Imprimer la page
BSC036NE7NS3GATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 75 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC036NE7NS3GATMA1
Code Commande2480736
Egalement appeléBSC036NE7NS3 G, SP000907920
Fiche technique
6 801 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 2,390 € |
| 50+ | 1,710 € |
| 250+ | 1,330 € |
| 1000+ | 1,050 € |
| 3000+ | 1,040 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
11,95 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC036NE7NS3GATMA1
Code Commande2480736
Egalement appeléBSC036NE7NS3 G, SP000907920
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds75V
Courant de drain Id100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0029ohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.1V
Dissipation de puissance156W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 3 - 168 heures
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Transistor de puissance Optima's™ 3
- Technologie optimisée pour un redressement synchrone
- Idéal pour la commutation haute fréquence et les convertisseurs DC/DC
- Excellente charge de grille x produit RDS (On) (FOM)
- Résistance thermique supérieure
- Canal N, niveau normal
- Testé à 100% contre les avalanches
- Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles.
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
100A
Type de boîtier de transistor
TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
156W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
75V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0029ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.1V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour BSC036NE7NS3GATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0005