ON SEMICONDUCTOR Semiconducteurs - Composants discrets

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Polarité transistor Courant de drain Id Tension Vds max.. Résistance Rds(on) Tension, mesure Rds Tension de seuil Vgs Dissipation de puissance Pd Type de boîtier de transistor Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
FCD4N60TM
FCD4N60TM - Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

1324776

ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

Polarité transistor Canal N
Courant de drain Id 3.9A
Tension Vds max.. 600V

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ON SEMICONDUCTOR 

Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

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9 135 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

14 856 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 31/08/19
  • 5 000 sera/seront disponible(s) le 06/04/19
  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 26/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/12/19

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 3.9A
    Tension Vds max.. 600V
    Résistance Rds(on) 1ohm
    Tension, mesure Rds 10V
    Tension de seuil Vgs 5V
    Dissipation de puissance Pd 50W
    Type de boîtier de transistor TO-252
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    23 991

    5+ 1,06 € Prix pour 25+ 0,962 € Prix pour 100+ 0,735 € Prix pour 250+ 0,693 € Prix pour 500+ 0,651 € Prix pour 1000+ 0,455 € Prix pour 5000+ 0,446 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1324776
    1324776RL en Mise en bobine

    5+ 1,06 € 25+ 0,962 € 100+ 0,735 € 250+ 0,693 € 500+ 0,651 € 1000+ 0,455 € 5000+ 0,446 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    Canal N 3.9A 600V 1ohm 10V 5V 50W TO-252 3Broche(s) 150°C - -
    NGTB45N60S1WG
    NGTB45N60S1WG - Transistor simple IGBT, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Broche(s)

    2492860

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple IGBT, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Broche(s)

    Dissipation de puissance Pd 300W
    Type de boîtier de transistor TO-247
    Nombre de broches 3Broche(s)

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple IGBT, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Broche(s)

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    1 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 02/03/20

    Polarité transistor -
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd 300W
    Type de boîtier de transistor TO-247
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    1

    1+ 3,86 € Prix pour 10+ 2,93 € Prix pour 100+ 2,54 € Prix pour

    Pièce

    1+ 3,86 € 10+ 2,93 € 100+ 2,54 €

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    - - - - - - 300W TO-247 3Broche(s) 175°C - -
    HGTG27N120BN
    HGTG27N120BN - Transistor simple IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

    1470994

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

    Dissipation de puissance Pd 500W
    Type de boîtier de transistor TO-247
    Nombre de broches 3Broche(s)

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

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    21 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    683 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 10/06/19

    Polarité transistor -
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd 500W
    Type de boîtier de transistor TO-247
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    704

    1+ 6,56 € Prix pour 10+ 4,83 € Prix pour 100+ 4,30 € Prix pour 250+ 3,76 € Prix pour 500+ 3,38 € Prix pour 1000+ 2,84 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 6,56 € 10+ 4,83 € 100+ 4,30 € 250+ 3,76 € 500+ 3,38 € 1000+ 2,84 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    - - - - - - 500W TO-247 3Broche(s) 150°C - -
    FCD4N60TM
    FCD4N60TM - Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    1324776RL

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 3.9A
    Tension Vds max.. 600V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

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    9 135 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    14 856 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 31/08/19
  • 5 000 sera/seront disponible(s) le 06/04/19
  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 26/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/12/19

    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 3.9A
    Tension Vds max.. 600V
    Résistance Rds(on) 1ohm
    Tension, mesure Rds 10V
    Tension de seuil Vgs 5V
    Dissipation de puissance Pd 50W
    Type de boîtier de transistor TO-252
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    23 991

    10+ 1,06 € Prix pour 25+ 0,962 € Prix pour 100+ 0,735 € Prix pour 250+ 0,693 € Prix pour 500+ 0,651 € Prix pour 1000+ 0,455 € Prix pour 5000+ 0,446 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Mise en bobine
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1324776RL
    1324776 en Bandes découpées
    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

