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| 10+ | 1,160 € |
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| 500+ | 0,575 € |
| 1000+ | 0,535 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7139DP-T1-GE3
Code Commande2335355
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id40A
Résistance Drain-Source à l'état-ON5500µohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1.2V
Dissipation de puissance48W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le SI7139DP-T1-GE3 est un MOSFET de puissance à mode d'enrichissement en canal P, TrenchFET® 30VDS, convient aux applications d'adaptateur, de batterie et de charge.
- Testé 100% Rg
- Testé UIS 100%
- Sans halogène
- Température d'utilisation -55 à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
40A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
48W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
5500µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7139DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002217
Traçabilité des produits