Offrir des performances optimales fiables et rentables

Les mégatendances telles que la numérisation, l’urbanisation et l’électromobilité entraînent une augmentation de la consommation d’énergie, mettant l’accent sur l’efficacité énergétique. Infineon répond en proposant des solutions système complètes à partir d’une seule source. Il s’appuie non plus uniquement sur sa technologie de silicium renommée, mais également sur des dispositifs innovants à large bande tels que les MOSFET CoolSiC™ à base de SiC.

La technologie de MOSFET CoolSiC™ d’Infineon exploite les solides caractéristiques physiques du carbure de silicium (SiC), telles que la capacité de fonctionnement à des tensions, des températures et des fréquences plus élevées. En ajoutant des fonctionnalités uniques, Infineon parvient à augmenter davantage les performances des appareils. En appliquant la technologie supérieure TRENCH d’Infineon, l’utilisation des MOSFET CoolSiC™ garantit les pertes les plus faibles dans l’application et la plus grande fiabilité de fonctionnement.

Les MOSFET CoolSiC™ conviennent aux opérations à haute température et dans des environnements difficiles. En conséquence, un déploiement du système simplifié, rentable et de la plus haute efficacité est possible dans une large gamme d’applications.

Avantages dans l’application

Système d’alimentation sans interruption (UPS)

Prend en charge une efficacité maximale en fonctionnement 24 h/24 et 7 j/7, et réduit les pertes d’énergie de 50 %

Alimentation pour serveur

Économies d’OPEX grâce à une efficacité énergétique accrue avec jusqu’à 30 % de pertes en moins

Chargeurs rapides pour véhicules électriques

Les véhicules électriques se rechargent 2 fois plus vite

Stockage d’énergie

Pertes réduites de 50 % pour plus d’énergie

Alimentation pour télécommunications

Conception simplifiée et adaptation aux environnements 5G difficiles

Inverseurs solaires

La puissance de l’onduleur est doublée avec le même poids d’onduleur

NOUVELLE variante de boîtier : MOSFET CoolSiC™ 650 V avec D2PAK à 7 broches

  • Comportement de commutation optimisé à des courants plus élevés
  • Diode à corps rapide robuste à commutation avec faible Qrr
  • Fiabilité supérieure de l’oxyde de grille
  • Jj,max = 175 °C et excellent comportement thermique
  • R DS (on) inférieur et dépendance du courant d’impulsion à la température
  • Capacité d’avalanche améliorée
  • Compatible avec les pilotes standards (tension de pilotage recommandée : 0 V-18 V)
  • La source Kelvin fournit jusqu’à 4 fois moins de pertes de commutation

MOSFET CoolSiC 650 V

Le CoolSiC™ 650 V est construit sur la technologie de carbure de silicium monobloc développée par Infineon depuis plus de 20 ans. Tirant parti des caractéristiques du matériau SiC à large bande, le MOSFET CoolSiC™ 650 V offre une combinaison unique de performances, de fiabilité et de facilité d’utilisation. Adapté aux températures élevées et aux opérations difficiles, il permet un déploiement simplifié et rentable des systèmes en offrant la plus haute efficacité.

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MOSFET de puissance CoolSiC™

Référence fabricantSpécificationsBoîtierAcheter dès maintenant
IMBG65R022M1HMOSFET CoolSiC™ de tranchée à base de SiC 650 V, 22 mΩTO-263-7Buy now
IMBG65R030M1HMOSFET CoolSiC™ de tranchée à base de SiC 650 V, 30 mΩTO-263-7Buy now
IMBG65R039M1HMOSFET CoolSiC™ de tranchée à base de SiC 650 V, 39 mΩTO-263-7Buy now
IMBG65R048M1HMOSFET CoolSiC™ de tranchée à base de SiC 650 V, 48 mΩTO-263-7Buy now
IMBG65R057M1HMOSFET CoolSiC™ de tranchée à base de SiC 650 V, 57 mΩTO-263-7Buy now
IMBG65R072M1HMOSFET CoolSiC™ de tranchée à base de SiC 650 V, 72 mΩTO-263-7Buy now
IMBG65R083M1HMOSFET CoolSiC™ de tranchée à base de SiC 650 V, 83 mΩTO-263-7Buy now
IMBG65R107M1HMOSFET CoolSiC™ de tranchée à base de SiC 650 V, 107 mΩTO-263-7Buy now
IMBG65R163M1HMOSFET CoolSiC™ de tranchée à base de SiC 650 V, 163 mΩTO-263-7Buy now
IMBG65R260M1HMOSFET CoolSiC™ de tranchée à base de SiC 650 V, 260 mΩTO-263-7Buy now
IMW65R048M1HMOSFET CoolSiC™ de tranchée à base de SiC 650 V, 48 mΩTO-247-3Buy now
IMW65R027M1HMOSFET CoolSiC™ de tranchée à base de SiC 650 V, 27 mΩTO-247-3Buy now
IMZA65R027M1HMOSFET CoolSiC™ de tranchée à base de SiC 650 V, 27 mΩTO-247-4Buy now
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EiceDRIVER™ 1EDN TDI

Relevez les défis de déplacement au sol dans votre conception avec les circuits intégrés à pilote de grille EiceDRIVER™ monocanaux non isolés d’Infineon, avec des entrées véritablement différentielles. Complète parfaitement les MOSFET CoolSiC™.

