Transistors MOSFET Double

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Polarité transistor Tension Vds max.. Courant de drain Id Résistance Rds(on) Type de boîtier de transistor Montage transistor Tension, mesure Rds Tension de seuil Vgs Dissipation de puissance Pd Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
SI4936CDY-T1-GE3
SI4936CDY-T1-GE3 - MOSFET double, Canal N, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm, SOIC, Montage en surface

1779274

MOSFET double, Canal N, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm, SOIC, Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1779274
1779274RL en Mise en bobine

1+ 0,573 € 10+ 0,462 € 100+ 0,321 € 500+ 0,271 € 1000+ 0,259 € 5000+ 0,246 € Plus de tarifs

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Canal N 30V 5.8A 0.033ohm SOIC Montage en surface 10V 3V 2.3W 8Broche(s) 150°C - -
SI4816BDY-T1-GE3
SI4816BDY-T1-GE3 - MOSFET double, Canal N, 30 V, 5.8 A, 0.0155 ohm, SOIC, Montage en surface

2101479

MOSFET double, Canal N, 30 V, 5.8 A, 0.0155 ohm, SOIC, Montage en surface

VISHAY

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1+ 1,55 € 10+ 1,25 € 100+ 0,932 € 500+ 0,809 € 1000+ 0,736 € 5000+ 0,662 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Canal N 30V 5.8A 0.0155ohm SOIC Montage en surface 10V 3V 1.25W 8Broche(s) 150°C - -
SI4816BDY-T1-E3
SI4816BDY-T1-E3 - MOSFET double, LITTLE FOOT, Canal N, 30 V, 5.8 A, 0.0155 ohm, NSOIC, Montage en surface

2547314

MOSFET double, LITTLE FOOT, Canal N, 30 V, 5.8 A, 0.0155 ohm, NSOIC, Montage en surface

VISHAY

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Bandes découpées
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Suggestion de remplacement pour :2547314
2547314RL en Mise en bobine

1+ 1,55 € 10+ 1,22 € 100+ 0,932 € 500+ 0,799 € 1000+ 0,68 € 5000+ 0,666 € Plus de tarifs

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Canal N 30V 5.8A 0.0155ohm NSOIC Montage en surface 10V 3V 1W 8Broche(s) 150°C - -
SI4816BDY-T1-E3
SI4816BDY-T1-E3 - MOSFET double, LITTLE FOOT, Canal N, 30 V, 5.8 A, 0.0155 ohm, NSOIC, Montage en surface

2547314RL

MOSFET double, LITTLE FOOT, Canal N, 30 V, 5.8 A, 0.0155 ohm, NSOIC, Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2547314RL
2547314 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

10+ 1,22 € 100+ 0,932 € 500+ 0,799 € 1000+ 0,68 € 5000+ 0,666 €

Article restreint

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Canal N 30V 5.8A 0.0155ohm NSOIC Montage en surface 10V 3V 1W 8Broche(s) 150°C - -
SI4936CDY-T1-GE3
SI4936CDY-T1-GE3 - MOSFET double, Canal N, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm, SOIC, Montage en surface

1779274RL

MOSFET double, Canal N, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm, SOIC, Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1779274RL
1779274 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

100+ 0,321 € 500+ 0,271 € 1000+ 0,259 € 5000+ 0,246 €

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Min: 150 Mult: 5
Canal N 30V 5.8A 0.033ohm SOIC Montage en surface 10V 3V 2.3W 8Broche(s) 150°C - -
SI4816BDY-T1-GE3
SI4816BDY-T1-GE3 - MOSFET double, Canal N, 30 V, 5.8 A, 0.0155 ohm, SOIC, Montage en surface

2101479RL

MOSFET double, Canal N, 30 V, 5.8 A, 0.0155 ohm, SOIC, Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

100+ 0,932 € 500+ 0,809 € 1000+ 0,736 € 5000+ 0,662 €

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Min: 150 Mult: 1
Canal N 30V 5.8A 0.0155ohm SOIC Montage en surface 10V 3V 1.25W 8Broche(s) 150°C - -
DMN2041UVT-7
DMN2041UVT-7 - MOSFET double, Canal N, 20 V, 5.8 A, 0.017 ohm, TSOT-26, Montage en surface

3405238

MOSFET double, Canal N, 20 V, 5.8 A, 0.017 ohm, TSOT-26, Montage en surface

DIODES INC.

