NXP Semiconducteurs - Composants discrets

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  Réf. Fabricant : Code Commande Fabricant / Description
Dispo Prix pour
Prix
Quantité
Tension Vds max.. Courant de drain Id Dissipation de puissance Pd Fréquence, fonctionnement min. Fréquence, fonctionnement max.. Boîtier de transistor RF Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
AFT05MS003NT1
AFT05MS003NT1 - Transistor FET RF, 30 VDC, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

2776248

NXP - Transistor FET RF, 30 VDC, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

Tension Vds max.. 30VDC
Dissipation de puissance Pd 30.5W
Fréquence, fonctionnement min. 1.8MHz

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Transistor FET RF, 30 VDC, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement
Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 01/07/19 Contactez-moi quand le produit sera à nouveau disponible
Tension Vds max.. 30VDC
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd 30.5W
Fréquence, fonctionnement min. 1.8MHz
Fréquence, fonctionnement max.. 941MHz
Boîtier de transistor RF SOT-89
Nombre de broches 3Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 150°C
Gamme de produit -

S/O

1+ 3,17 € Prix pour 10+ 2,36 € Prix pour 100+ 2,11 € Prix pour 250+ 1,94 € Prix pour 500+ 1,76 € Prix pour 1000+ 1,43 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2776248
2776248RL en Mise en bobine

1+ 3,17 € 10+ 2,36 € 100+ 2,11 € 250+ 1,94 € 500+ 1,76 € 1000+ 1,43 € Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 1 Mult: 1
30VDC - 30.5W 1.8MHz 941MHz SOT-89 3Broche(s) 150°C -
BB135,115
BB135,115 - Diode à capacité variable, Varicap, 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

1349652RL

NXP - Diode à capacité variable, Varicap, 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BB135 Series

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Diode à capacité variable, Varicap, 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

245 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

1 820 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 08/07/19

Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Tension Vds max.. -
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd -
Fréquence, fonctionnement min. -
Fréquence, fonctionnement max.. -
Boîtier de transistor RF -
Nombre de broches -
Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BB135 Series

2 065

150+ 0,0837 € Prix pour 250+ 0,0755 € Prix pour 500+ 0,0714 € Prix pour 1000+ 0,0682 € Prix pour 5000+ 0,0649 € Prix pour

Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1349652RL
1349652 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

5+ 0,304 € 25+ 0,0918 € 100+ 0,0837 € 250+ 0,0755 € 500+ 0,0714 € 1000+ 0,0682 € 5000+ 0,0649 € Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 150 Mult: 5
- - - - - - - 125°C BB135 Series
BB201,215
BB201,215 - Diode à capacité variable, Varicap, 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

1757785

NXP - Diode à capacité variable, Varicap, 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BB201 Series

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NXP 

Diode à capacité variable, Varicap, 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

2 511 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

3 069 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 03/06/19

Tension Vds max.. -
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd -
Fréquence, fonctionnement min. -
Fréquence, fonctionnement max.. -
Boîtier de transistor RF -
Nombre de broches -
Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BB201 Series

5 580

5+ 0,566 € Prix pour 25+ 0,522 € Prix pour 100+ 0,323 € Prix pour 250+ 0,292 € Prix pour 500+ 0,262 € Prix pour 1000+ 0,231 € Prix pour 5000+ 0,226 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1757785
1757785RL en Mise en bobine

5+ 0,566 € 25+ 0,522 € 100+ 0,323 € 250+ 0,292 € 500+ 0,262 € 1000+ 0,231 € 5000+ 0,226 € Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 5 Mult: 5
- - - - - - - 125°C BB201 Series
BB131,115
BB131,115 - Diode à capacité variable, Varicap, 17 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

1349651

NXP - Diode à capacité variable, Varicap, 17 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BB131 Series

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NXP 

Diode à capacité variable, Varicap, 17 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

75 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

1 633 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 08/07/19

Tension Vds max.. -
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd -
Fréquence, fonctionnement min. -
Fréquence, fonctionnement max.. -
Boîtier de transistor RF -
Nombre de broches -
Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BB131 Series

