AS4C16M16SA-6TCN

La AS4C16M16SA-6TCN 256Mo est une DRAM synchrone CMOS haute vitesse de 256Mbits. Il est configuré en interne comme 4 banques de 4M mots x 16 DRAM avec une interface synchrone (tous les signaux sont enregistrés sur le front positif du signal d'horloge, CLK). Les accès en lecture et écriture à la SDRAM sont orientés Burst; Les accès commencent à un emplacement sélectionné et continuent pour un nombre d'emplacements programmé dans une séquence programmée. Les accès commencent par l'enregistrement d'une commande BankActivate qui est ensuite suivie d'une commande de lecture ou d'écriture. Une fonction de précharge automatique peut être activée pour fournir une précharge de ligne auto-chronométrée qui est initiée à la fin de la séquence de rafale. Grâce à un registre de modes programmables, le système peut choisir les modes les plus adaptés pour maximiser ses performances. Elle est parfaitement adaptée aux applications nécessitant une bande passante mémoire élevée et particulièrement bien adapté aux applications PC hautes performances.

• Temps d'accès rapide depuis l'horloge: 5/5,4ns, fonctionnement entièrement synchrone
• Architecture pipeline interne, 4M mots de 16 bits x 4 banques
• Registres mode programmable, latence CAS: 2 ou 3, durée de la rafale: 1, 2, 4, 8, ou page complète
• Type de rafale: séquentielle ou entrelacée, fonction d'arrêt de rafale
• Rafraîchissement automatique et auto-rafraîchissement, 8192 cycles de rafraîchissement/64ms
• Mode de mise hors tension CKE, Interface LVTTL
• Alimentation +3.3V± 0.3V
• Fréquence 166MHz
• Boîtier TSOP II, 54 broches
• Plage de température commerciale de 0 à 70°C