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DMT32M4LPSW-13
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Montage en surface
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| 500+ | 0,4884€ |
| 1000+ | 0,4872€ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT32M4LPSW-13
Code Commande3828441
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0015ohm
Type de boîtier de transistorPowerDI 5060
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance83W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
100A
Type de boîtier de transistor
PowerDI 5060
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
83W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0015ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits