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Transistors MOSFET Silicon Carbide (SiC):
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Acheteur
Ingénieur
Fabricant
Configuration du module MOSFET
Type de canal
Courant de drain Id
Tension Drain-Source Vds
Résistance Drain-Source à l'état-ON
Type de boîtier de transistor
Nbre de broches
Tension de test Rds(on)
Tension de seuil Vgs Max
Dissipation de puissance
Température d'utilisation Max.
Gamme de produit
Emballage
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| Comparer | Prix pour | Quantité | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Pièce | 1+ 36,750 € 5+ 34,910 € 10+ 25,790 € 50+ 25,270 € 100+ 24,760 € | Min : 1 / Mult : 1 | Simple | Canal N | 63A | 1.2kV | 0.032ohm | TO-247 | 4Broche(s) | 15V | 2.5V | 283W | 175°C | C3M | |||||
Pièce | 1+ 36,010 € 5+ 30,300 € 10+ 24,590 € 50+ 24,100 € 100+ 23,610 € | Min : 1 / Mult : 1 | Simple | Canal N | 63A | 1.2kV | 0.032ohm | TO-247 | 3Broche(s) | 15V | 2.5V | 283W | 175°C | C3M | |||||
Pièce | 1+ 10,910 € 25+ 10,530 € | Min : 1 / Mult : 1 | Simple | Canal N | 77A | 700V | 0.035ohm | TO-247 | 4Broche(s) | 20V | 2.7V | 283W | 175°C | - | |||||
