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NVMFS5A140PLZWFT3G
MOSFET de puissance, Canal P, 40 V, 140 A, 4200 µohm, ÁDFN, Montage en surface
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS5A140PLZWFT3G
Code Commande3616653
Gamme de produitNVMFS5A140PLZ
Fiche technique
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS5A140PLZWFT3G
Code Commande3616653
Gamme de produitNVMFS5A140PLZ
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id140A
Résistance Drain-Source à l'état-ON4200µohm
Type de boîtier de transistorÁDFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.6V
Dissipation de puissance200W
Nbre de broches5Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitNVMFS5A140PLZ
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
140A
Type de boîtier de transistor
ÁDFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
200W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
4200µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.6V
Nbre de broches
5Broche(s)
Gamme de produit
NVMFS5A140PLZ
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits