partir du périphérique, prenez l'activation de la puce et l'activation de la sortie à l'état BAS, tout en forçant l'activation de l'écriture à l'état HAUT. Dans ces conditions, le contenu de l'emplacement mémoire spécifié par les broches d'adresse apparaît sur les broches d'E/S.

• Très grande vitesse: 45ns
• Large plage de tension de 2,2V à 3,6V
• Brochage compatible avec les CY62128DV30
• Consommation de courant ultra-faible en veille: 1µA (typique)
• Puissance active ultra faible avec courant actif typique: 1.3mA à f = 1MHz
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités actif à l'état bas CE1, CE2 et OE actif à l'état bas
• Mise hors tension automatique en cas de désélection,
• Semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) pour une vitesse et une puissance optimales
• Technologie de processus 90nm
• Plage de température de -40°C à 85°C

Avertissements

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.