ON SEMICONDUCTOR Semiconducteurs - Composants discrets

: 9 121 produit(s) trouvé(s)
1 filtre appliqué
9 121 produit(s) trouvé(s) Veuillez cliquer sur le bouton « Appliquer les filtres » pour mettre à jour les résultats
Min. / Max. Disponibilité

Lorsque la case « Se souvenir » est sélectionnée, vos préférences les plus récentes en matière de filtres seront enregistrées pour vos futures recherches

Conformité
Emballage

Nouvelle fonctionnalité !

Sélectionner les filtres

Vous pouvez maintenant sélectionner les filtres en utilisant :

  • la touche « Majuscule » + Sélectionner
  • la touche « Contrôle » + Sélectionner
  • Sélectionner + Glisser »
OK, j'ai compris

L'affichage de la tarification du contrat est actuellement indisponible. Les tarifs affichés correspondent aux prix de vente standard. Cependant, la tarification du contrat sera appliquée lors du traitement des commandes.

filtre appliqué
Fabricant
= ON SEMICONDUCTOR
Comparer les produits sélectionnés Comparer Ajouter le(s) produit(s) sélectionné(s) Ajouter
Autres paramètres Attributs
Ajouter des propriétés au tableau

Sélectionnez les propriétés que vous souhaiteriez ajouter aux colonnes à la fin du tableau.

  Réf. Fabricant : Code Commande Fabricant / Description
Dispo Prix pour
Prix
Quantité
Courant de collecteur DC Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) Dissipation de puissance Pd Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo Type de boîtier de transistor Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
NGTB40N120FL3WG
NGTB40N120FL3WG - Transistor simple IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

2627928

ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

Courant de collecteur DC 160A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.7V
Dissipation de puissance Pd 454W

+ Voir toutes les présentations de produits

ON SEMICONDUCTOR 

Transistor simple IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

568 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 09/12/19

Courant de collecteur DC 160A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.7V
Dissipation de puissance Pd 454W
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 1.2kV
Type de boîtier de transistor TO-247
Nombre de broches 3Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 175°C
Gamme de produit -
Normes Qualification Automobile -

568

1+ 5,90 € Prix pour 10+ 4,53 € Prix pour 100+ 3,94 € Prix pour 250+ 3,73 € Prix pour 500+ 3,35 € Prix pour 1000+ 2,83 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce

1+ 5,90 €   10+ 4,53 €   100+ 3,94 €   250+ 3,73 €   500+ 3,35 €   1000+ 2,83 €   Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 1 Mult: 1
160A 1.7V 454W 1.2kV TO-247 3Broche(s) 175°C - -
BC517-D74Z
BC517-D74Z - Transistor simple bipolaire (BJT), Double NPN, 30 V, 625 mW, 1.2 A, 30000 hFE

2575349

ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple bipolaire (BJT), Double NPN, 30 V, 625 mW, 1.2 A, 30000 hFE

Courant de collecteur DC 1.2A
Dissipation de puissance Pd 625mW
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 30V

+ Voir toutes les présentations de produits

ON SEMICONDUCTOR 

Transistor simple bipolaire (BJT), Double NPN, 30 V, 625 mW, 1.2 A, 30000 hFE

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

15 669 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

10 050 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 4 000 sera/seront disponible(s) le 21/07/19
  • 12 000 sera/seront disponible(s) le 13/03/19
  • 4 000 sera/seront disponible(s) le 31/08/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 30/12/19

    Courant de collecteur DC 1.2A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd 625mW
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 30V
    Type de boîtier de transistor TO-92
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    25 719

    5+ 0,274 € Prix pour 25+ 0,264 € Prix pour 100+ 0,116 € Prix pour 250+ 0,11 € Prix pour 500+ 0,0912 € Prix pour 1000+ 0,0724 € Prix pour 5000+ 0,0612 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 0,274 €   25+ 0,264 €   100+ 0,116 €   250+ 0,11 €   500+ 0,0912 €   1000+ 0,0724 €   5000+ 0,0612 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    1.2A - 625mW 30V TO-92 3Broche(s) 150°C - -
    BC546CTA
    BC546CTA - Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 65 V, 300 MHz, 625 mW, 100 mA, 420 hFE

