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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH4R003NL,L1Q(M
Code Commande4173203
Gamme de produitU-MOSVIII-H Series
Egalement appeléTPH4R003NL, TPH4R003NL,L1Q
Fiche technique
4 990 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,090 € |
| 10+ | 0,706 € |
| 100+ | 0,489 € |
| 500+ | 0,394 € |
| 1000+ | 0,350 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Multiple: 1
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH4R003NL,L1Q(M
Code Commande4173203
Gamme de produitU-MOSVIII-H Series
Egalement appeléTPH4R003NL, TPH4R003NL,L1Q
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id68A
Résistance Drain-Source à l'état-ON3400µohm
Type de boîtier de transistorSOP Advance
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.3V
Dissipation de puissance36W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitU-MOSVIII-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
68A
Type de boîtier de transistor
SOP Advance
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
36W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
3400µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00007
Traçabilité des produits