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500+ | 0,0455€ |
1000+ | 0,0402€ |
5000+ | 0,0318€ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMUN2134LT1G
Code Commande1961703
Fiche technique
Polarité transistorSimple PNP
Tension Collecteur Emetteur Max NPN-
Tension Collecteur Emetteur Max PNP50V
Courant Collecteur Continu100mA
Résistance base R122kohm
Résistance Base-Emetteur R247kohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nbre de broches3 broches
Montage transistorMontage en surface
Dissipation de puissance400mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gain de courant DC hFE Min.80hFE
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Polarité transistor
Simple PNP
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
50V
Résistance base R1
22kohm
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Montage transistor
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
150°C
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
-
Courant Collecteur Continu
100mA
Résistance Base-Emetteur R2
47kohm
Nbre de broches
3 broches
Dissipation de puissance
400mW
Gain de courant DC hFE Min.
80hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000008
Traçabilité des produits