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NTMC083NP10M5L
MOSFET double, Canal N et P, 100 V, 100 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.0594 ohm
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11 940 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,583 € |
| 500+ | 0,443 € |
| 1000+ | 0,370 € |
| 5000+ | 0,328 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMC083NP10M5L
Code Commande3787297RL
Fiche technique
Type de canalCanal N et P
Tension Drain Source Vds, Canal N100V
Tension Drain-Source Vds100V
Tension drain source Vds, Canal P100V
Courant de drain Id4.1A
Courant de drain continu Id, Canal N4.1A
Courant de drain continu Id, Canal P4.1A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.0594ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.0594ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P3.1W
Dissipation de puissance, Canal P3.1W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Puissance, double canal N et P (100V, 83 mohm, 4,5A, -100V, 131 ohms, -3,6A) Le MOSFET est généralement utilisé dans les outils électriques, les aspirateurs sur batterie, les UAV/drones, la manutention, l'entraînement par moteur et la domotique
- Faible encombrement (5 x 6 mm) pour un design compact
- Faible RDS On, pour réduire les pertes de conduction
- Faible QG et capacité pour minimiser les pertes du driver
- Sans protection ESD
- Faible perte de conduction, empreinte standard
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N et P
Tension Drain-Source Vds
100V
Courant de drain Id
4.1A
Courant de drain continu Id, Canal P
4.1A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.0594ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
3.1W
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
100V
Tension drain source Vds, Canal P
100V
Courant de drain continu Id, Canal N
4.1A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.0594ohm
Type de boîtier de transistor
SOIC
Dissipation de puissance Canal P
3.1W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits