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AG502EGD3HRBTL
MOSFET de puissance, Canal P, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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|---|---|
| 100+ | 0,976 € |
| 500+ | 0,825 € |
| 1000+ | 0,700 € |
| 5000+ | 0,595 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantAG502EGD3HRBTL
Code Commande4633486RL
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id68A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0131ohm
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance77W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0131ohm
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Courant de drain Id
68A
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
77W
Température d'utilisation Max.
175°C
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits