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DMG6601LVT-7
MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
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|---|---|
| 5+ | 0,360 € |
| 50+ | 0,207 € |
| 100+ | 0,109 € |
| 500+ | 0,0923 € |
| 1500+ | 0,0817 € |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6601LVT-7
Code Commande2543535
Fiche technique
Type de canalComplémentaire canal N et P
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N3.8A
Courant de drain continu Id, Canal P3.8A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.034ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.034ohm
Type de boîtier de transistorTSOT-26
Nombre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P850mW
Dissipation de puissance, Canal P850mW
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Ce MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant en conservant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
- MOSFET complémentaire
- Faible Résistance-On
- Faible capacité d'entrée
- Vitesse de commutation rapide
Spécifications techniques
Type de canal
Complémentaire canal N et P
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
3.8A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.034ohm
Nombre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
850mW
Gamme de produit
-
MSL
-
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
3.8A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.034ohm
Type de boîtier de transistor
TSOT-26
Dissipation de puissance Canal P
850mW
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.005
Traçabilité des produits