    5+ 1,06 € 25+ 0,962 € 100+ 0,735 € 250+ 0,693 € 500+ 0,651 € 1000+ 0,455 € 5000+ 0,446 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 10 Mult: 5
    Canal N 3.9A 600V 1ohm 10V 5V 50W TO-252 3Broche(s) 150°C - -
    BZX84C3V3LT1G
    BZX84C3V3LT1G - Diode simple Zener, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 Broche(s), 150 °C

    1651583

    ON SEMICONDUCTOR - Diode simple Zener, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 Broche(s), 150 °C

    Dissipation de puissance Pd 225mW
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode simple Zener, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 Broche(s), 150 °C

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    219 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    37 253 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 18 000 sera/seront disponible(s) le 27/11/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/12/19

    Polarité transistor -
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd 225mW
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit BZX84CxxxLT1G Series
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    37 472

    5+ 0,124 € Prix pour 50+ 0,119 € Prix pour 100+ 0,0428 € Prix pour 500+ 0,0263 € Prix pour 1500+ 0,0253 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1651583
    1651583RL en Mise en bobine
    2317764 en Bobine

    5+ 0,124 € 50+ 0,119 € 100+ 0,0428 € 500+ 0,0263 € 1500+ 0,0253 €

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 225mW - 3Broche(s) 150°C BZX84CxxxLT1G Series AEC-Q101
    MMBD4148SE
    MMBD4148SE - Diode signaux faibles, Série double, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

    1467563

    ON SEMICONDUCTOR - Diode signaux faibles, Série double, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit MMBD4 Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode signaux faibles, Série double, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    18 571 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    5 880 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 18 000 sera/seront disponible(s) le 14/07/19
  • 9 000 sera/seront disponible(s) le 31/08/19
  • 9 000 sera/seront disponible(s) le 19/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/12/19

    Polarité transistor -
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit MMBD4 Series
    Normes Qualification Automobile -

    24 451

    5+ 0,212 € Prix pour 25+ 0,207 € Prix pour 100+ 0,0845 € Prix pour 250+ 0,078 € Prix pour 500+ 0,0599 € Prix pour 1000+ 0,0416 € Prix pour 5000+ 0,0366 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1467563
    1467563RL en Mise en bobine

    5+ 0,212 € 25+ 0,207 € 100+ 0,0845 € 250+ 0,078 € 500+ 0,0599 € 1000+ 0,0416 € 5000+ 0,0366 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 3Broche(s) 150°C MMBD4 Series -
    MRA4007T3G
    MRA4007T3G - Diode de récupération standard, 1 kV, 1 A, Une, 1.1 V, 30 A

    1459137

    ON SEMICONDUCTOR - Diode de récupération standard, 1 kV, 1 A, Une, 1.1 V, 30 A

    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit MRA40 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode de récupération standard, 1 kV, 1 A, Une, 1.1 V, 30 A

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    14 584 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    7 515 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 25 000 sera/seront disponible(s) le 05/06/19
  • 35 000 sera/seront disponible(s) le 19/06/19
  • 20 000 sera/seront disponible(s) le 14/08/19
  • 25 000 sera/seront disponible(s) le 05/09/19
  • 25 000 sera/seront disponible(s) le 16/10/19
  • 24 000 sera/seront disponible(s) le 12/09/19
  • 15 000 sera/seront disponible(s) le 04/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 21/10/19

    Polarité transistor -
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit MRA40 Series
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    22 099

    5+ 0,196 € Prix pour 50+ 0,0799 € Prix pour 250+ 0,0714 € Prix pour 1000+ 0,049 € Prix pour 2500+ 0,0408 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1459137
    1459137RL en Mise en bobine
    2441565 en Bobine

    5+ 0,196 € 50+ 0,0799 € 250+ 0,0714 € 1000+ 0,049 € 2500+ 0,0408 €

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 2Broche(s) 175°C MRA40 Series AEC-Q101
    HGTG40N60B3
    HGTG40N60B3 - Transistor simple IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Broche(s)

    1470995

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Broche(s)

    Dissipation de puissance Pd 290W
    Type de boîtier de transistor TO-247
    Nombre de broches 3Broche(s)