    2825081

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 65 V, 300 MHz, 625 mW, 100 mA, 420 hFE

    Courant de collecteur DC 100mA
    Dissipation de puissance Pd 625mW
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 65V

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 65 V, 300 MHz, 625 mW, 100 mA, 420 hFE

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    530 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    4 947 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 18/03/19

    Courant de collecteur DC 100mA
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd 625mW
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 65V
    Type de boîtier de transistor TO-92
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit BC546C Series
    Normes Qualification Automobile -

    5 477

    5+ 0,199 € Prix pour 25+ 0,194 € Prix pour 100+ 0,0986 € Prix pour 250+ 0,0923 € Prix pour 500+ 0,0608 € Prix pour 1000+ 0,0306 € Prix pour 5000+ 0,0243 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 0,199 €   25+ 0,194 €   100+ 0,0986 €   250+ 0,0923 €   500+ 0,0608 €   1000+ 0,0306 €   5000+ 0,0243 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    100mA - 625mW 65V TO-92 3Broche(s) 150°C BC546C Series -
    FDMC86102LZ
    FDMC86102LZ - Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 100 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.6 V

    2822536RL

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 100 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.6 V

    Dissipation de puissance Pd 41W
    Type de boîtier de transistor Power 33
    Nombre de broches 8Broche(s)

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 100 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.6 V

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    2 245 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 31/05/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 04/11/19

    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
    Courant de collecteur DC -
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd 41W
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Type de boîtier de transistor Power 33
    Nombre de broches 8Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit PowerTrench Series
    Normes Qualification Automobile -

    2 245

    10+ 1,23 € Prix pour 25+ 1,12 € Prix pour 100+ 0,862 € Prix pour 250+ 0,813 € Prix pour 500+ 0,763 € Prix pour 1000+ 0,533 € Prix pour 5000+ 0,522 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Mise en bobine
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2822536RL
    2822536 en Bandes découpées
    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

    5+ 1,23 €   25+ 1,12 €   100+ 0,862 €   250+ 0,813 €   500+ 0,763 €   1000+ 0,533 €   5000+ 0,522 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 10 Mult: 5
    - - 41W - Power 33 8Broche(s) 150°C PowerTrench Series -
    NGTB40N120L3WG
    NGTB40N120L3WG - Transistor simple IGBT, 160 A, 1.55 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

    2627929

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple IGBT, 160 A, 1.55 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

    Courant de collecteur DC 160A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.55V
    Dissipation de puissance Pd 454W

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple IGBT, 160 A, 1.55 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    708 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 660 sera/seront disponible(s) le 01/05/19
  • 90 sera/seront disponible(s) le 02/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 30/12/19

    Courant de collecteur DC 160A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.55V
    Dissipation de puissance Pd 454W
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 1.2kV
    Type de boîtier de transistor TO-247
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    708

    1+ 5,51 € Prix pour 10+ 4,21 € Prix pour 100+ 3,66 € Prix pour 250+ 3,46 € Prix pour 500+ 3,25 € Prix pour 1000+ 2,74 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 5,51 €   10+ 4,21 €   100+ 3,66 €   250+ 3,46 €   500+ 3,25 €   1000+ 2,74 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    160A 1.55V 454W 1.2kV TO-247 3Broche(s) 175°C - -
    NGTB30N60L2WG
    NGTB30N60L2WG - Transistor simple IGBT, 30 A, 1.4 V, 225 mW, 600 V, TO-247, 3 Broche(s)

    2774810

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple IGBT, 30 A, 1.4 V, 225 mW, 600 V, TO-247, 3 Broche(s)

    Pièce

    1+ 4,43 €   10+ 3,39 €   100+ 2,93 €   250+ 2,78 €   500+ 2,50 €   1000+ 2,00 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    30A 1.4V 225mW 600V TO-247 3Broche(s) 175°C - -
    MBRA210LT3G
    MBRA210LT3G - Redresseur Schottky, À usage général, 10 V, 2 A, Une, DO-214AC, 2 Broche(s), 350 mV

    1459060

    ON SEMICONDUCTOR - Redresseur Schottky, À usage général, 10 V, 2 A, Une, DO-214AC, 2 Broche(s), 350 mV