1 708

5+ 0,302 € Prix pour 25+ 0,192 € Prix pour 100+ 0,121 € Prix pour 250+ 0,116 € Prix pour 500+ 0,113 € Prix pour 1000+ 0,0851 € Prix pour 5000+ 0,0571 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1349651
1349651RL en Mise en bobine

5+ 0,302 € 25+ 0,192 € 100+ 0,121 € 250+ 0,116 € 500+ 0,113 € 1000+ 0,0851 € 5000+ 0,0571 € Plus de tarifs

Article restreint
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Min: 5 Mult: 5
- - - - - - - 125°C BB131 Series
BLT81,115
BLT81,115 - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

1212471

NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

Dissipation de puissance Pd 2W
Boîtier de transistor RF SOT-223
Nombre de broches 3Broche(s)

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Transistor RF - Bipolaire, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

45 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

727 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 03/06/19

Tension Vds max.. -
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd 2W
Fréquence, fonctionnement min. -
Fréquence, fonctionnement max.. -
Boîtier de transistor RF SOT-223
Nombre de broches 3Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 175°C
Gamme de produit -

772

1+ 1,36 € Prix pour 10+ 1,28 € Prix pour 100+ 1,21 € Prix pour 250+ 1,15 € Prix pour 500+ 1,08 € Prix pour 1000+ 1,01 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1212471
1212471RL en Mise en bobine

1+ 1,36 € 10+ 1,28 € 100+ 1,21 € 250+ 1,15 € 500+ 1,08 € 1000+ 1,01 € Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 1 Mult: 1
- - 2W - - SOT-223 3Broche(s) 175°C -
BFU910FX
BFU910FX - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 2 V, 90 GHz, 300 mW, 15 mA, 1200 hFE

2776287

NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 2 V, 90 GHz, 300 mW, 15 mA, 1200 hFE

Dissipation de puissance Pd 300mW
Boîtier de transistor RF SOT-343F
Nombre de broches 4Broche(s)

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Transistor RF - Bipolaire, NPN, 2 V, 90 GHz, 300 mW, 15 mA, 1200 hFE

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

575 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

2 991 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 03/06/19

Tension Vds max.. -
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd 300mW
Fréquence, fonctionnement min. -
Fréquence, fonctionnement max.. -
Boîtier de transistor RF SOT-343F
Nombre de broches 4Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 150°C
Gamme de produit -

3 566

5+ 0,305 € Prix pour 25+ 0,292 € Prix pour 100+ 0,141 € Prix pour 250+ 0,137 € Prix pour 500+ 0,136 € Prix pour 1000+ 0,0697 € Prix pour 5000+ 0,0646 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2776287
2776287RL en Mise en bobine

5+ 0,305 € 25+ 0,292 € 100+ 0,141 € 250+ 0,137 € 500+ 0,136 € 1000+ 0,0697 € 5000+ 0,0646 € Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 5 Mult: 5
- - 300mW - - SOT-343F 4Broche(s) 150°C -
BBY40,215
BBY40,215 - Diode à capacité variable, Varicap, 6 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

1081217

NXP - Diode à capacité variable, Varicap, 6 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BBY40 Series

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Diode à capacité variable, Varicap, 6 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

710 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

1 780 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 03/06/19

Tension Vds max.. -
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd -
Fréquence, fonctionnement min. -
Fréquence, fonctionnement max.. -
Boîtier de transistor RF -
Nombre de broches -
Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BBY40 Series

2 490

5+ 0,195 € Prix pour 25+ 0,165 € Prix pour 100+ 0,146 € Prix pour 250+ 0,136 € Prix pour 500+ 0,126 € Prix pour 1000+ 0,12 € Prix pour 5000+ 0,113 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1081217
1081217RL en Mise en bobine

