“CoolGaN : le meilleur choix. Pourquoi ?”

Si vous connaissez Infineon comme étant le premier fournisseur de MOSFET de puissance haut de gamme, vous avez tout à fait raison !

Mais ce n'est pas tout. Pour tous ses commutateurs haute tension, Infineon propose également des circuits de commande de grille parfaitement adaptés à toutes sortes de configurations, de classes de tension, de niveaux d'isolation, de fonctions de protection et d'options de boîtiers. Ainsi, en tant que clients, vous bénéficiez d'une commutation plus rapide et d'un système aux performances globales optimisées.

Afin de développer ses circuits de commande de grille, Infineon s'est appuyé sur son expertise en matière d'applications et sur son savoir-faire technique avancé afin qu'ils soient adaptés à une multitude d'applications.

Sur le marché des SMPS haute puissance, la tendance est à une densité de puissance toujours plus élevée, c'est pourquoi des commutateurs plus rapides sont nécessaires. Il faut également contourner les difficultés rencontrées lors de la conception comme les parasites, les restrictions liées aux cartes et les éventuels problèmes thermiques. Avec ses MOSFET à superjonction CoolMOS™ (technologie au silicium) et ses nouvelles gammes CoolGaN™ (technologie au nitrure de gallium), Infineon propose des solutions permettant de contourner ces difficultés.

Faites appel à un seul expert pour plus de commodité en couplant vos achats !

Commutateurs et drivers basés sur la technologie au nitrure de gallium

HEMT e-mode CoolGaN™ 600V : efficacité et densité maximales pour les SMPS

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Avec CoolGaN™, Infineon lance une gamme de transistors à haute mobilité électronique à enrichissement GaN (HEMT e-mode) offrant des performances sur le terrain à la pointe du secteur, permettant de façonner des systèmes robustes et fiables à un coût global attractif. Les transistors CoolGaN™ reposent sur la technologie GaN, extrêmement fiable, et sont conçus sur mesure pour offrir des niveaux d'efficacité et de densité d'alimentation à découpage les plus élevés du marché. L'approche de sélection basée sur les applications s'étend au-delà de celle des autres produits GaN disponibles sur le marché.

La technologie GaN haute tension au cœur des circuits de commande de grille GaN EiceDRIVER™ : commandes de grille à isolation galvanique à un canal pour les HEMT GaN à enrichissement

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La nouvelle gamme de commutateurs CoolGaN™ Infineon est facile à utiliser grâce à une gamme de circuits de commande de grille parfaitement adaptés. Avec l'arrivée de la famille GaN EiceDRIVER™, Infineon élargit sa gamme de circuits de commande de grille à isolation galvanique à un canal. Les nouveaux composants, dont le courant de grille élevé permet une mise en marche rapide et une topologie de grille robuste, ont été développés pour optimiser les performances des HEMT GaN à enrichissement avec grille non isolée (caractéristique des entrées diodes) et une tension de seuil basse. Les drivers personnalisés n'étant plus nécessaires, le driver a été considérablement simplifié (intégration relativement facile).

Commutateurs et drivers basés sur la technologie silicium

MOSFET à superjonction CoolMOS™Kelvin Source

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Avec les MOSFET à superjonction CoolMOS™, Infineon établit une nouvelle norme en matière d'efficacité énergétique, de densité de puissance et de facilité d'utilisation, et peut se targuer d'afficher des facteurs de mérite en termes de pertes de conduction, de commutation et de pilotage.

La plus large gamme de MOSFET à superjonction à base de silicium sur le marché impressionne par sa granularité de résistance à l’état passant RDS(on) étendue, sa RDS(on)/son boîtier haut de gamme, son efficacité maximale avec un rapport prix/performances optimisé ainsi qu'un stockage d'énergie en capacité de sortie (EOSS) et une charge de grille (Qg) réduits.

MOSFET à superjonction G7 CoolMOS™ 600V et Diode Schottky G6 CoolSiC™ en boîtier Double DPAK (DDPAK)

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Équipé du MOSFET à superjonction G7 CoolMOS™ 600V et de la diode Schottky G6 CoolSiC™ 650V, tous deux disponibles en boîtier DDPAK, Infineon fournit une solution système pour les topologies à commutation dure à courant élevé telles que le PFC (correction de facteur de puissance) ainsi qu'une solution d'efficacité haut de gamme pour les topologies LLC. En combinant l'offre DDPAK avec la famille de circuits de commande de grille monocanale à côté bas d'Infineon équipés de véritables entrées différentielles (1EDN TDI), il est désormais possible de façonner des solutions système optimisées pour les conceptions à haute puissance.

Circuits non isolés de commande de grille monocanale à côté bas EiceDRIVER™ 1EDN7550 et 1EDN8550 équipés de véritables entrées différentielles

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Les nouveaux circuits non isolés à commande de grille monocanale à côté bas EiceDRIVER™ 1EDN7550 et 1EDN8550 sont équipés de véritables entrées différentielles. Par conséquent, ils sont parfaitement adaptés aux SMPS présentant des difficultés de déplacement à la terre. Leurs entrées de signaux de commande ne dépendent pas du potentiel de terre. Seule la différence de tension entre les contacts d'entrée est importante. Ceci permet d'éviter le déclenchement intempestif des MOSFET de puissance.