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IPW60R160C6FKSA1

MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-247, Traversant

INFINEON IPW60R160C6FKSA1
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Réf. Fabricant:
IPW60R160C6FKSA1
Code Commande :
1860836
Egalement appelé:
IPW60R160C6, SP000652798
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Aperçu du produit

The IPW60R160C6 is a 600V CoolMOS™ C6 N-channel Power MOSFET features easy control of switching behaviour. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C6 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered device provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
  • Extremely low losses due to very low figure of merit (RDS (ON) x Qg and EOSS)
  • Very high commutation ruggedness
  • Easy to use
  • Better light load efficiency
  • Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
  • Better performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
  • More efficient, more compact, lighter and cooler
  • Improved power density
  • Improved reliability
  • General purpose part can be used in both soft and hard switching topologies
  • Improved efficiency in hard switching applications
  • Reduces possible ringing due to PCB layout and package parasitic effects

Applications

Industrie, Gestion d'alimentation, Energie Alternative, Electronique Grand Public, Communications et Réseaux, Automobile, Eclairage

Notes de bas de page

Pour la mise en parallèle de MOSFET, l'utilisation de billes de ferrite sur la grille ou des pôles totem séparés est généralement recommandée.

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Informations produit

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:
Canal N

:
600V

:
23.8A

:
0.14ohm

:
TO-247

:
Traversant

:
10V

:
3V

:
176W

:
3Broche(s)

:
150°C

:
-

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-

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