5+ 0,195 € 25+ 0,165 € 100+ 0,146 € 250+ 0,136 € 500+ 0,126 € 1000+ 0,12 € 5000+ 0,113 € Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 5 Mult: 5
- - - - - - - 125°C BBY40 Series
MRFE6VS25NR1
MRFE6VS25NR1 - Transistor FET RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270

2776252

NXP - Transistor FET RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270

Tension Vds max.. 133VDC
Fréquence, fonctionnement min. 1.8MHz
Fréquence, fonctionnement max.. 2000MHz

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Transistor FET RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

281 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 26/08/19

Tension Vds max.. 133VDC
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd -
Fréquence, fonctionnement min. 1.8MHz
Fréquence, fonctionnement max.. 2000MHz
Boîtier de transistor RF TO-270
Nombre de broches 2Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 225°C
Gamme de produit -

281

1+ 24,56 € Prix pour 5+ 24,32 € Prix pour 10+ 21,64 € Prix pour 50+ 20,05 € Prix pour 100+ 18,46 € Prix pour

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2776252
2776252RL en Mise en bobine

1+ 24,56 € 5+ 24,32 € 10+ 21,64 € 50+ 20,05 € 100+ 18,46 €

Article restreint
Ajouter
Min: 1 Mult: 1
133VDC - - 1.8MHz 2000MHz TO-270 2Broche(s) 225°C -
BFU590QX
BFU590QX - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

2776273

NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

Dissipation de puissance Pd 2W
Boîtier de transistor RF SOT-89
Nombre de broches 3Broche(s)

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

110 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

231 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 08/07/19

Tension Vds max.. -
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd 2W
Fréquence, fonctionnement min. -
Fréquence, fonctionnement max.. -
Boîtier de transistor RF SOT-89
Nombre de broches 3Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 150°C
Gamme de produit -

341

5+ 0,742 € Prix pour 25+ 0,666 € Prix pour 100+ 0,427 € Prix pour 250+ 0,381 € Prix pour 500+ 0,335 € Prix pour 1000+ 0,289 € Prix pour 5000+ 0,282 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2776273
2776273RL en Mise en bobine

5+ 0,742 € 25+ 0,666 € 100+ 0,427 € 250+ 0,381 € 500+ 0,335 € 1000+ 0,289 € 5000+ 0,282 € Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 5 Mult: 5
- - 2W - - SOT-89 3Broche(s) 150°C -
AFM907NT1
AFM907NT1 - Transistor FET RF, LDMOS, 30 VDC, 65.7 W, 136 MHz, 941 MHz, ÁDFN

2805099

NXP - Transistor FET RF, LDMOS, 30 VDC, 65.7 W, 136 MHz, 941 MHz, ÁDFN

Tension Vds max.. 30VDC
Dissipation de puissance Pd 65.7W
Fréquence, fonctionnement min. 136MHz

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Transistor FET RF, LDMOS, 30 VDC, 65.7 W, 136 MHz, 941 MHz, ÁDFN

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

903 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 15/07/19

Tension Vds max.. 30VDC
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd 65.7W
Fréquence, fonctionnement min. 136MHz
Fréquence, fonctionnement max.. 941MHz
Boîtier de transistor RF ÁDFN
Nombre de broches 16Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 150°C
Gamme de produit -

903

1+ 2,56 € Prix pour 10+ 1,88 € Prix pour 100+ 1,70 € Prix pour 250+ 1,56 € Prix pour 500+ 1,41 € Prix pour 1000+ 1,15 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2805099
2805099RL en Mise en bobine

1+ 2,56 € 10+ 1,88 € 100+ 1,70 € 250+ 1,56 € 500+ 1,41 € 1000+ 1,15 € Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 1 Mult: 1
30VDC - 65.7W 136MHz 941MHz ÁDFN 16Broche(s) 150°C -
BFG35,115
BFG35,115 - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

1758045

NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

Dissipation de puissance Pd 1W
Boîtier de transistor RF SOT-223
Nombre de broches 3Broche(s)

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Transistor RF - Bipolaire, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