    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit MBRA2 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Redresseur Schottky, À usage général, 10 V, 2 A, Une, DO-214AC, 2 Broche(s), 350 mV

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    2 360 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    4 768 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 5 000 sera/seront disponible(s) le 27/03/19
  • 5 000 sera/seront disponible(s) le 17/04/19
  • 5 000 sera/seront disponible(s) le 05/06/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 02/09/19

    Courant de collecteur DC -
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit MBRA2 Series
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    7 128

    5+ 0,397 € Prix pour 50+ 0,226 € Prix pour 250+ 0,214 € Prix pour 1000+ 0,165 € Prix pour 2500+ 0,148 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1459060
    1459060RL en Mise en bobine

    5+ 0,397 €   50+ 0,226 €   250+ 0,214 €   1000+ 0,165 €   2500+ 0,148 €  

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - 2Broche(s) 125°C MBRA2 Series AEC-Q101
    FCH072N60F
    FCH072N60F - Transistor MOSFET, Canal N, 52 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 5 V

    2825206

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 52 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 5 V

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 52A
    Tension Vds max.. 600V

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 52 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 5 V

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    4 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 30/12/19

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 52A
    Tension Vds max.. 600V
    Résistance Rds(on) 0.065ohm
    Tension, mesure Rds 10V
    Tension de seuil Vgs 5V
    Dissipation de puissance Pd 481W
    Type de boîtier de transistor TO-247
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit SuperFET II FRFET Series
    Normes Qualification Automobile -

    4

    1+ 6,29 € Prix pour 5+ 5,73 € Prix pour 10+ 4,94 € Prix pour 50+ 4,61 € Prix pour 100+ 4,28 € Prix pour 250+ 3,80 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 6,29 €   5+ 5,73 €   10+ 4,94 €   50+ 4,61 €   100+ 4,28 €   250+ 3,80 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    - - 481W - TO-247 3Broche(s) 150°C SuperFET II FRFET Series -
    FGY75N60SMD
    FGY75N60SMD - Transistor simple IGBT, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Broche(s)

    2083380

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple IGBT, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Broche(s)

    Courant de collecteur DC 150A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.9V
    Dissipation de puissance Pd 750W

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple IGBT, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Broche(s)

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    2 626 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 11/03/19

    Courant de collecteur DC 150A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.9V
    Dissipation de puissance Pd 750W
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 600V
    Type de boîtier de transistor Power 247
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    2 626

    1+ 6,27 € Prix pour 10+ 4,65 € Prix pour 100+ 4,03 € Prix pour 250+ 3,86 € Prix pour 500+ 3,52 € Prix pour 1000+ 3,20 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 6,27 €   10+ 4,65 €   100+ 4,03 €   250+ 3,86 €   500+ 3,52 €   1000+ 3,20 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    150A 1.9V 750W 600V Power 247 3Broche(s) 175°C - -
    GBU4J
    GBU4J - Diode de redressement de pont, Monophasé, 600 V, 4 A, SIP, 1 V, 4 Broche(s)

    1700186

    ON SEMICONDUCTOR - Diode de redressement de pont, Monophasé, 600 V, 4 A, SIP, 1 V, 4 Broche(s)

    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit GBU4J Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode de redressement de pont, Monophasé, 600 V, 4 A, SIP, 1 V, 4 Broche(s)

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    688 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    2 700 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 800 sera/seront disponible(s) le 31/03/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 15/04/19

    Courant de collecteur DC -
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit GBU4J Series
    Normes Qualification Automobile -

    3 388

    5+ 0,975 € Prix pour 25+ 0,877 € Prix pour 100+ 0,674 € Prix pour 250+ 0,633 € Prix pour 500+ 0,593 € Prix pour 1000+ 0,417 € Prix pour 5000+ 0,407 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 0,975 €   25+ 0,877 €   100+ 0,674 €   250+ 0,633 €   500+ 0,593 €   1000+ 0,417 €   5000+ 0,407 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - 4Broche(s) 150°C GBU4J Series -
    FDN306P
    FDN306P - Transistor MOSFET, Canal P, -2.6 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -600 mV

    1471047

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal P, -2.6 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -600 mV

