Diode Schottky SiC thinQ!™ 650V Génération 5 d'Infineon
Parmi les meilleures technologies de diode du secteur figure celle de Schottky qui est idéale pour une utilisation sur des serveurs et télécommunications SMPS haut de gamme, les PC Silverbox, les applications d'éclairage et bien plus encore. La Génération 5 allie processus de soudure à diffusion propriétaire et technologie de conception de galette plus compacte et plus fine.
- Grâce à son dispositif de superjonction, elle s'adapte parfaitement aux dispositifs tels que CoolMOS™
- Une efficacité accrue pour toutes les conditions de charge
- Une efficacité accrue par rapport aux autres diodes de silicium
- EMI réduite
- Performances de commutation extrêmement stables
Description du produit
La diode Schottky SiC Génération 5 d'Infineon associe le processus de soudure à diffusion propriétaire présenté par la Génération 3 avec des caractéristiques thermiques améliorées, les dernières innovations technologiques des galettes fines et une conception plus compacte. Le tout offre une meilleure efficacité que celle des générations thinQ!™ précédentes, pour les étages PFC et de puissance, et pour toutes les conditions de charge.
Outre l'amélioration de l'efficacité, la Génération 5 permet également une EMI réduite, une fiabilité accrue du système et des conditions de refroidissement moindres.
Facteur de mérite amélioré
Les diodes de la Génération 5 offrent un facteur de mérite plus faible comparé aux générations précédentes. (Qc x Vf)
Haut rendement
La Génération 5 offre une efficacité accrue pour toutes les conditions de charge par rapport aux générations précédentes et aux autres diodes de silicium.
Performances stables
La Génération 5 délivre des performances de commutation stables, des exigences de refroidissement moindres et une température de fonctionnement élevée. (T J(max) : 175 °C)