AS4C16M16D1A-5TIN

L'AS4C16M16D1A-5TIN est une mémoire DRAM synchrone à double débit de données CMOS haute vitesse (SDRAM) contenant 256Mbits. Elle est configurée en interne comme une quad DRAM 4M x 16 avec une interface synchrone (tous les signaux sont enregistrés sur le front positif du signal d'horloge, CK). Les accès commencent par l'enregistrement d'une commande BankActivate qui est ensuite suivie d'une commande de lecture ou d'écriture. Une fonction de précharge automatique peut être activée pour fournir une précharge de ligne auto-chronométrée qui est initiée à la fin de la séquence de rafale. Les fonctions de rafraîchissement, qu'elles soient automatiques ou auto-rafraîchissantes, sont faciles à utiliser. En disposant d'un registre de mode programmable et d'un registre de mode étendu, le système peut choisir les modes les plus appropriés pour maximiser ses performances Il est parfaitement adapté aux applications nécessitant une bande passante mémoire élevée, ce qui en fait un composant particulièrement bien adapté aux applications de mémoire principale et graphiques hautes performances.

• Fréquence d'horloge rapide: 200MHz, DQS bidirectionnel, activation/désactivation de la DLL par EMRS
• Fonctionnement entièrement synchrone, architecture de pipeline interne, horloge différentielle CK et CK actif à l'état bas
• Registres en mode programmable et en mode étendu, latence CAS: 2, 2,5, 3, durée de la rafale: 2, 4, 8
• Contrôle du masque d'écriture d'octets individuels, latence d'écriture DM = 0, rafraîchissement automatique et auto-rafraîchissement
• 8192 cycles de rafraîchissement / 64ms, précharge et mise hors tension active
• Alimentations: VDD et VDDQ = 2.5V ±0.2V
• Interface: Interface d'E/S SSTL-2
• Débit de données de 400 Mbps/broche
• Boîtier TSOPII 66 broches
• Température industrielle de -40°C à 85°C