Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 472 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,808 € |
| 500+ | 0,592 € |
| 1000+ | 0,544 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
85,80 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD9N65M2
Code Commande2460392RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.79ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance60W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The STD9N65M2 is a MDmesh M2 N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and extremely low gate charge. This Power MOSFET is developed using the MDmesh™ M2 technology which has strip layout associated to an improved vertical structure, the device exhibits both low ON-resistance and optimized switching characteristics. Therefore it is suitable for the most demanding high efficiency converters.
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- 100% Avalanche tested
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
5A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
60W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.79ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour STD9N65M2
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00033