CoolSiC™ pour une efficacité énergétique de niveau supérieur
Le modèle idéal pour une large gamme d’applications
Produits CoolSiC™ d’Infineon Technologies, Fiabilité, variété et avantages du système inégalés. Technologie SiC d’Infineon !
En tant que principal fabricant d’alimentations avec plus de 20 ans d’héritage dans le développement de technologies de carbure de silicium (SiC), Infineon est prêt à répondre au besoin d’une production, d’une transmission et d’une consommation d’énergie plus intelligentes et plus efficaces. Ses experts comprennent ce qui est nécessaire pour réduire la complexité du système, ce qui permet de réduire le coût et la taille du système dans les systèmes de moyenne et haute puissance.
Avec le vaste portefeuille de produits d’Infineon, répondant aux normes de qualité les plus exigeantes, une longue durée de vie et une fiabilité du système sont garanties. Infineon possède l’ensemble de la chaîne d’approvisionnement et offre une prise en charge sérieuse de la conception pour le Si, le GaN et le SiC. Tournez-vous vers Infineon, le fabricant de SiC de confiance, et faites partie d’une révolution sur laquelle vous pouvez compter, indépendamment de votre conception individuelle et des exigences du système.
Plus de 20 ans d’expérience sur le terrain font de nous un partenaire fiable
Cliquez ici pour agrandir l’imageModules MOSFET CoolSiC™ en carbure de silicium
La gamme de modules d’alimentation MOSFET CoolSiC™ d’Infineon offre de nouvelles opportunités pour les concepteurs d’onduleurs, leur permettant d’atteindre des niveaux d’efficacité et de densité de puissance jamais vus auparavant. En exploitant la puissance des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC), nos modules permettent des températures de fonctionnement et des fréquences de commutation plus élevées, pour des améliorations significatives de l’efficacité globale du système.
Nos modules d’alimentation en carbure de silicium CoolSiC™ sont conçus pour répondre aux différents besoins de diverses applications. Avec une gamme de topologies allant de 52,9mOhm à 1,44mOhm RDS, vous pouvez choisir le module idéal pour répondre à vos besoins spécifiques. Que vous ayez besoin d’une configuration à 3 niveaux, demi-pont, Fourpack, Sixpack ou booster, vous pouvez compter sur nos modules MOSFET SiC de 1200V et 2000V.
Notre conception en tranchée de pointe garantit une fiabilité de l’oxyde de grille supérieure, tandis que nos niveaux de pertes de commutation et de conduction remarquables établissent une nouvelle norme en matière de performances. De plus, grâce à la possibilité de pré-appliquer le matériau d’interface thermique (TIM) et à des fonctionnalités supplémentaires telles que la céramique de nitrure d’aluminium (AlN) haute performance, nos modules d’alimentation MOSFET EasyPACK™, EasyDUAL™ et CoolSiC™ de 62mm font passer les performances thermiques de RthJH au niveau supérieur.
Consolider la nouvelle génération de systèmes haute performance
Découvrez comment le nouveau MOSFET à tranchée CoolSiC™ G2 permet d’atteindre un nouveau niveau de performance pour le carbure de silicium, tout en répondant aux normes de qualité les plus élevées dans toutes les combinaisons courantes de schémas d’alimentation : AC-DC, DC-DC et DC-AC. Les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage d’énergie, la recharge des véhicules électriques, les alimentations électriques, les entraînements de moteurs et bien d’autres font partie des nombreux cas où les MOSFET en carbure de silicium offrent des performances supplémentaires par rapport aux alternatives en silicium.