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Broche(s)

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    3 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    259 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 13/05/19

    Polarité transistor -
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd 290W
    Type de boîtier de transistor TO-247
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    262

    1+ 10,88 € Prix pour 5+ 10,27 € Prix pour 10+ 9,06 € Prix pour 50+ 8,52 € Prix pour 100+ 7,98 € Prix pour 250+ 7,10 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 10,88 € 5+ 10,27 € 10+ 9,06 € 50+ 8,52 € 100+ 7,98 € 250+ 7,10 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    - - - - - - 290W TO-247 3Broche(s) 150°C - -
    MJ11032G
    MJ11032G - Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, 18000 hFE

    1611191

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, 18000 hFE

    Polarité transistor NPN
    Dissipation de puissance Pd 300W
    Type de boîtier de transistor TO-204

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, 18000 hFE

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    25 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    84 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 100 sera/seront disponible(s) le 03/07/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 29/07/19

    Polarité transistor NPN
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd 300W
    Type de boîtier de transistor TO-204
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 200°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    109

    1+ 10,64 € Prix pour 5+ 10,02 € Prix pour 10+ 8,83 € Prix pour 50+ 8,57 € Prix pour 100+ 8,30 € Prix pour 250+ 8,07 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 10,64 € 5+ 10,02 € 10+ 8,83 € 50+ 8,57 € 100+ 8,30 € 250+ 8,07 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    NPN - - - - - 300W TO-204 2Broche(s) 200°C - -
    FCD5N60TM
    FCD5N60TM - Transistor MOSFET, Canal N, 4.6 A, 650 V, 0.95 ohm, 10 V, 5 V

    1324777

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 4.6 A, 650 V, 0.95 ohm, 10 V, 5 V

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 4.6A
    Tension Vds max.. 650V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 4.6 A, 650 V, 0.95 ohm, 10 V, 5 V

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    4 893 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/12/19

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 4.6A
    Tension Vds max.. 650V
    Résistance Rds(on) 0.95ohm
    Tension, mesure Rds 10V
    Tension de seuil Vgs 5V
    Dissipation de puissance Pd 54W
    Type de boîtier de transistor TO-252
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    4 893

    5+ 1,11 € Prix pour 25+ 0,96 € Prix pour 100+ 0,734 € Prix pour 250+ 0,693 € Prix pour 500+ 0,65 € Prix pour 1000+ 0,512 € Prix pour 5000+ 0,502 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1324777
    1324777RL en Mise en bobine

    5+ 1,11 € 25+ 0,96 € 100+ 0,734 € 250+ 0,693 € 500+ 0,65 € 1000+ 0,512 € 5000+ 0,502 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    Canal N 4.6A 650V 0.95ohm 10V 5V 54W TO-252 3Broche(s) 150°C - -
    NTJD4001NT1G
    NTJD4001NT1G - MOSFET double, Double canal N, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4 V, 1.2 V

    1704019

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET double, Double canal N, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4 V, 1.2 V

    Polarité transistor Double canal N
    Courant de drain Id 250mA
    Tension Vds max.. 30V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET double, Double canal N, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4 V, 1.2 V

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    2 535 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    13 196 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/09/19

    Polarité transistor Double canal N
    Courant de drain Id 250mA
    Tension Vds max.. 30V
    Résistance Rds(on) 1ohm
    Tension, mesure Rds 4V
    Tension de seuil Vgs 1.2V
    Dissipation de puissance Pd 272mW
    Type de boîtier de transistor SOT-363
    Nombre de broches 6Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    15 731

    5+ 0,31 € Prix pour 25+ 0,298 € Prix pour 100+ 0,122 € Prix pour 250+ 0,116 € Prix pour 500+ 0,092 € Prix pour 1000+ 0,0676 € Prix pour 5000+ 0,0572 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 0,31 € 25+ 0,298 € 100+ 0,122 € 250+ 0,116 € 500+ 0,092 € 1000+ 0,0676 € 5000+ 0,0572 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    Double canal N 250mA 30V 1ohm 4V 1.2V 272mW SOT-363 6Broche(s) 150°C - -
    MJE13007G
    MJE13007G - Transistor simple bipolaire (BJT), À usage général, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE

