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IRLR3636TRLPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
912 En Stock
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| 10+ | 0,887 € |
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| 1000+ | 0,783 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLR3636TRLPBF
Code Commande3227661
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001569134
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id99A
Résistance Drain-Source à l'état-ON6800µohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance143W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
99A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
143W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
6800µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IRLR3636TRLPBF
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003
Traçabilité des produits