    Dissipation de puissance Pd 500mW
    Type de boîtier de transistor SuperSOT
    Nombre de broches 3Broche(s)

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal P, -2.6 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -600 mV

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    2 945 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    53 541 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 02/10/19
  • 15 000 sera/seront disponible(s) le 12/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 25/11/19

    Courant de collecteur DC -
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd 500mW
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Type de boîtier de transistor SuperSOT
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    56 486

    5+ 0,342 € Prix pour 50+ 0,306 € Prix pour 100+ 0,184 € Prix pour 500+ 0,142 € Prix pour 1500+ 0,132 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1471047
    1471047RL en Mise en bobine
    2251962 en Bobine

    5+ 0,342 €   50+ 0,306 €   100+ 0,184 €   500+ 0,142 €   1500+ 0,132 €  

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - 500mW - SuperSOT 3Broche(s) 150°C - -
    MBRM140T1G
    MBRM140T1G - Redresseur Schottky, À usage général, 40 V, 1 A, Une, DO-216AA, 2 Broche(s), 850 mV

    1459067

    ON SEMICONDUCTOR - Redresseur Schottky, À usage général, 40 V, 1 A, Une, DO-216AA, 2 Broche(s), 850 mV

    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit MBRM1 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Redresseur Schottky, À usage général, 40 V, 1 A, Une, DO-216AA, 2 Broche(s), 850 mV

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    7 140 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    19 970 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 28/06/19
  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 08/08/19
  • 9 000 sera/seront disponible(s) le 14/08/19
  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 02/10/19
  • 144 000 sera/seront disponible(s) le 16/10/19
  • 15 000 sera/seront disponible(s) le 31/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 30/12/19

    Courant de collecteur DC -
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit MBRM1 Series
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    27 110

    5+ 0,266 € Prix pour 50+ 0,244 € Prix pour 100+ 0,132 € Prix pour 500+ 0,095 € Prix pour 1500+ 0,0913 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1459067
    1459067RL en Mise en bobine
    2317660 en Bobine

    5+ 0,266 €   50+ 0,244 €   100+ 0,132 €   500+ 0,095 €   1500+ 0,0913 €  

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - 2Broche(s) 125°C MBRM1 Series AEC-Q101
    MBRS140T3G
    MBRS140T3G - Redresseur Schottky, 40 V, 1 A, Une, DO-214AA, 2 Broche(s), 600 mV

    9557237

    ON SEMICONDUCTOR - Redresseur Schottky, 40 V, 1 A, Une, DO-214AA, 2 Broche(s), 600 mV

    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit MBRS1 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Redresseur Schottky, 40 V, 1 A, Une, DO-214AA, 2 Broche(s), 600 mV

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    5 182 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    38 166 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 22 500 sera/seront disponible(s) le 30/01/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 09/09/19

    Courant de collecteur DC -
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit MBRS1 Series
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    43 348

    5+ 0,284 € Prix pour 50+ 0,259 € Prix pour 100+ 0,12 € Prix pour 500+ 0,114 € Prix pour 1000+ 0,0877 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :9557237
    9557237RL en Mise en bobine
    2317683 en Bobine

    5+ 0,284 €   50+ 0,259 €   100+ 0,12 €   500+ 0,114 €   1000+ 0,0877 €  

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - 2Broche(s) 125°C MBRS1 Series AEC-Q101
    MJD122T4G
    MJD122T4G - Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 4 MHz, 20 W, 8 A, 1000 hFE

    2317578

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 4 MHz, 20 W, 8 A, 1000 hFE

    Courant de collecteur DC 8A
    Dissipation de puissance Pd 20W
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 100V

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 4 MHz, 20 W, 8 A, 1000 hFE

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    1 353 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    21 779 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 08/04/19

    Courant de collecteur DC 8A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd 20W
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 100V
    Type de boîtier de transistor TO-252
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    23 132

    5+ 0,469 € Prix pour 50+ 0,414 € Prix pour 100+ 0,267 € Prix pour 500+ 0,241 € Prix pour 1000+ 0,214 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2317578
    2441272 en Bobine