    9557857

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple bipolaire (BJT), À usage général, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE

    Polarité transistor NPN
    Dissipation de puissance Pd 80W
    Type de boîtier de transistor TO-220

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple bipolaire (BJT), À usage général, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE

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    135 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    2 589 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 05/08/19

    Polarité transistor NPN
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd 80W
    Type de boîtier de transistor TO-220
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    2 724

    5+ 0,883 € Prix pour 25+ 0,793 € Prix pour 100+ 0,608 € Prix pour 250+ 0,573 € Prix pour 500+ 0,538 € Prix pour 1000+ 0,425 € Prix pour 5000+ 0,417 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 0,883 € 25+ 0,793 € 100+ 0,608 € 250+ 0,573 € 500+ 0,538 € 1000+ 0,425 € 5000+ 0,417 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    NPN - - - - - 80W TO-220 3Broche(s) 150°C - -
    1N5343BRLG
    1N5343BRLG - Diode simple Zener, 7.5 V, 5 W, Axial à broche, 5 %, 2 Broche(s), 200 °C

    2844764

    ON SEMICONDUCTOR - Diode simple Zener, 7.5 V, 5 W, Axial à broche, 5 %, 2 Broche(s), 200 °C

    Dissipation de puissance Pd 5W
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 200°C

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode simple Zener, 7.5 V, 5 W, Axial à broche, 5 %, 2 Broche(s), 200 °C

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    1 450 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    5 530 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 02/09/19

    Polarité transistor -
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd 5W
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 200°C
    Gamme de produit Surmetic 1N53 Series
    Normes Qualification Automobile -

    6 980

    5+ 0,346 € Prix pour 25+ 0,329 € Prix pour 100+ 0,166 € Prix pour 250+ 0,165 € Prix pour 500+ 0,136 € Prix pour 1000+ 0,107 € Prix pour 5000+ 0,10 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 0,346 € 25+ 0,329 € 100+ 0,166 € 250+ 0,165 € 500+ 0,136 € 1000+ 0,107 € 5000+ 0,10 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 5W - 2Broche(s) 200°C Surmetic 1N53 Series -
    ES3B
    ES3B - Diode Fast / U, 100 V, 3 A, Une, 950 mV, 20 ns, 100 A

    1467492

    ON SEMICONDUCTOR - Diode Fast / U, 100 V, 3 A, Une, 950 mV, 20 ns, 100 A

    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit ES3B Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode Fast / U, 100 V, 3 A, Une, 950 mV, 20 ns, 100 A

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    1 785 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    580 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 29/05/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 05/08/19

    Polarité transistor -
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches -
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit ES3B Series
    Normes Qualification Automobile -

    2 365

    5+ 0,35 € Prix pour 25+ 0,334 € Prix pour 100+ 0,188 € Prix pour 250+ 0,166 € Prix pour 500+ 0,145 € Prix pour 1000+ 0,123 € Prix pour 5000+ 0,121 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1467492
    1467492RL en Mise en bobine

    5+ 0,35 € 25+ 0,334 € 100+ 0,188 € 250+ 0,166 € 500+ 0,145 € 1000+ 0,123 € 5000+ 0,121 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - - 150°C ES3B Series -
    SZMM3Z10VST1G
    SZMM3Z10VST1G - Diode simple Zener, 10 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 Broche(s), 150 °C

    2728104

    ON SEMICONDUCTOR - Diode simple Zener, 10 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 Broche(s), 150 °C

    Dissipation de puissance Pd 300mW
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode simple Zener, 10 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 Broche(s), 150 °C

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    11 940 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 02/03/20

    Polarité transistor -
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd 300mW
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit SZMM3ZxxxST1G Series
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    11 940

    5+ 0,269 € Prix pour 25+ 0,259 € Prix pour 100+ 0,108 € Prix pour 250+ 0,102 € Prix pour 500+ 0,0808 € Prix pour 1000+ 0,0595 € Prix pour 5000+ 0,0531 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2728104
    2728104RL en Mise en bobine

