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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ11032G
Code Commande1611191
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo120V
Dissipation de puissance Pd300W
Courant de collecteur DC50A
Boîtier de transistor RFTO-204
Nbre de broches2Broche(s)
Gain en courant DC hFE400hFE
Montage transistorTraversant
Température d'utilisation Max.200°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le MJ11032G est un transistor NPN Darlington, conçu pour être utilisé en tant que dispositifs de sortie dans des applications d'amplification polyvalentes complémentaires.
- Gain courant DC élevé
- Construction monolithique avec une résistance de shunt entre base-émetteur intégrée
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
300W
Boîtier de transistor RF
TO-204
Gain en courant DC hFE
400hFE
Température d'utilisation Max.
200°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
120V
Courant de collecteur DC
50A
Nbre de broches
2Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.013835
Traçabilité des produits