290 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

910 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 03/06/19

Tension Vds max.. -
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd 1W
Fréquence, fonctionnement min. -
Fréquence, fonctionnement max.. -
Boîtier de transistor RF SOT-223
Nombre de broches 3Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 175°C
Gamme de produit -

1 200

5+ 0,602 € Prix pour 25+ 0,585 € Prix pour 100+ 0,577 € Prix pour 250+ 0,568 € Prix pour 500+ 0,559 € Prix pour 1000+ 0,406 € Prix pour 5000+ 0,405 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1758045
1758045RL en Mise en bobine

5+ 0,602 € 25+ 0,585 € 100+ 0,577 € 250+ 0,568 € 500+ 0,559 € 1000+ 0,406 € 5000+ 0,405 € Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 5 Mult: 5
- - 1W - - SOT-223 3Broche(s) 175°C -
BFU530AR
BFU530AR - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE

2776269

NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE

Dissipation de puissance Pd 450mW
Boîtier de transistor RF SOT-23
Nombre de broches 3Broche(s)

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NXP 

Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE

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2 740 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

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Tension Vds max.. -
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd 450mW
Fréquence, fonctionnement min. -
Fréquence, fonctionnement max.. -
Boîtier de transistor RF SOT-23
Nombre de broches 3Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 150°C
Gamme de produit -

5 037

5+ 0,403 € Prix pour 25+ 0,38 € Prix pour 100+ 0,216 € Prix pour 250+ 0,192 € Prix pour 500+ 0,167 € Prix pour 1000+ 0,143 € Prix pour 5000+ 0,128 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2776269
2776269RL en Mise en bobine

5+ 0,403 € 25+ 0,38 € 100+ 0,216 € 250+ 0,192 € 500+ 0,167 € 1000+ 0,143 € 5000+ 0,128 € Plus de tarifs

Article restreint
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Min: 5 Mult: 5
- - 450mW - - SOT-23 3Broche(s) 150°C -
MRFX1K80HR5
MRFX1K80HR5 - Transistor FET RF, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S

2784044

NXP - Transistor FET RF, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S

Tension Vds max.. 193V
Dissipation de puissance Pd 2.247kW
Fréquence, fonctionnement min. 1.8MHz

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NXP 

Transistor FET RF, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S

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78 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

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Tension Vds max.. 193V
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd 2.247kW
Fréquence, fonctionnement min. 1.8MHz
Fréquence, fonctionnement max.. 400MHz
Boîtier de transistor RF NI-1230H-4S
Nombre de broches 4Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 150°C
Gamme de produit -

78

1+ 344,00 € Prix pour 5+ 285,00 € Prix pour

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2784044
2784044RL en Mise en bobine

1+ 344,00 € 5+ 285,00 €

Article restreint
Ajouter
Min: 1 Mult: 1
193V - 2.247kW 1.8MHz 400MHz NI-1230H-4S 4Broche(s) 150°C -
BAP65-03,115
BAP65-03,115 - Diode PIN / RF, Une, 0.35 ohm, 30 V, SOD-323, 2 broches, 0.375 pF

1757792

NXP - Diode PIN / RF, Une, 0.35 ohm, 30 V, SOD-323, 2 broches, 0.375 pF

Température de fonctionnement max.. 150°C
Gamme de produit BAP65 Series

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NXP 

Diode PIN / RF, Une, 0.35 ohm, 30 V, SOD-323, 2 broches, 0.375 pF

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Tension Vds max.. -
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd -
Fréquence, fonctionnement min. -
Fréquence, fonctionnement max.. -
Boîtier de transistor RF -
Nombre de broches -
Température de fonctionnement max.. 150°C
Gamme de produit BAP65 Series

950

5+ 0,113 € Prix pour 25+ 0,0896 € Prix pour 100+ 0,0774 € Prix pour 250+ 0,0684 € Prix pour 500+ 0,0612 € Prix pour 1000+ 0,0513 € Prix pour 5000+ 0,0503 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1757792
1757792RL en Mise en bobine

