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IPD068P03L3GATMA1
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 2500+ | 0,396 € |
| 7500+ | 0,360 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
990,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD068P03L3GATMA1
Code Commande4318978
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id70A
Résistance Drain-Source à l'état-ON6800µohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.5V
Dissipation de puissance100W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
70A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
100W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
6800µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000495