SST39VF010-70-4I-NHE

La SST39VF010-70-4I-NHE est une mémoire flash polyvalente CMOS de 1Mo fabriquée avec la technologie exclusive CMOS SuperFlash hautes performances de SST La conception de la cellule à portes divisées et l'injecteur à effet tunnel à oxyde épais atteignent une meilleure fiabilité et une meilleure fabricabilité par rapport à d'autres approches. Les composants sont conformes aux brochages standard JEDEC pour les mémoires x8. Doté d'un programme d'octets hautes performances, le composant offre une durée de programme d'octets maximale de 20µs. Ce composant utilise un bit à bascule ou une interrogation de données # pour indiquer la fin de l'opération du programme. Pour se protéger contre l'écriture par inadvertance, il dispose de schémas de protection des données matérielles et logicielles sur puce. Conçu, fabriqué et testé pour un large éventail d'applications, cet appareil est proposé avec une endurance typique garantie de 100 000 cycles. La conservation des données est évaluée à plus de 100 ans. Le composant convient aux applications qui nécessitent une mise à jour pratique et économique du programme, de la configuration ou de la mémoire de données.

• Fiabilité supérieure
• Faible consommation
• Capacité d'effacement de secteur - secteurs uniformes de 4Ko
• Temps d'accès en lecture rapide de 70ns
• Adresse et données verrouillées
• Effacement rapide et programme d'octets
• Synchronisation d'écriture automatique - génération de VPP interne
• Détection de fin d'écriture
• Compatibilité E/S CMOS

Avertissements

La demande du marché pour ce produit a entraîné un allongement des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.