5+ 0,113 € 25+ 0,0896 € 100+ 0,0774 € 250+ 0,0684 € 500+ 0,0612 € 1000+ 0,0513 € 5000+ 0,0503 € Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 5 Mult: 5
- - - - - - - 150°C BAP65 Series
BB135,115
BB135,115 - Diode à capacité variable, Varicap, 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

1349652

NXP - Diode à capacité variable, Varicap, 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BB135 Series

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NXP 

Diode à capacité variable, Varicap, 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

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245 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

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Tension Vds max.. -
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd -
Fréquence, fonctionnement min. -
Fréquence, fonctionnement max.. -
Boîtier de transistor RF -
Nombre de broches -
Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BB135 Series

2 065

5+ 0,304 € Prix pour 25+ 0,0918 € Prix pour 100+ 0,0837 € Prix pour 250+ 0,0755 € Prix pour 500+ 0,0714 € Prix pour 1000+ 0,0682 € Prix pour 5000+ 0,0649 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1349652
1349652RL en Mise en bobine

5+ 0,304 € 25+ 0,0918 € 100+ 0,0837 € 250+ 0,0755 € 500+ 0,0714 € 1000+ 0,0682 € 5000+ 0,0649 € Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 5 Mult: 5
- - - - - - - 125°C BB135 Series
MRF1K50HR5
MRF1K50HR5 - Transistor FET RF, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230

2776261

NXP - Transistor FET RF, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230

Tension Vds max.. 135VDC
Dissipation de puissance Pd 1.667kW
Fréquence, fonctionnement min. 1.8MHz

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NXP 

Transistor FET RF, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230

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43 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 26/08/19

Tension Vds max.. 135VDC
Courant de drain Id -
Dissipation de puissance Pd 1.667kW
Fréquence, fonctionnement min. 1.8MHz
Fréquence, fonctionnement max.. 500MHz
Boîtier de transistor RF NI-1230
Nombre de broches 4Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 225°C
Gamme de produit -

43

1+ 223,00 € Prix pour 5+ 185,00 € Prix pour

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2776261
2776261RL en Mise en bobine

1+ 223,00 € 5+ 185,00 €

Article restreint
Ajouter
Min: 1 Mult: 1
135VDC - 1.667kW 1.8MHz 500MHz NI-1230 4Broche(s) 225°C -
BFR31,215
BFR31,215 - Transistor JFET, JFET, 1 mA, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, JFET

1758134

NXP - Transistor JFET, JFET, 1 mA, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, JFET

Température de fonctionnement max.. 150°C

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NXP 

Transistor JFET, JFET, 1 mA, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, JFET

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806 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 17/05/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 03/06/19

    Tension Vds max.. -
    Courant de drain Id -
    Dissipation de puissance Pd -
    Fréquence, fonctionnement min. -
    Fréquence, fonctionnement max.. -
    Boîtier de transistor RF -
    Nombre de broches -
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -

    806

    5+ 0,321 € Prix pour 25+ 0,288 € Prix pour 100+ 0,231 € Prix pour 250+ 0,227 € Prix pour 500+ 0,223 € Prix pour 1000+ 0,188 € Prix pour 5000+ 0,152 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1758134
    1758134RL en Mise en bobine

    5+ 0,321 € 25+ 0,288 € 100+ 0,231 € 250+ 0,227 € 500+ 0,223 € 1000+ 0,188 € 5000+ 0,152 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - 150°C -
    AFT05MS004NT1
    AFT05MS004NT1 - Transistor FET RF, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89

    2776253

    NXP - Transistor FET RF, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89

    Tension Vds max.. 30VDC
    Dissipation de puissance Pd 28W
    Fréquence, fonctionnement min. 136MHz

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    NXP 

    Transistor FET RF, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    3 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 1 000 sera/seront disponible(s) le 13/04/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 01/07/19

    Tension Vds max.. 30VDC
    Courant de drain Id -
    Dissipation de puissance Pd 28W
    Fréquence, fonctionnement min. 136MHz
    Fréquence, fonctionnement max.. 941MHz
    Boîtier de transistor RF SOT-89
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -

