Restez compétitif, réduisez les coûts avec les MOSFET et diodes CoolSiC d’Infineon

Les solutions CoolSiC d’Infineon maximisent votre avantage concurrentiel en réduisant les coûts, en surmontant les défis de conception et en augmentant la fiabilité des performances.

Avec 30 ans d’expérience dans le développement de technologies de carbure de silicium (SiC), la gamme Infineon répond aux besoins des clients pour une production, une transmission et une consommation d’énergie plus intelligentes et plus efficaces.

Infineon fournit les principales technologies d’alimentation : silicium (Si), SiC, nitrure de gallium (GaN) et GaN-on-Si. C’est un pionnier dans l’utilisation commerciale de la technologie SiC. Son portefeuille comprend les diodes Schottky CoolSiC, les appareils hybrides CoolSiC, les modules MOSFET et composants discrets CoolSiC, ainsi que des circuits intégrés de pilote de grille EiceDRIVER™ pour l’entraînement des dispositifs SiC.

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CoolSiC par application

L’énergie propre, l’efficacité énergétique et la mobilité électrique stimulent la demande de nouvelles solutions de semi-conducteurs de puissance. Le SiC pourrait être une réponse à certains de ces défis en fournissant plus d’énergie à partir de ressources propres.

La plupart des applications qui nous entourent aujourd’hui sont basées sur le silicium (Si). Mais ces applications nécessitent des progrès en termes d’efficacité, de densité de puissance et de nouvelles façons de surmonter les limitations de performances du silicium. La technologie SiC a atteint le point de basculement. Aujourd’hui, les concepteurs qui cherchent à rester compétitifs et à réduire les coûts des systèmes à long terme se tournent vers les technologies à base de SiC.

Parmi les applications les plus populaires, on trouve :

Charge de véhicule électrique (VE)

Les MOSFET CoolSiC™ réduisent de moitié le temps de charge avec la même station de charge et la même empreinte. Un MOSFET SiC 1 200 V est suffisant pour supporter une tension de circuit intermédiaire de 800 V.

Doubler la densité de puissance permet de réduire de 50 % le nombre de composants d’une solution Si comparable grâce à une tension doublée dans les positions de commutation.

Systèmes de stockage d’énergie (SSE)

Les MOSFET CoolSiC™ 650 V et 1 200 V réduisent les pertes de 50 % pour plus d’énergie.

Étant donné que le banc de batteries représente la majeure partie des coûts totaux du système pour les systèmes de stockage d’énergie, le passage du MOSFET à super-jonction en silicone au MOSFET CoolSiCTM peut conduire à environ 2 % d’énergie supplémentaire sans augmenter la taille de la batterie.

Entraînements industriels

Le MOSFET CoolSiC™ alimente la prochaine génération de conception de servomoteurs.

Une réduction des pertes atteignant jusqu’à 80 % par rapport à la solution IGBT Si est possible grâce au comportement résistif du MOSFET SiC et le profil de charge des servos est parfaitement adapté.

Alimentation à découpage (SMPS) pour l’industrie

CoolSiC, CoolMOS et EiceDRIVER pour des conceptions SMPS économes en énergie se combinent dans des applications industrielles telles que les centres de données de télécommunications.

Les SMPS industriels sont davantage utilisés en raison des tendances liées à l’amélioration de l’efficacité énergétique, la densité de puissance élevée et la puissance de sortie toujours plus grande. Les matériaux à large bande permettent de passer à des topologies hautes performances.

Groupe motopropulseur automobile

Les applications automobiles sont de taille limitée pour offrir plus de confort en cabine et de flexibilité de conception.

Les MOSFET CoolSiC 1 200 V mis en œuvre dans les transmissions électriques permettent une réduction de la taille du système jusqu’à 80 % grâce à une densité de puissance plus élevée, un effort de refroidissement moindre et moins de composants passifs.

Article technologique et webinaire consacrés à CoolSiC™ de la communauté e14

Créée en 2009, la communauté element14 est unique dans l’industrie électronique et fournit un forum pour les ingénieurs, les makers, les éducateurs et les étudiants pour partager des idées et s’inspirer.

La communauté e14 est un centre impartial d’informations et de critiques de produits. Explorez l’article technologique et le webinaire consacrés au MOSFET CoolSiC.

Webinaire : MOSFET CoolSiC : Prochainement !

Cette plateforme interactive permet des discussions de groupe, l’intervention de conférenciers à plusieurs emplacements et une démonstration de produit en direct du MOSFET CoolSiC. Regardez en direct ou à la demande.

Des cartes pour toutes les exigences

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Kit d’évaluation d’entrée de gamme – pour tester les fonctionnalités du SiC. Les MOSFET SiC 650 V et 1 200 V sont inclus. Ils doivent être soudés à la carte en fonction du cas d’utilisation.

Carte multi-usage (pour mesurer les performances des produits).

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EVALPSSICDPMAINTOBO1

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Plateforme d’évaluation MOSFET CoolSiC™ 1 200 V – Carte mère – destinée à évaluer le comportement de commutation du MOSFET pour une tension maximale de 800 V et un courant pulsé maximal de 130 A.

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EVAL1ED3491MX12MTOBO1

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La carte d’évaluation EVAL1ED3491MX12M démontre les fonctionnalités, les possibilités de réglage et les caractéristiques des circuits intégrés de commande de grille analogique EiceDRIVER™ 1ED-X3.

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REFPSSICDP1TOBO1

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Les modules SiC contiennent des MOSFET SiC et des diodes SiC. Les modules boost sont utilisés dans les étages DC-DC des onduleurs solaires. Ces modules utilisent des MOSFET SiC et des diodes SiC avec des tensions nominales de 1 200 V.

Les modules hybrides Si/SiC contiennent des IGBT, des diodes au silicium et des diodes SiC. Ils sont utilisés dans les étages DC-AC des onduleurs solaires, des systèmes de stockage d’énergie et des alimentations sans interruption.

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REFPSSICDP2TOBO1

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Carte de référence pour le MOSFET CoolSiC™ 1 200 V – carte fille – plateforme d’évaluation TO -247 3/4 broches permettant une alimentation bipolaire, où VCC2 est +15 V et GND2 est négatif.

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EVALPSE1BF12SICTOBO1

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Carte d’évaluation conçue comme convertisseur buck-boost bidirectionnel pour les mesures à double impulsion ainsi que les tests fonctionnels.

Objectif de l’application : Objectif de l’application : Solaire, UPS.

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EVALM1IM828ATOBO1
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EVALM1IM828ATOBO1 est une carte d’évaluation pour CIPOS™ Maxi avec SiC IPM 1 200 V IM828-XCC.

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EVALM5IMZ120RSICTOBO1
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Une carte d’évaluation complète comprenant six MOSFET CoolSiC™ discrets réalisant un onduleur B6 pour les applications d’entraînement de moteur.

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Une alimentation auxiliaire de 62,5 W pour convertisseur de puissance triphasé utilisant un MOSFET CoolSiC™ 1 700 V dans une topologie flyback asymétrique.

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REF-DAB11KIZSICSYS est une carte de conversion DC/DC résonante CLLC capable de fournir jusqu’à 11 kW à une tension de sortie de 800 V.

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Comprend : des livres blancs, des brochures et des guides d’application, des micro-apprentissages et des guides de produits

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