    5+ 0,269 € 25+ 0,259 € 100+ 0,108 € 250+ 0,102 € 500+ 0,0808 € 1000+ 0,0595 € 5000+ 0,0531 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 300mW - 2Broche(s) 150°C SZMM3ZxxxST1G Series AEC-Q101
    1N5404RL
    1N5404RL - Diode de récupération standard, 400 V, 3 A, Une, 1 V, 200 A

    9556141

    ON SEMICONDUCTOR - Diode de récupération standard, 400 V, 3 A, Une, 1 V, 200 A

    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit 1N5400 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode de récupération standard, 400 V, 3 A, Une, 1 V, 200 A

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    250 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    1 153 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 3 600 sera/seront disponible(s) le 06/04/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 20/05/19

    Polarité transistor -
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit 1N5400 Series
    Normes Qualification Automobile -

    1 403

    5+ 0,292 € Prix pour 25+ 0,281 € Prix pour 100+ 0,122 € Prix pour 250+ 0,117 € Prix pour 500+ 0,0973 € Prix pour 1000+ 0,0775 € Prix pour 5000+ 0,0663 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 0,292 € 25+ 0,281 € 100+ 0,122 € 250+ 0,117 € 500+ 0,0973 € 1000+ 0,0775 € 5000+ 0,0663 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 2Broche(s) 150°C 1N5400 Series -
    SFT1443-TL-W
    SFT1443-TL-W - Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 100 V, 0.18 ohm, 10 V, 2.6 V

    2724442RL

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 100 V, 0.18 ohm, 10 V, 2.6 V

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 9A
    Tension Vds max.. 100V

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 100 V, 0.18 ohm, 10 V, 2.6 V

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    80 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    625 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 07/10/19

    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 9A
    Tension Vds max.. 100V
    Résistance Rds(on) 0.18ohm
    Tension, mesure Rds 10V
    Tension de seuil Vgs 2.6V
    Dissipation de puissance Pd 19W
    Type de boîtier de transistor TO-252
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    705

    10+ 0,901 € Prix pour 25+ 0,809 € Prix pour 100+ 0,624 € Prix pour 250+ 0,536 € Prix pour 500+ 0,448 € Prix pour 1000+ 0,269 € Prix pour 5000+ 0,265 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Mise en bobine
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2724442RL
    2724442 en Bandes découpées
    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

    5+ 0,901 € 25+ 0,809 € 100+ 0,624 € 250+ 0,536 € 500+ 0,448 € 1000+ 0,269 € 5000+ 0,265 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 10 Mult: 5
    Canal N 9A 100V 0.18ohm 10V 2.6V 19W TO-252 3Broche(s) 150°C - -
    ES1J
    ES1J - Diode Fast / U, 600 V, 1 A, Une, 1.7 V, 35 ns, 30 A

    1498951

    ON SEMICONDUCTOR - Diode Fast / U, 600 V, 1 A, Une, 1.7 V, 35 ns, 30 A

    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit ES1J Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode Fast / U, 600 V, 1 A, Une, 1.7 V, 35 ns, 30 A

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    3 439 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    57 496 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 17/06/19

    Polarité transistor -
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches -
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit ES1J Series
    Normes Qualification Automobile -

    60 935

    5+ 0,274 € Prix pour 50+ 0,114 € Prix pour 250+ 0,103 € Prix pour 1000+ 0,0596 € Prix pour 3000+ 0,0566 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1498951
    1498951RL en Mise en bobine
    2323107 en Bobine

    5+ 0,274 € 50+ 0,114 € 250+ 0,103 € 1000+ 0,0596 € 3000+ 0,0566 €

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - - 150°C ES1J Series -
    BSS123LT1G
    BSS123LT1G - Transistor MOSFET, Canal N, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 VDC, 800 mV

    9558640

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 VDC, 800 mV

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 170mA
    Tension Vds max.. 100V