    3

    1+ 1,98 € Prix pour 10+ 1,49 € Prix pour 100+ 1,32 € Prix pour 250+ 1,20 € Prix pour 500+ 1,09 € Prix pour 1000+ 0,979 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2776253
    2776253RL en Mise en bobine

    1+ 1,98 € 10+ 1,49 € 100+ 1,32 € 250+ 1,20 € 500+ 1,09 € 1000+ 0,979 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    30VDC - 28W 136MHz 941MHz SOT-89 3Broche(s) 150°C -
    BFU590GX
    BFU590GX - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    2776268

    NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    Dissipation de puissance Pd 2W
    Boîtier de transistor RF SOT-223
    Nombre de broches 4Broche(s)

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    385 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    1 281 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 03/06/19

    Tension Vds max.. -
    Courant de drain Id -
    Dissipation de puissance Pd 2W
    Fréquence, fonctionnement min. -
    Fréquence, fonctionnement max.. -
    Boîtier de transistor RF SOT-223
    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -

    1 666

    5+ 0,707 € Prix pour 25+ 0,638 € Prix pour 100+ 0,485 € Prix pour 250+ 0,457 € Prix pour 500+ 0,428 € Prix pour 1000+ 0,30 € Prix pour 5000+ 0,29 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2776268
    2776268RL en Mise en bobine

    5+ 0,707 € 25+ 0,638 € 100+ 0,485 € 250+ 0,457 € 500+ 0,428 € 1000+ 0,30 € 5000+ 0,29 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - 2W - - SOT-223 4Broche(s) 150°C -
    BAP64-02,115
    BAP64-02,115 - Diode PIN / RF, Une, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 broches, 0.35 pF

    1757789

    NXP - Diode PIN / RF, Une, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 broches, 0.35 pF

    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit BAP64 Series

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    NXP 

    Diode PIN / RF, Une, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 broches, 0.35 pF

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    385 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    3 133 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 05/09/19
  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 21/07/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 16/09/19

    Tension Vds max.. -
    Courant de drain Id -
    Dissipation de puissance Pd -
    Fréquence, fonctionnement min. -
    Fréquence, fonctionnement max.. -
    Boîtier de transistor RF -
    Nombre de broches -
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit BAP64 Series

    3 518

    5+ 0,106 € Prix pour 25+ 0,10 € Prix pour 100+ 0,0939 € Prix pour 250+ 0,0884 € Prix pour 500+ 0,0828 € Prix pour 1000+ 0,0667 € Prix pour 5000+ 0,0648 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1757789
    1757789RL en Mise en bobine

    5+ 0,106 € 25+ 0,10 € 100+ 0,0939 € 250+ 0,0884 € 500+ 0,0828 € 1000+ 0,0667 € 5000+ 0,0648 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - 150°C BAP64 Series
    MRF1513NT1
    MRF1513NT1 - Transistor FET RF, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

    1577894

    NXP - Transistor FET RF, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

    Tension Vds max.. 40V
    Courant de drain Id 2A
    Dissipation de puissance Pd 31.25W

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor FET RF, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    591 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 29/07/19

    Tension Vds max.. 40V
    Courant de drain Id 2A
    Dissipation de puissance Pd 31.25W
    Fréquence, fonctionnement min. 450MHz
    Fréquence, fonctionnement max.. 520MHz
    Boîtier de transistor RF PLD-1.5
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -

    591

    1+ 10,04 € Prix pour 5+ 9,39 € Prix pour 10+ 7,44 € Prix pour 50+ 7,24 € Prix pour 100+ 7,04 € Prix pour 250+ 5,20 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1577894
    1577894RL en Mise en bobine

    1+ 10,04 € 5+ 9,39 € 10+ 7,44 € 50+ 7,24 € 100+ 7,04 € 250+ 5,20 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    40V 2A 31.25W 450MHz 520MHz PLD-1.5 3Broche(s) 150°C -
    BAP50-03,135
    BAP50-03,135 - Diode PIN / RF, Une, 3 ohm, 50 V, SOD-323, 2 broches, 0.35 pF

