Boostez vos applications de puissance
Gamme étendue de solutions de puissance et nouveaux produits de pointe
Nexperia est un acteur de premier plan dans l’industrie des semi-conducteurs, réputé pour la qualité et la fiabilité de ses composants discrets, de ses solutions d’alimentation et de ses circuits intégrés logiques, et synonyme de qualité et de fiabilité. Engagé dans l’innovation, le groupe Nexperia élargit rapidement son portefeuille, en particulier dans les MOSFET de puissance, les semi-conducteurs à large bande interdite, les IGBT et les circuits intégrés analogiques et de gestion de l’alimentation. Chaque année, plus de 800 nouveaux types sont ajoutés. Rien qu’en 2024, plus de 70 nouveaux composants analogiques et de gestion de l’alimentation ont été lancés.
L’investissement important de Nexperia dans la fabrication, par exemple 200 millions de dollars dans les technologies SiC et GaN dans son usine de Hambourg, souligne l’engagement à faire progresser les capacités de production et à répondre aux demandes futures. Basée aux Pays-Bas, la société Nexperia a un bel héritage en Europe, depuis plus de 60 ans. Avec plus de 12 500 employés en Europe, en Asie et aux États-Unis, Nexperia, qui expédie plus de 100 milliards de produits par an, bénéficie d’une forte empreinte mondiale, garantissant un support solide et une gestion efficace de la chaîne logistique.
Produits en vedette
MOSFET de puissance
MOSFET de puissance de classe industrielle, MOSFET de puissance homologués pour l’automobile, MOSFET à signaux faibles et MOSFET spécifiques aux applications de 20 V à 100 V. Excellentes performances de commutation et de robustesse dans les boîtiers à clip cuivre (LFPAK, CCPAK) et les boîtiers Micro Lead (MLPAK)
IGBT
Les IGBT discrets 650V des séries H (rapide) et M (entraînement moteur) offrent une fiabilité élevée et une densité de puissance de variateur améliorée pour les applications industrielles à moyenne et haute tension
Diodes SiC
Elles proposent un comportement de coupure capacitif indépendant de la température et de commutation zéro récupération, combiné à un facteur de mérite exceptionnel (QC x VF). La diode Schottky PIN fusionnée améliore la robustesse exprimée dans un IFSM élevé.
MOSFET SiC
Excellente stabilité de température RDSon, vitesse de commutation rapide et robustesse élevée contre les courts-circuits pour les applications industrielles haute puissance et haute tension.
Transistor à effet de champ GaN E-mode/montage cascode
Transistors à effet de champ (FET) au nitrure de gallium (GaN) E-mode basse tension, FET GaN E-mode 650V, FET GaN bidirectionnels et FET GaN à montage cascode 650V. Pour une densité de puissance améliorée grâce à une réduction des pertes de conduction et de commutation dans les applications de conversion de faible ou forte puissance.
Gestion de l’alimentation
Efficacité et robustesse du système grâce à un portefeuille en pleine croissance de circuits intégrés de contrôleur AC/DC, circuits intégrés de pilote de LED, convertisseurs DC-DC, eFUSE, pilotes de grille, LDO, commutateurs de charge, entre autres.
Isolation
Les isolateurs numériques et les pilotes de transformateur sont nécessaires pour isoler la communication numérique et les alimentations dans les applications haute tension afin d’assurer un fonctionnement sûr.
Redresseurs de puissance
Fournissez une densité de puissance tout en minimisant le temps de récupération inverse et les pertes, pour une commutation efficace. Logé dans un boîtier CFP en cuivre certifié pour l’automobile, pour un encombrement réduit.
Applications/Marchés
Puissance et énergie
Mobilité
Automatisation et fabrication
