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XP3P3R0MT
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 125 A, 0.003 ohm, PMPAK, Montage en surface
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FabricantYAGEO XSEMI
Réf. FabricantXP3P3R0MT
Code Commande4168948RL
Gamme de produitXP3P3R0 Series
Fiche technique
200 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,995 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantYAGEO XSEMI
Réf. FabricantXP3P3R0MT
Code Commande4168948RL
Gamme de produitXP3P3R0 Series
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id125A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.003ohm
Type de boîtier de transistorPMPAK
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance5W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitXP3P3R0 Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
125A
Type de boîtier de transistor
PMPAK
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.003ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
XP3P3R0 Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001