    2820267

    NXP - Diode PIN / RF, Une, 3 ohm, 50 V, SOD-323, 2 broches, 0.35 pF

    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit BAP50 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Diode PIN / RF, Une, 3 ohm, 50 V, SOD-323, 2 broches, 0.35 pF

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    50 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    8 719 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 03/06/19

    Tension Vds max.. -
    Courant de drain Id -
    Dissipation de puissance Pd -
    Fréquence, fonctionnement min. -
    Fréquence, fonctionnement max.. -
    Boîtier de transistor RF -
    Nombre de broches -
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit BAP50 Series

    8 769

    5+ 0,218 € Prix pour 25+ 0,211 € Prix pour 100+ 0,0866 € Prix pour 250+ 0,0802 € Prix pour 500+ 0,0613 € Prix pour 1000+ 0,0423 € Prix pour 5000+ 0,0328 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2820267
    2820267RL en Mise en bobine

    5+ 0,218 € 25+ 0,211 € 100+ 0,0866 € 250+ 0,0802 € 500+ 0,0613 € 1000+ 0,0423 € 5000+ 0,0328 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - 150°C BAP50 Series
    MW6S004NT1
    MW6S004NT1 - Transistor FET RF, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5

    2776246

    NXP - Transistor FET RF, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5

    Tension Vds max.. 68VDC
    Fréquence, fonctionnement min. 1MHz
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    NXP 

    Transistor FET RF, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5

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    Tension Vds max.. 68VDC
    Courant de drain Id -
    Dissipation de puissance Pd -
    Fréquence, fonctionnement min. 1MHz
    Fréquence, fonctionnement max.. 2000MHz
    Boîtier de transistor RF PLD-1.5
    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -

    570

    1+ 10,44 € Prix pour 5+ 9,80 € Prix pour 10+ 8,17 € Prix pour 50+ 7,76 € Prix pour 100+ 7,34 € Prix pour 250+ 5,97 € Prix pour Plus de tarifs

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    68VDC - - 1MHz 2000MHz PLD-1.5 4Broche(s) 150°C -
    BAP51-02,115
    BAP51-02,115 - Diode PIN / RF, Une, 1.5 ohm, 50 V, SOD-523, 2 broches, 0.2 pF

    2775917

    NXP - Diode PIN / RF, Une, 1.5 ohm, 50 V, SOD-523, 2 broches, 0.2 pF

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    NXP 

    Diode PIN / RF, Une, 1.5 ohm, 50 V, SOD-523, 2 broches, 0.2 pF

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    Tension Vds max.. -
    Courant de drain Id -
    Dissipation de puissance Pd -
    Fréquence, fonctionnement min. -
    Fréquence, fonctionnement max.. -
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    Température de fonctionnement max.. 150°C
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    Bandes découpées
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    2775917RL en Mise en bobine

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    - - - - - - - 150°C -
    MRFE6VP61K25HR5
    MRFE6VP61K25HR5 - Transistor FET RF, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

    2776254

    NXP - Transistor FET RF, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

    Tension Vds max.. 133VDC
    Dissipation de puissance Pd 1.333kW
    Fréquence, fonctionnement min. 1.8MHz

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    NXP 

    Transistor FET RF, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

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    Tension Vds max.. 133VDC
    Courant de drain Id -
    Dissipation de puissance Pd 1.333kW
    Fréquence, fonctionnement min. 1.8MHz
    Fréquence, fonctionnement max.. 600MHz
    Boîtier de transistor RF NI-1230
    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 225°C
    Gamme de produit -

    153

    1+ 154,00 € Prix pour 5+ 151,00 € Prix pour 10+ 142,00 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2776254
    2776254RL en Mise en bobine

    1+ 154,00 € 5+ 151,00 € 10+ 142,00 €

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    133VDC - 1.333kW 1.8MHz 600MHz NI-1230 4Broche(s) 225°C -

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