HMC8411LP2FETR

Le HMC8411LP2FE est en arséniure de gallium (GaAs), un circuit intégré hyperfréquence monolithique (MMIC), un transistor pseudomorphique haute mobilité électronique (pHEMT), un amplificateur large bande, faible bruit qui fonctionne de 0,01GHz à 10GHz. Puissance de sortie saturée (PSAT) 19,5dBm typique permet à l'amplificateur faible bruit (LNA) de fonctionner comme un pilote d'oscillateur local (LO) pour de nombreux composants Analog Devices, Inc., équilibré, en phase/quadrature (I/Q) ou des mélangeurs de rejet d'image. Ce composant comporte des entrées et des sorties qui sont adaptées en interne à 50 ohms, ce qui en fait un composant idéal pour les applications radio microondes haute capacité basées sur la technologie montée en surface (CMS). Il est utilisé dans des applications telles que l'instrumentation de test, les communications militaires, etc.

• Gain 15.5dB typique (0.01GHz à 1GHz)
• Facteur de bruit de 1,8dB typique (0,01GHz à 1GHz)
• Interception de troisième ordre de sortie 33,5dBm typique à (0,01GHz à 1GHz)
• Courant d'alimentation 55mA typique
• Tension d'alimentation 5V typique
• Efficacité de la puissance ajoutée 30% typique
• Température d'utilisation de -40°C à +85°C
• Boîtier LFCSP, 6 broches

Remarques

Les produits ADI sont autorisés (et vendus) uniquement pour une utilisation par le client et ne doivent pas être revendus ou transmis d'aucune manière à une tierce partie.