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VS-1N3768
Module de diode, 1 kV, 35 A, 1.8 V, Simple, DO-5, 2 Broche(s)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantVS-1N3768
Code Commande2547255
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive1kV
Courant direct moyen35A
Tension directe max1.8V
Configuration Module DiodeSimple
Type de boîtier de diodeDO-5
Nbre de broches2Broche(s)
Température d'utilisation Max.200°C
Courant de surtension vers l'avant400A
Type de montage de diodeGoujon
Gamme de produit-
Aperçu du produit
La VS-1N3768 est une diode de redressement au silicium, qui présente un faible courant de fuite, une tension inverse, crête répétitive maximale de 1000V et une bonne capacité de courant de surtension jusqu'à 1000A.
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
1kV
Tension directe max
1.8V
Type de boîtier de diode
DO-5
Température d'utilisation Max.
200°C
Type de montage de diode
Goujon
Courant direct moyen
35A
Configuration Module Diode
Simple
Nbre de broches
2Broche(s)
Courant de surtension vers l'avant
400A
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.020638
Traçabilité des produits