    5+ 0,469 €   50+ 0,414 €   100+ 0,267 €   500+ 0,241 €   1000+ 0,214 €  

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    8A - 20W 100V TO-252 3Broche(s) 150°C - -
    FGH40N60SMDF
    FGH40N60SMDF - Transistor simple IGBT, À usage général, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Broche(s)

    1885735

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple IGBT, À usage général, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Broche(s)

    Courant de collecteur DC 80A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 600V
    Dissipation de puissance Pd 349W

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple IGBT, À usage général, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Broche(s)

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    13 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    1 442 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 04/03/19

    Courant de collecteur DC 80A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 600V
    Dissipation de puissance Pd 349W
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 600V
    Type de boîtier de transistor TO-247AB
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    1 455

    1+ 4,22 € Prix pour 10+ 3,22 € Prix pour 100+ 2,79 € Prix pour 250+ 2,65 € Prix pour 500+ 2,38 € Prix pour 1000+ 1,91 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 4,22 €   10+ 3,22 €   100+ 2,79 €   250+ 2,65 €   500+ 2,38 €   1000+ 1,91 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    80A 600V 349W 600V TO-247AB 3Broche(s) 175°C - -
    MBRS140
    MBRS140 - Redresseur Schottky, 40 V, 1 A, Une, DO-214AA, 2 Broche(s), 600 mV

    1467526

    ON SEMICONDUCTOR - Redresseur Schottky, 40 V, 1 A, Une, DO-214AA, 2 Broche(s), 600 mV

    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit MBRS1 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Redresseur Schottky, 40 V, 1 A, Une, DO-214AA, 2 Broche(s), 600 mV

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    6 360 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    9 659 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 06/03/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 10/06/19

    Courant de collecteur DC -
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit MBRS1 Series
    Normes Qualification Automobile -

    16 019

    5+ 0,30 € Prix pour 25+ 0,288 € Prix pour 100+ 0,147 € Prix pour 250+ 0,144 € Prix pour 500+ 0,118 € Prix pour 1000+ 0,0928 € Prix pour 5000+ 0,0796 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1467526
    1467526RL en Mise en bobine

    5+ 0,30 €   25+ 0,288 €   100+ 0,147 €   250+ 0,144 €   500+ 0,118 €   1000+ 0,0928 €   5000+ 0,0796 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - 2Broche(s) 125°C MBRS1 Series -
    FDP3682
    FDP3682 - Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V

    1611388

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 32A
    Tension Vds max.. 100V

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    470 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 04/03/19

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 32A
    Tension Vds max.. 100V
    Résistance Rds(on) 0.032ohm
    Tension, mesure Rds 10V
    Tension de seuil Vgs 4V
    Dissipation de puissance Pd 95W
    Type de boîtier de transistor TO-220AB
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    470

    5+ 1,18 € Prix pour 25+ 1,07 € Prix pour 100+ 0,826 € Prix pour 250+ 0,761 € Prix pour 500+ 0,696 € Prix pour 1000+ 0,509 € Prix pour 5000+ 0,498 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 1,18 €   25+ 1,07 €   100+ 0,826 €   250+ 0,761 €   500+ 0,696 €   1000+ 0,509 €   5000+ 0,498 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - 95W - TO-220AB 3Broche(s) 175°C - -
    MBRS260T3G
    MBRS260T3G - Redresseur Schottky, 60 V, 2 A, Une, DO-214AA, 2 Broche(s), 630 mV

    1459074

    ON SEMICONDUCTOR - Redresseur Schottky, 60 V, 2 A, Une, DO-214AA, 2 Broche(s), 630 mV

    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit MBRS2 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Redresseur Schottky, 60 V, 2 A, Une, DO-214AA, 2 Broche(s), 630 mV

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    4 175 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    9 363 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 28/06/19
  • 5 000 sera/seront disponible(s) le 20/07/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 16/09/19

    Courant de collecteur DC -
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit MBRS2 Series
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    13 538

    5+ 0,289 € Prix pour 50+ 0,263 € Prix pour 100+ 0,142 € Prix pour 500+ 0,138 € Prix pour 1000+ 0,104 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1459074
    1459074RL en Mise en bobine