Caractéristiques :
- MOSFET CoolSiC G2 400V / 650V / 1 200V
- RDS(on) le plus bas disponible
- Le portefeuille de produits le plus étendu
- Caractéristiques de robustesse uniques
Intégrez CoolSiC™ à votre application
CoolSiC™ – Exemples de réussite client
Technologie de division à froid
CoolSiC™ – Technologie de tranchées – Une révolution sur laquelle s’appuyer
CoolSiC™ – La solution parfaite pour les servocommandes
MOSFET CoolSiC™ dans une application de servocommande
Microapprentissage : MOSFET CoolSiC™ dans une application de recharge de VE
Produits phares
Module MOSFET SiC EasyDUAL™ 1B et 2B
Module MOSFET SiC Easy 3B
Module MOSFET SiC EconoDUAL™ 3
Catégories produits CoolSiC™ d’Infineon™ : trouvez les produits qui vous conviennent le mieux
Infineon a continuellement ajouté des produits à base de SiC, y compris les MOSFET CoolSiC™ révolutionnaires avec technologie de tranchées, à l’assortiment de produits Si déjà existants. Aujourd’hui, la société propose l’un des portefeuilles d’alimentation les plus complets du secteur, allant des appareils d’alimentation ultra-basse à haute tension. Au-delà de garantir la simple disponibilité des solutions les mieux adaptées, nous avons fait un effort supplémentaire pour optimiser l’offre de produits à base de SiC afin de répondre aux exigences spécifiques des applications. En réponse au fait que les transistors de puissance à commutation ultra-rapides tels que les MOSFET CoolSiC™ peuvent être plus faciles à manipuler en utilisant des sections de sortie de grille isolées, nos clients ont accès à des CI de commande de grille EiceDRIVER™ isolés galvaniquement parfaitement adaptés, basés sur notre technologie de transformateur sans noyau. La production de plusieurs millions de modules hybrides (une combinaison d’un commutateur rapide à base de silicium et d’une diode Shottky CoolSiC™) au cours des dernières années a permis un énorme renforcement du savoir-faire et des capacités, et a contribué à notre leadership technologique.
CoolSiC™ MOSFETs - MODULES
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 FS55MR12W1M1H_B11 | Sixpack 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy Module | AG-EASY1B |
|
 FS33MR12W1M1H_B11 | CoolSiC™ MOSFET sixpack module 1200 V | AG-EASY1B |
|
 F3L11MR12W2M1HP_B19 | CoolSiC™ MOSFET 3-level module 1200 V | AG-EASY2B |
|
 FF2MR12W3M1H_B11 | Half-bridge 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy Module | AG-EASY3B |
|
 F4-11MR12W2M1HP_B76 | CoolSiC™ MOSFET fourpack module 1200 V | AG-EASY2B |
|
 FF1MR12KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V | AG-62MMHB |
|
 FF2MR12KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V | AG-62MMHB | |
 FF6MR12KM1H | Half-bridge 1200 V CoolSiC™ MOSFET Module | AG-62MMHB | |
 FF3MR20KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 2000 V | AG-62MMHB |
|
 FF4MR20KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 2000 V | AG-62MMHB |
CoolSiC™ MOSFETs – DISCRETES
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 IMT65R022M1H | CoolSiC™ 650 V, 27 mΩ SiC-based trench MOSFET | PG-HSOF-8 |
|
 IMT65R030M1H | CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V in TOLL package | PG-HSOF-8 | |
 IMT65R057M1H | CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V in TOLL package | PG-HSOF-8 | |
 AIMBG75R016M1HXTMA1 | The CoolSiC™ MOSFET 750 V is a highly robust SiC MOSFET for the best system performance and reliability. | PG-TO263-7 |
|
 AIMDQ75R016M1HXUMA1 | The CoolSiC™ MOSFET 750 V is a highly robust SiC MOSFET for the best system performance and reliability. | PG-HDSOP-22 | |
 IMZ120R060M1H | CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package | PG-TO247-4 |
|
 IMBG120R053M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | PG-TO-263-7 |
|
 IMYH200R024M1H | CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET | PG-TO-247PLUS-4-HCC |
|
 IMW120R030M1H | CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET | PG-TO247-3 |
|
 IMBF170R1K0M1 | CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET | PG-TO-263-7 |
|
EiceDRIVER™ SiC MOSFET Gate Driver ICs
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 1ED3321MC12N | 2300 V single-channel isolated gate driver with short-circuit protection, active Miller clamp and soft-off, UL 1577 & VDE 0884-11 certified | PG-DSO-16 |
|
 1ED3142MU12F | 6.5 A, 3 kV (rms) single-channel isolated gate driver with separate output, UL 1577 certified, 13.6 V UVLO | PG-DSO-8 |
|
 1ED3125MU12F | 10 A, 3.0 kV (rms) single-channel isolated gate driver with active Miller clamp, UL 1577 certified, 10.5 V UVLO | PG-DSO-8 | |
 2EDS9265H | Fast, robust, dual-channel, reinforced isolated MOSFET gate driver with accurate and stable timing | PG-DSO-16 |
