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FET Nitrure de gallium (GaN):
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Acheteur
Ingénieur
Fabricant
Tension Drain-Source Vds
Courant de drain Id
Résistance Drain-Source à l'état-ON
Charge de porte Typique
Type de boîtier de transistor
Montage transistor
Nbre de broches
Gamme de produit
Emballage
Filtre(s) appliqué(s)
1 Filtre(s) sélectionné(s)
| Comparer | Prix pour | Quantité | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement | 100+ 3,730 € 500+ 3,040 € 1000+ 2,770 € | Min : 100 / Mult : 1 | 650V | 18.9A | 0.11ohm | 14.4nC | - | - | 8Broche(s) | - | |||||
Pièce | 1+ 6,270 € 5+ 5,770 € 10+ 5,260 € 50+ 4,760 € 100+ 4,260 € Plus de tarifs | Min : 1 / Mult : 1 | 650V | 18.9A | 0.11ohm | 14.4nC | TO-220 | Traversant | 3Broche(s) | SuperGaN Series | |||||
Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées | 1+ 4,220 € 10+ 3,980 € 100+ 3,730 € 500+ 3,040 € 1000+ 2,770 € | Min : 1 / Mult : 1 | 650V | 18.9A | 0.11ohm | 14.4nC | PQFN | Montage en surface | 8Broche(s) | SuperGaN Series | |||||