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :3405238
3405238RL en Mise en bobine

5+ 0,461 € 25+ 0,429 € 100+ 0,223 € 250+ 0,212 € 500+ 0,192 € 1000+ 0,14 € 5000+ 0,127 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 5 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 5 Mult: 5
Canal N 20V 5.8A 0.017ohm TSOT-26 Montage en surface 4.5V 900mV 1.1W 6Broche(s) 150°C - -
NVMD6N04R2G
NVMD6N04R2G - MOSFET double, Canal N, 40 V, 5.8 A, 0.027 ohm, SOIC

3368888RL

MOSFET double, Canal N, 40 V, 5.8 A, 0.027 ohm, SOIC

ON SEMICONDUCTOR

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :3368888RL
3368888 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

10+ 1,01 € 100+ 0,773 € 250+ 0,743 € 500+ 0,654 € 1000+ 0,553 €

Article restreint

Commande minimale de 10 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 10 Mult: 1
Canal N 40V 5.8A 0.027ohm SOIC - 10V 1.9V 2W 8Broche(s) 150°C - AEC-Q101
NVMD6N04R2G
NVMD6N04R2G - MOSFET double, Canal N, 40 V, 5.8 A, 0.027 ohm, SOIC

3368888

MOSFET double, Canal N, 40 V, 5.8 A, 0.027 ohm, SOIC

ON SEMICONDUCTOR

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :3368888
3368888RL en Mise en bobine

1+ 1,32 € 10+ 1,01 € 100+ 0,773 € 250+ 0,743 € 500+ 0,654 € 1000+ 0,553 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 1 Mult: 1
Canal N 40V 5.8A 0.027ohm SOIC - 10V 1.9V 2W 8Broche(s) 150°C - AEC-Q101
DMN2041UVT-7
DMN2041UVT-7 - MOSFET double, Canal N, 20 V, 5.8 A, 0.017 ohm, TSOT-26, Montage en surface

3405238RL

MOSFET double, Canal N, 20 V, 5.8 A, 0.017 ohm, TSOT-26, Montage en surface

DIODES INC.

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Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :3405238RL
3405238 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

100+ 0,223 € 250+ 0,212 € 500+ 0,192 € 1000+ 0,14 € 5000+ 0,127 €

Article restreint

Commande minimale de 150 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 150 Mult: 5
Canal N 20V 5.8A 0.017ohm TSOT-26 Montage en surface 4.5V 900mV 1.1W 6Broche(s) 150°C - -
IRF7379TRPBF
IRF7379TRPBF - MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, Montage en surface

2781211RL

MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, Montage en surface

INFINEON

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2781211RL
2781211 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Disponible jusqu'à épuisement du stock

10+ 0,669 €

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Min: 10 Mult: 1
Complémentaire canal N et P 30V 5.8A 0.038ohm SOIC Montage en surface 10V 1V 2.5W 8Broche(s) 150°C HEXFET Series -
IRF7379TRPBF
IRF7379TRPBF - MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, Montage en surface

2781211

MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, Montage en surface

INFINEON

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2781211
2781211RL en Mise en bobine
Disponible jusqu'à épuisement du stock

1+ 0,843 € 10+ 0,669 €

Article restreint

Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 1 Mult: 1
Complémentaire canal N et P 30V 5.8A 0.038ohm SOIC Montage en surface 10V 1V 2.5W 8Broche(s) 150°C HEXFET Series -