|
 2EDF9275F | Fast, robust, dual-channel, functional isolated MOSFET gate driver with accurate and stable timing | PG-DSO-16 |
|
CoolSiC™ MOSFET – DISCRETE
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 AIKBE50N65RF5ATMA1 | Automotive Silicon-carbide (SiC) Hybrid Discrete 650 V in D2PAK-7L | PG-TO263-7 |
|
 AIMBG120R040M1XTMA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in D2PAK-7L, 40mΩ | PG-TO263-7 |
|
 AIMBG120R080M1XTMA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in D2PAK-7L, 80mΩ | PG-TO263-7 |
|
 AIMZH120R010M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 8.7mΩ | PG-TO247-4 |
|
 AIMZH120R020M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 20mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R030M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 30mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R040M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 40mΩ | PG-TO247-4 |
|
 AIMZH120R060M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 60mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R080M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 80mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R120M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 120mΩ | PG-TO247-4 |
|
 AIMZH120R160M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 160mΩ | PG-TO247-4 |
|
 FS05MR12A6MA1BBPSA1 | This HybridPACK™ Drive is a very compact six-pack module (1200V/200A) optimized for hybrid and electric vehicles. | AG-HDG1-3211 |
|
 FS03MR12A6MA1BBPSA1 | This HybridPACK™ Drive is a very compact six-pack module (1200V/400A) optimized for hybrid and electric vehicles. | AG-HDG1-3211 |
|
 FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | EasyPACK™ CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V Half Bridge Module | AG-EASY1BA-3211 |
|
| Part number | Description | Target applications | Key features and benefits |
|---|---|---|---|
 Mother board: EVAL_PS_SIC_DP_MAIN | EVAL_PS_SIC_DP_MAIN CoolSiC™ MOSFET 1200 V in TO-247 3-/4-pin evaluation platform (mother board) User Guide | Solutions for solar energy systems, EV charging, UPS, power supplies, motor control and drives | Features:
Benefits:
|
 Daughter board: REF_PS_SIC_DP1 | REF_PS_SIC_DP1 Miller clamp function board for EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (daughter board / drive card) | ||
 Daughter board: REF_PS_SIC_DP2 | REF_PS_SIC_DP2 Bipolar supply function board for EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (daughter board / drive card) | ||
 EVAL-COOLSIC-2KVHCC | Evaluation Board as adaptable double pulse tester for 2000 V discrete CoolSiC™ MOSFETs in TO-247-4-PLUS-HCC package with compact single channel isolated gate driver EiceDRIVER™ 1ED3124MU12H1200 | Industrial | Features:
Benefits:
|
 EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC | 3300 W CCM bidirectional totem-pole PFC unit using CoolSiC™ 650 V, 600 V CoolMOS™ C7, and digital control via XMC™ microcontroller | High-end server, datacenter, telecom | Features:
Benefits:
|
Podcast4Engineers d’Infineon™
SiC : introduction au carbure de silicium avec Eva
Le carbure de silicium (SiC) n’est plus seulement une innovation pour la nouvelle génération de semi-conducteurs de puissance. Écoutez Eva expliquer comment le SiC a déjà transformé de nombreuses applications telles que la recharge des véhicules électriques et le photovoltaïque, et ce que les ingénieurs concepteurs doivent prendre en compte lors du passage au SiC.
SiC : les technologies des dispositifs en carbure de silicium avec Christian
Qui a besoin de diamants, quand on a du carbure de silicium ? Dans notre dernier épisode, Christian explique ce que le SiC et les diamants ont en commun et comment les nouvelles technologies des dispositifs poussent encore plus loin les conceptions SiC
SiC : boîtiers discrets en carbure de silicium avec Edward et Giuseppe
Les grandes choses viennent dans de petits emballages… surtout quand il s’agit de carbure de silicium ! Dans cet épisode, nos experts Edward et Giuseppe parlent des différentes options de boîtiers discrets pour le SiC et de ce à quoi nous pouvons nous attendre à l’avenir.
SiC : boîtiers de modules en carbure de silicium avec Ainhoa
Un grand pouvoir s’accompagne d’une grande responsabilité… ou peut-être simplement de superbes conceptions ! Écoutez notre experte Ainhoa parler de l’évolution du SiC dans les modules de puissance au fil des ans et des considérations importantes lors du choix d’un module pour la conception de votre électronique de puissance.
Documents
Livre blanc
Concrétiser l’avenir de la charge rapide des véhicules électriques grâce à une conception de topologie basée sur CoolSiC™