    5+ 0,289 €   50+ 0,263 €   100+ 0,142 €   500+ 0,138 €   1000+ 0,104 €  

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - 2Broche(s) 125°C MBRS2 Series AEC-Q101
    1N4448TR
    1N4448TR - Diode signaux faibles, Une, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A

    9843698

    ON SEMICONDUCTOR - Diode signaux faibles, Une, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A

    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit 1N4448 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode signaux faibles, Une, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    37 364 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    18 843 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 40 000 sera/seront disponible(s) le 23/03/19
  • 30 000 sera/seront disponible(s) le 29/05/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 08/07/19

    Courant de collecteur DC -
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit 1N4448 Series
    Normes Qualification Automobile -

    56 207

    5+ 0,0827 € Prix pour 25+ 0,0818 € Prix pour 100+ 0,029 € Prix pour 250+ 0,0282 € Prix pour 500+ 0,0268 € Prix pour 1000+ 0,0138 € Prix pour 5000+ 0,0103 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 0,0827 €   25+ 0,0818 €   100+ 0,029 €   250+ 0,0282 €   500+ 0,0268 €   1000+ 0,0138 €   5000+ 0,0103 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - 2Broche(s) 175°C 1N4448 Series -
    FDPF10N60NZ
    FDPF10N60NZ - Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 600 V, 0.64 ohm, 640 mV, 5 V

    2575373

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 600 V, 0.64 ohm, 640 mV, 5 V

    Dissipation de puissance Pd 38W
    Type de boîtier de transistor TO-220F
    Nombre de broches 3Broche(s)

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 600 V, 0.64 ohm, 640 mV, 5 V

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    20 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    260 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 29/04/19

    Courant de collecteur DC -
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd 38W
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Type de boîtier de transistor TO-220F
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit UniFET Series
    Normes Qualification Automobile -

    280

    1+ 2,28 € Prix pour 10+ 1,71 € Prix pour 100+ 1,37 € Prix pour 250+ 1,29 € Prix pour 500+ 1,20 € Prix pour 1000+ 0,928 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 2,28 €   10+ 1,71 €   100+ 1,37 €   250+ 1,29 €   500+ 1,20 €   1000+ 0,928 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    - - 38W - TO-220F 3Broche(s) 150°C UniFET Series -
    MBRM140T1G
    MBRM140T1G - Redresseur Schottky, À usage général, 40 V, 1 A, Une, DO-216AA, 2 Broche(s), 850 mV

    1459067RL

    ON SEMICONDUCTOR - Redresseur Schottky, À usage général, 40 V, 1 A, Une, DO-216AA, 2 Broche(s), 850 mV

    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit MBRM1 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Redresseur Schottky, À usage général, 40 V, 1 A, Une, DO-216AA, 2 Broche(s), 850 mV

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    7 140 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    19 970 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 28/06/19
  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 08/08/19
  • 9 000 sera/seront disponible(s) le 14/08/19
  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 02/10/19
  • 144 000 sera/seront disponible(s) le 16/10/19
  • 15 000 sera/seront disponible(s) le 31/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 30/12/19

    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
    Courant de collecteur DC -
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit MBRM1 Series
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    27 110

    150+ 0,132 € Prix pour 500+ 0,095 € Prix pour 1500+ 0,0913 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Mise en bobine
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1459067RL
    1459067 en Bandes découpées
    2317660 en Bobine
    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

    5+ 0,266 €   50+ 0,244 €   100+ 0,132 €   500+ 0,095 €   1500+ 0,0913 €  

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 150 Mult: 5
    - - - - - 2Broche(s) 125°C MBRM1 Series AEC-Q101
    NDT3055L
    NDT3055L - Transistor MOSFET, Canal N, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V

    9845305

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 4A
    Tension Vds max.. 60V

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    33 885 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    123 699 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 8 000 sera/seront disponible(s) le 01/05/19
  • 8 000 sera/seront disponible(s) le 31/10/19
  • 28 000 sera/seront disponible(s) le 02/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/12/19

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 4A
    Tension Vds max.. 60V
    Résistance Rds(on) 0.07ohm
    Tension, mesure Rds 10V
    Tension de seuil Vgs 1.6V
    Dissipation de puissance Pd 3W
    Type de boîtier de transistor SOT-223
    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    157 584

