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TSM2314CX RFG
MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Montage en surface
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Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTSM2314CX RFG
Code Commande1864589
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id4.9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.027ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max850mV
Dissipation de puissance1.25W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
Le TSM2314CX est un MOSFET canal N avec une technologie de processus de pointe Trench et une tension grille/Source de ± 12V
- Haute densité cellulaire conception pour Ultra faible résistance On
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
4.9A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.25W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.027ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
850mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour TSM2314CX RFG
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000653
Traçabilité des produits