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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 2500+ | 0,407 € |
| 7500+ | 0,386 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
1 017,50 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4925DDY-T1-GE3
Code Commande4320166
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain Source Vds, Canal N-
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N-
Courant de drain continu Id, Canal P8A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.024ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P-
Dissipation de puissance, Canal P5W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
8A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.024ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
5W
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
-
Courant de drain continu Id, Canal N
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
-
Type de boîtier de transistor
SOIC
Dissipation de puissance Canal P
-
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0002
Traçabilité des produits