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Polarité transistor Tension Vds max.. Courant de drain Id Résistance Rds(on) Type de boîtier de transistor Montage transistor Tension, mesure Rds Tension de seuil Vgs Dissipation de puissance Pd Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
SISS52DN-T1-GE3
SISS52DN-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 162 A, 0.00095 ohm, PowerPAK 1212-8S, Montage en surface

3586074

MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 162 A, 0.00095 ohm, PowerPAK 1212-8S, Montage en surface

VISHAY

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Canal N 30V 162A 950µohm PowerPAK 1212-8S Montage en surface 10V 2.2V 57W 8Broche(s) 150°C TrenchFET Gen V Series -
SISS52DN-T1-GE3
SISS52DN-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 162 A, 0.00095 ohm, PowerPAK 1212-8S, Montage en surface

3586074RL

MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 162 A, 0.00095 ohm, PowerPAK 1212-8S, Montage en surface

VISHAY

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Canal N 30V 162A 950µohm PowerPAK 1212-8S Montage en surface 10V 2.2V 57W 8Broche(s) 150°C TrenchFET Gen V Series -