    5+ 0,669 € Prix pour 50+ 0,384 € Prix pour 250+ 0,346 € Prix pour 1000+ 0,307 € Prix pour 2000+ 0,278 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :9845305
    9845305RL en Mise en bobine
    2336834 en Bobine

    5+ 0,669 €   50+ 0,384 €   250+ 0,346 €   1000+ 0,307 €   2000+ 0,278 €  

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - 3W - SOT-223 4Broche(s) 150°C - -
    FGH60N60SMD
    FGH60N60SMD - Transistor simple IGBT, À usage général, 120 A, 600 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Broche(s)

    1885737

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor simple IGBT, À usage général, 120 A, 600 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Broche(s)

    Courant de collecteur DC 120A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 600V
    Dissipation de puissance Pd 600W

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor simple IGBT, À usage général, 120 A, 600 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Broche(s)

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    1 077 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    1 371 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 04/03/19

    Courant de collecteur DC 120A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 600V
    Dissipation de puissance Pd 600W
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 600V
    Type de boîtier de transistor TO-247AB
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    2 448

    1+ 4,22 € Prix pour 10+ 3,22 € Prix pour 100+ 2,79 € Prix pour 250+ 2,65 € Prix pour 500+ 2,38 € Prix pour 1000+ 1,91 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 4,22 €   10+ 3,22 €   100+ 2,79 €   250+ 2,65 €   500+ 2,38 €   1000+ 1,91 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    120A 600V 600W 600V TO-247AB 3Broche(s) 175°C - -
    BYW80-200G
    BYW80-200G - Diode Fast / U, 200 V, 8 A, Une, 1.25 V, 35 ns, 100 A

    2101175

    ON SEMICONDUCTOR - Diode Fast / U, 200 V, 8 A, Une, 1.25 V, 35 ns, 100 A

    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit BYW80 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode Fast / U, 200 V, 8 A, Une, 1.25 V, 35 ns, 100 A

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    790 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    519 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 700 sera/seront disponible(s) le 29/05/19
  • 700 sera/seront disponible(s) le 11/03/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/09/19

    Courant de collecteur DC -
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Type de boîtier de transistor -
    Nombre de broches -
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit BYW80 Series
    Normes Qualification Automobile -

    1 309

    5+ 0,644 € Prix pour 25+ 0,587 € Prix pour 100+ 0,369 € Prix pour 250+ 0,345 € Prix pour 500+ 0,32 € Prix pour 1000+ 0,296 € Prix pour 5000+ 0,29 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    5+ 0,644 €   25+ 0,587 €   100+ 0,369 €   250+ 0,345 €   500+ 0,32 €   1000+ 0,296 €   5000+ 0,29 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 175°C BYW80 Series -
    FDD86102LZ
    FDD86102LZ - Transistor MOSFET, Canal N, 42 A, 100 V, 0.0178 ohm, 10 V, 1.5 V

    2083235

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 42 A, 100 V, 0.0178 ohm, 10 V, 1.5 V

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 42A
    Tension Vds max.. 100V

    + Voir toutes les présentations de produits

    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor MOSFET, Canal N, 42 A, 100 V, 0.0178 ohm, 10 V, 1.5 V

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    1 985 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 11/11/19

    Polarité transistor Canal N
    Courant de drain Id 42A
    Tension Vds max.. 100V
    Résistance Rds(on) 0.0178ohm
    Tension, mesure Rds 10V
    Tension de seuil Vgs 1.5V
    Dissipation de puissance Pd 54W
    Type de boîtier de transistor TO-252
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    1 985

    5+ 0,864 € Prix pour 25+ 0,774 € Prix pour 100+ 0,594 € Prix pour 250+ 0,56 € Prix pour 500+ 0,525 € Prix pour 1000+ 0,414 € Prix pour 5000+ 0,406 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    5+ 0,864 €   25+ 0,774 €   100+ 0,594 €   250+ 0,56 €   500+ 0,525 €   1000+ 0,414 €   5000+ 0,406 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - 54W - TO-252 3Broche(s) 150°C - -

    Les clients ont aussi acheté

    Les clients ont aussi acheté

    Les clients ont aussi acheté