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EiceDRIVER™ 2EDi

DSO 150 mil 16 broches La famille de produits isolés à double canal EiceDRIVER™ 2EDi est conçue pour un fonctionnement robuste dans les demi-ponts MOSFET CoolMOS™, CoolSiC™ et OptiMOS™ hautes performances.

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Circuits intégrés à pilote de grille pour MOSFET CoolSiC™

Référence fabricantSpécificationsBoîtierAcheter dès maintenant
2EDF9275FCircuit intégré à pilote de grille à deux canaux avec isolation entrée-sortie fonctionnelle, UVLO 13 VNB-DSO16 10 mm x 6 mmAcheter dès maintenant
1EDB9275FCircuit intégré à pilote de grille isolé à canal unique avec isolation entrée-sortie fonctionnelle, UVLO 14,4 VPG-DSO 8Acheter dès maintenant
1EDN7550BPilote de grille à canal unique non isolé avec entrées véritablement différentiellesSOT-23Acheter dès maintenant
2EDS9265HCircuit intégré à pilote de grille à deux canaux avec isolation entrée-sortie renforcée, UVLO 13 VWB-DSO16 10,3 mm x 10,3 mmAcheter dès maintenant

EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC

Unité PFC à mât totémique bidirectionnel CCM de 3300W utilisant CoolSiC™ 650 V, 600 V CoolMOS™ C7 et commande numérique avec XMC™

Cette carte d’évaluation est une solution système pour un correcteur de facteur de puissance (PFC) totem-pole sans pont avec capacité de puissance bidirectionnelle. La carte d’évaluation EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC s’adresse aux applications qui nécessitent un rendement élevé (~ 99 %) et une densité de puissance élevée (72 W/po3) tels que les serveurs haut de gamme et les télécommunications. De plus, la capacité de flux de puissance bidirectionnel permet à cette conception d’être utilisée dans des chargeurs de batterie ou des applications de formation de batterie.

Principales caractéristiques

  • PFC totémique sans pont à haute efficacité
  • Haute densité d’énergie
  • Activé par MOSFET CoolSiC™ 650 V
  • Commande numérique avec XMC1404
  • Capacité bidirectionnelle (fonctionnement DC-AC)

Avantages

  • Efficacité jusqu’à 99 %
  • Facteur de forme compact (72W/po3)
  • Faible nombre de composants
  • Fonctionnement bidirectionnel (commande numérique)

Applications potentielles

  • Systèmes de stockage d’énergie
  • Formation de batterie
  • Mise en charge
  • Charge des véhicules électriques
  • Électromobilité
  • Puissance industrielle
  • Alimentation (SMPS)
  • Robotique - véhicules guidés automatisés
  • Télécommunication

EVAL_3KW_50V_PSU

Solution SMPS 3 kW ciblant les spécifications du redresseur Open Compute V3

Cette conception introduit une solution système complète d’Infineon pour une unité d’alimentation (PSU) de 3 kW ciblant les spécifications du redresseur OCP V3 pour les serveurs et les centres de données. Le PSU comprend un convertisseur de totem-pole sans pont AC-DC avant suivi d’un convertisseur LLC à demi-pont isolé DC-DC arrière. Le convertisseur totem-pole avant fournit une correction du facteur de puissance (PFC) et une distorsion harmonique totale (THD). Le convertisseur LLC fournit une isolation de sécurité et une tension de sortie étroitement régulée. 

Principales caractéristiques

  • Alimentation complète ciblant les spécifications du redresseur Open Compute V3
  • Efficacité de crête très élevée
  • PFC totem-pole sans pont avec CoolSiC™
  • LLC demi-pont avec CoolMOS™ et OptiMOS™
  • Contrôle numérique complet avec microcontrôleurs XMCTM

Avantages

  • Facteur de forme du redresseur Open Compute V3 (PSU) (dimensions hors tout)
  • 95 % de rendement maximal (ventilateur non inclus) à 230 VAC
  • Très haute efficacité combinant CoolSiC™, CoolMOS™ et OptiMOS™
  • Temps de maintien de 20 ms à pleine charge
  • Pré-conformité CEM classe B testée

Applications potentielles

  • Serveurs et centres de données