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 VDC, 800 mV

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    5 615 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    36 928 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 15 000 sera/seront disponible(s) le 03/07/19
  • 33 000 sera/seront disponible(s) le 31/07/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 12/08/19

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 170mA
    Tension Vds max.. 100V
    Résistance Rds(on) 6ohm
    Tension, mesure Rds 10VDC
    Tension de seuil Vgs 800mV
    Dissipation de puissance Pd 225mW
    Type de boîtier de transistor SOT-23
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    42 543

    5+ 0,183 € Prix pour 50+ 0,172 € Prix pour 100+ 0,0727 € Prix pour 500+ 0,0455 € Prix pour 1500+ 0,041 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :9558640
    9558640RL en Mise en bobine
    2317884 en Bobine

    5+ 0,183 € 50+ 0,172 € 100+ 0,0727 € 500+ 0,0455 € 1500+ 0,041 €

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    Canal N 170mA 100V 6ohm 10VDC 800mV 225mW SOT-23 3Broche(s) 150°C - -
    FCD5N60TM
    FCD5N60TM - Transistor MOSFET, Canal N, 4.6 A, 650 V, 0.95 ohm, 10 V, 5 V

    1324777RL

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 4.6 A, 650 V, 0.95 ohm, 10 V, 5 V

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 4.6A
    Tension Vds max.. 650V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 4.6 A, 650 V, 0.95 ohm, 10 V, 5 V

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    4 893 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/12/19

    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 4.6A
    Tension Vds max.. 650V
    Résistance Rds(on) 0.95ohm
    Tension, mesure Rds 10V
    Tension de seuil Vgs 5V
    Dissipation de puissance Pd 54W
    Type de boîtier de transistor TO-252
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    4 893

    10+ 1,11 € Prix pour 25+ 0,96 € Prix pour 100+ 0,734 € Prix pour 250+ 0,693 € Prix pour 500+ 0,65 € Prix pour 1000+ 0,512 € Prix pour 5000+ 0,502 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Mise en bobine
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1324777RL
    1324777 en Bandes découpées
    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

    5+ 1,11 € 25+ 0,96 € 100+ 0,734 € 250+ 0,693 € 500+ 0,65 € 1000+ 0,512 € 5000+ 0,502 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 10 Mult: 5
    Canal N 4.6A 650V 0.95ohm 10V 5V 54W TO-252 3Broche(s) 150°C - -
    BC546BTF
    BC546BTF - Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 200 hFE

    2453787

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 200 hFE

    Polarité transistor NPN
    Dissipation de puissance Pd 500mW
    Type de boîtier de transistor TO-92

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 200 hFE

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    7 705 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    26 280 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 27/05/19

    Polarité transistor NPN
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd 500mW
    Type de boîtier de transistor TO-92
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    33 985

    5+ 0,173 € Prix pour 25+ 0,169 € Prix pour 100+ 0,0689 € Prix pour 250+ 0,0638 € Prix pour 500+ 0,0628 € Prix pour 1000+ 0,034 € Prix pour 5000+ 0,0268 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    5+ 0,173 € 25+ 0,169 € 100+ 0,0689 € 250+ 0,0638 € 500+ 0,0628 € 1000+ 0,034 € 5000+ 0,0268 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    NPN - - - - - 500mW TO-92 3Broche(s) 150°C - -
    FDPF17N60NT
    FDPF17N60NT - Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 600 V, 0.29 ohm, 10 V, 3 V

    1885784

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 600 V, 0.29 ohm, 10 V, 3 V

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 17A
    Tension Vds max.. 600V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 600 V, 0.29 ohm, 10 V, 3 V

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    7 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    158 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 13/05/19

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 17A
    Tension Vds max.. 600V
    Résistance Rds(on) 0.29ohm
    Tension, mesure Rds 10V
    Tension de seuil Vgs 3V
    Dissipation de puissance Pd 62.5W
    Type de boîtier de transistor TO-220F
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    165

