Toshiba lance des MOSFET au carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de troisième génération qui améliorent l’efficacité et réduisent la taille dans les applications industrielles et d’énergie verte

MOSFET au carbure de silicium (SiC) de 650 V

Ces produits très efficaces et polyvalents seront utilisés dans une variété d’applications exigeantes, notamment les alimentations à découpage (SMPS) et les alimentations sans interruption (UPS) pour les serveurs, les centres de données et les équipements de communication.

Ils trouveront également des applications dans les énergies renouvelables, notamment les onduleurs photovoltaïques (PV) et les convertisseurs DC-DC bidirectionnels, tels que ceux utilisés pour la recharge des véhicules électriques (VE).

Les nouveaux TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C et TW107N65C sont basés sur le procédé SiC avancé de troisième génération de Toshiba, qui optimise les structures cellulaires utilisées dans les appareils de deuxième génération.

À la suite de cette avancée, un facteur de mérite clé calculé comme le produit de la résistance à l’état passant drain-source (RDS (on)) et de la charge grille-drain (Qg) pour représenter à la fois les pertes statiques et dynamiques s’est amélioré d’environ 80 %. Cela réduit considérablement les pertes et permet le développement de solutions d’alimentation avec des densités de puissance plus élevées et des coûts de fonctionnement plus faibles.

En commun avec les dispositifs précédents, les nouveaux MOSFET de troisième génération incluent une barrière Schottky à base de SiC intégrée avec une faible tension directe (VF) de -1,35 V (typ.) pour supprimer les fluctuations de RDS (on), améliorant ainsi la fiabilité.

Les nouveaux appareils sont capables de gérer des courants (ID) allant jusqu’à 100 A et des valeurs RDS (on) aussi basses que 15 mΩ. Tous les appareils sont logés dans un boîtier TO-247 standard dans l’industrie.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) de 1 200 V

Des MOSFET au carbure de silicium (SiC) de 1 200 V qui tirent parti de la technologie SiC de troisième génération de la société pour accroître l’efficacité énergétique des applications industrielles haute tension.

Ils sont utilisés dans des équipements tels que les bornes de recharge pour véhicules électriques, les onduleurs photovoltaïques, les alimentations industrielles, les alimentations sans coupure (UPS) et les convertisseurs DC-DC bidirectionnels ou en demi-pont.

En améliorant le facteur de mérite de la résistance à l’état passant x charge grille-drain (RDS (on) x QGD) de plus de 80 %, la dernière technologie SiC de Toshiba améliore à la fois les performances de conduction et de commutation dans les topologies de conversion de puissance.

De plus, les nouveaux appareils contiennent la diode à barrière Schottky (SBD) intégrée innovante, éprouvée dans la génération précédente. La SBD intégrée améliore la fiabilité des MOSFET SiC en surmontant les effets parasites internes pour maintenir un RDS (on) de dispositif stable.

De plus, les produits ont une plage de tension grille-source maximale généreuse de -10 V à 25 V, ce qui améliore la flexibilité de fonctionnement dans diverses conceptions de circuits et conditions d’application. La tension grille-seuil (VGS(th)) varie de 3,0 V à 5,0 V, garantit des performances de commutation prévisibles avec une dérive minimale et permet une conception grille-pilote simple.

Les MOSFET SiC de troisième génération disponibles comprennent désormais les TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C et TW140N120C. Les appareils offrent des valeurs RDS (on) de 15 mΩ à 140 mΩ (typique, à VGS = 18 V) et des puissances drain-courant de 20 A à 100 A (DC à TC = 25°C).

Tous les appareils sont en pleine production et prêts à être commandés auprès des distributeurs, dans le bloc d’alimentation standard TO-247.

Caractéristiques électriques des MOSFET au carbure de silicium (SiC) de 650 V

TW015N65C
CaractéristiquesSymboleConditionValeurUnité
Résistance drain-source (Max)RDS(ON)|VGS| = 18 V21
Conductance d’entrée (Typ.)Ciss-4 850pF
TW027N65C
CaractéristiquesSymboleConditionValeurUnité
Résistance drain-source (Max)RDS(ON)|VGS| = 18 V37
Conductance d’entrée (Typ.)Ciss-2 288pF
TW048N65C
CaractéristiquesSymboleConditionValeurUnité
Résistance drain-source (Max)RDS(ON)|VGS| = 18 V65
Conductance d’entrée (Typ.)Ciss-1 362pF
TW083N65C
CaractéristiquesSymboleConditionValeurUnité
Résistance drain-source (Max)RDS(ON)|VGS| = 18 V113
Conductance d’entrée (Typ.)Ciss-873pF
TW107N65C
CaractéristiquesSymboleConditionValeurUnité
Résistance drain-source (Max)RDS(ON)|VGS| = 18 V145
Conductance d’entrée (Typ.)Ciss-600pF

Caractéristiques électriques des MOSFET au carbure de silicium (SiC) de 1 200 V

TW015N120C
CaractéristiquesSymboleConditionValeurUnité
Résistance drain-source (Max)RDS(ON)|VGS| = 18 V20
Conductance d’entrée (Typ.)Ciss-6 000pF
TW030N120C
CaractéristiquesSymboleConditionValeurUnité
Résistance drain-source (Max)RDS(ON)|VGS| = 18 V40
Conductance d’entrée (Typ.)Ciss-2925pF
TW045N120C
CaractéristiquesSymboleConditionValeurUnité
Résistance drain-source (Max)RDS(ON)|VGS| = 18 V59
Conductance d’entrée (Typ.)Ciss-1 969pF
TW060N120C
CaractéristiquesSymboleConditionValeurUnité
Résistance drain-source (Max)RDS(ON)|VGS| = 18 V78
Conductance d’entrée (Typ.)Ciss-1 530pF
TW140N120C
CaractéristiquesSymboleConditionValeurUnité
Résistance drain-source (Max)RDS(ON)|VGS| = 18 V182
Conductance d’entrée (Typ.)Ciss-691pF

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MOSFET au carbure de silicium (SiC) de 1 200 V

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