2400µohm FET Nitrure de gallium (GaN)

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Résistance Drain-Source à l'état-ON

:

2400µohm

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GAN3R2-100CBEAZ	4198483RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 100 V 60 A 2400 µohm 9.2 nC WLCSP Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	Prix non disponible. Veuillez contacter le service clientèle.	100V	60A	2400µohm	9.2nC	WLCSP	Montage en surface	8Broche(s)
GAN3R2-100CBEAZ	4198483 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 100 V 60 A 2400 µohm 9.2 nC WLCSP Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	Prix non disponible. Veuillez contacter le service clientèle.	100V	60A	2400µohm	9.2nC	WLCSP	Montage en surface	8Broche(s)