    5+ 2,32 € Prix pour 25+ 1,99 € Prix pour 100+ 1,72 € Prix pour 250+ 1,64 € Prix pour 500+ 1,47 € Prix pour 1000+ 1,17 € Prix pour 5000+ 1,15 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 2,32 € 25+ 1,99 € 100+ 1,72 € 250+ 1,64 € 500+ 1,47 € 1000+ 1,17 € 5000+ 1,15 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    Canal N 17A 600V 0.29ohm 10V 3V 62.5W TO-220F 3Broche(s) 150°C - -
    BZX84C5V6LT1G
    BZX84C5V6LT1G - Diode simple Zener, 5.6 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 Broche(s), 150 °C

    1651585

    ON SEMICONDUCTOR - Diode simple Zener, 5.6 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 Broche(s), 150 °C

    Dissipation de puissance Pd 225mW
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode simple Zener, 5.6 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 Broche(s), 150 °C

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    36 907 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 30 000 sera/seront disponible(s) le 30/03/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 30/12/19

    Polarité transistor -
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd 225mW
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit BZX84CxxxLT1G Series
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    36 907

    5+ 0,124 € Prix pour 50+ 0,119 € Prix pour 100+ 0,0428 € Prix pour 500+ 0,0263 € Prix pour 1500+ 0,0253 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1651585
    1651585RL en Mise en bobine
    2317733 en Bobine

    5+ 0,124 € 50+ 0,119 € 100+ 0,0428 € 500+ 0,0263 € 1500+ 0,0253 €

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 225mW - 3Broche(s) 150°C BZX84CxxxLT1G Series AEC-Q101
    FDN337N
    FDN337N - Transistor MOSFET, Canal N, 2.2 A, 30 V, 0.054 ohm, 4.5 V, 700 mV

    2323185

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 2.2 A, 30 V, 0.054 ohm, 4.5 V, 700 mV

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 2.2A
    Tension Vds max.. 30V

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 2.2 A, 30 V, 0.054 ohm, 4.5 V, 700 mV

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    2 400 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    93 000 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 12 000 sera/seront disponible(s) le 02/10/19
  • 63 000 sera/seront disponible(s) le 18/10/19
  • 18 000 sera/seront disponible(s) le 31/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 03/02/20

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 2.2A
    Tension Vds max.. 30V
    Résistance Rds(on) 0.054ohm
    Tension, mesure Rds 4.5V
    Tension de seuil Vgs 700mV
    Dissipation de puissance Pd 500mW
    Type de boîtier de transistor SuperSOT
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    95 400

    3000+ 0,103 € Prix pour 9000+ 0,0887 € Prix pour

    Pièce (fournie en bobine complète)

    Bobine
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2323185
    9845356RL en Mise en bobine
    9845356 en Bandes découpées

    3000+ 0,103 € 9000+ 0,0887 €

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 3000 Mult: 3000
    Canal N 2.2A 30V 0.054ohm 4.5V 700mV 500mW SuperSOT 3Broche(s) 150°C - -
    NGTB20N120IHRWG
    NGTB20N120IHRWG - Transistor simple IGBT, 40 A, 2.1 V, 384 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

    2399109

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple IGBT, 40 A, 2.1 V, 384 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

    Dissipation de puissance Pd 384W
    Type de boîtier de transistor TO-247
    Nombre de broches 3Broche(s)

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple IGBT, 40 A, 2.1 V, 384 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    76 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 13/05/19

    Polarité transistor -
    Courant de drain Id -
    Tension Vds max.. -
    Résistance Rds(on) -
    Tension, mesure Rds -
    Tension de seuil Vgs -
    Dissipation de puissance Pd 384W
    Type de boîtier de transistor TO-247
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    76

    1+ 4,45 € Prix pour 10+ 3,40 € Prix pour 100+ 2,94 € Prix pour 250+ 2,78 € Prix pour 500+ 2,51 € Prix pour 1000+ 2,01 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 4,45 € 10+ 3,40 € 100+ 2,94 € 250+ 2,78 € 500+ 2,51 € 1000+ 2,01 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    - - - - - - 384W TO-247 3Broche(s) 175°C - -

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