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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR668ADP-T1-RE3
Code Commande3350740
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
3 847 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,580 € |
| 10+ | 1,880 € |
| 100+ | 1,390 € |
| 500+ | 1,180 € |
| 1000+ | 1,170 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR668ADP-T1-RE3
Code Commande3350740
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id104A
Résistance Drain-Source à l'état-ON4800µohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO-DC
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance125W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
104A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO-DC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
125W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
4800µohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001