NXP Semiconducteurs - Composants discrets

: 466 produit(s) trouvé(s)
1 filtre appliqué
466 produit(s) trouvé(s) Veuillez cliquer sur le bouton « Appliquer les filtres » pour mettre à jour les résultats
Min. / Max. Disponibilité

Lorsque la case « Se souvenir » est sélectionnée, vos préférences les plus récentes en matière de filtres seront enregistrées pour vos futures recherches

Conformité
Emballage

Nouvelle fonctionnalité !

Sélectionner les filtres

Vous pouvez maintenant sélectionner les filtres en utilisant :

  • la touche « Majuscule » + Sélectionner
  • la touche « Contrôle » + Sélectionner
  • Sélectionner + Glisser »
OK, j'ai compris

L'affichage de la tarification du contrat est actuellement indisponible. Les tarifs affichés correspondent aux prix de vente standard. Cependant, la tarification du contrat sera appliquée lors du traitement des commandes.

filtre appliqué
Fabricant
= NXP
Comparer les produits sélectionnés Comparer Ajouter le(s) produit(s) sélectionné(s) Ajouter
Autres paramètres Attributs
Ajouter des propriétés au tableau

Sélectionnez les propriétés que vous souhaiteriez ajouter aux colonnes à la fin du tableau.

  Réf. Fabricant : Code Commande Fabricant / Description
Dispo Prix pour
Prix
Quantité
Polarité transistor Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo Fréquence de transition ft Dissipation de puissance Pd Courant de collecteur DC Gain en courant DC hFE Boîtier de transistor RF Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
BFR93A,215
BFR93A,215 - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 35 mA, 90 hFE

1081300

NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 35 mA, 90 hFE

Polarité transistor NPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 12V
Fréquence de transition ft 6GHz

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 35 mA, 90 hFE

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

7 990 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

30 868 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 29/07/19

Polarité transistor NPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 12V
Fréquence de transition ft 6GHz
Dissipation de puissance Pd 300mW
Courant de collecteur DC 35mA
Gain en courant DC hFE 90hFE
Boîtier de transistor RF SOT-23
Nombre de broches 3Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 175°C
Gamme de produit -
Normes Qualification Automobile -

38 858

5+ 0,292 € Prix pour 25+ 0,277 € Prix pour 100+ 0,163 € Prix pour 250+ 0,149 € Prix pour 500+ 0,131 € Prix pour 1000+ 0,108 € Prix pour 5000+ 0,0962 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1081300
1081300RL en Mise en bobine

5+ 0,292 €   25+ 0,277 €   100+ 0,163 €   250+ 0,149 €   500+ 0,131 €   1000+ 0,108 €   5000+ 0,0962 €   Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 5 Mult: 5
NPN 12V 6GHz 300mW 35mA 90hFE SOT-23 3Broche(s) 175°C - -
BF991,215
BF991,215 - Transistor FET RF, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143B

1349658

NXP - Transistor FET RF, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143B

Dissipation de puissance Pd 200mW
Boîtier de transistor RF SOT-143B
Nombre de broches 4Broche(s)

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Transistor FET RF, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143B

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

300 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

978 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 18/02/19

Polarité transistor -
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
Fréquence de transition ft -
Dissipation de puissance Pd 200mW
Courant de collecteur DC -
Gain en courant DC hFE -
Boîtier de transistor RF SOT-143B
Nombre de broches 4Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 150°C
Gamme de produit -
Normes Qualification Automobile -

1 278

5+ 0,334 € Prix pour 25+ 0,311 € Prix pour 100+ 0,263 € Prix pour 250+ 0,248 € Prix pour 500+ 0,232 € Prix pour 1000+ 0,209 € Prix pour 5000+ 0,189 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1349658
1349658RL en Mise en bobine

5+ 0,334 €   25+ 0,311 €   100+ 0,263 €   250+ 0,248 €   500+ 0,232 €   1000+ 0,209 €   5000+ 0,189 €   Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 5 Mult: 5
- - - 200mW - - SOT-143B 4Broche(s) 150°C - -
BB131,115
BB131,115 - Diode à capacité variable, Varicap, 17 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

1349651

NXP - Diode à capacité variable, Varicap, 17 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BB131 Series

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Diode à capacité variable, Varicap, 17 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

75 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

1 638 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 29/04/19

Polarité transistor -
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
Fréquence de transition ft -
Dissipation de puissance Pd -
Courant de collecteur DC -
Gain en courant DC hFE -
Boîtier de transistor RF -
Nombre de broches -
Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BB131 Series
Normes Qualification Automobile -

1 713

5+ 0,272 € Prix pour 25+ 0,204 € Prix pour 100+ 0,115 € Prix pour 250+ 0,109 € Prix pour 500+ 0,0907 € Prix pour 1000+ 0,0724 € Prix pour 5000+ 0,0612 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1349651
1349651RL en Mise en bobine

5+ 0,272 €   25+ 0,204 €   100+ 0,115 €   250+ 0,109 €   500+ 0,0907 €   1000+ 0,0724 €   5000+ 0,0612 €   Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 5 Mult: 5
- - - - - - - - 125°C BB131 Series -
AFT05MS003NT1
AFT05MS003NT1 - Transistor FET RF, 30 VDC, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

2776248

NXP - Transistor FET RF, 30 VDC, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

Dissipation de puissance Pd 30.5W
Boîtier de transistor RF SOT-89
Nombre de broches 3Broche(s)

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Transistor FET RF, 30 VDC, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

48 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

645 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 22/04/19

Polarité transistor -
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
Fréquence de transition ft -
Dissipation de puissance Pd 30.5W
Courant de collecteur DC -
Gain en courant DC hFE -
Boîtier de transistor RF SOT-89
Nombre de broches 3Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 150°C
Gamme de produit -
Normes Qualification Automobile -

693

1+ 3,09 € Prix pour 10+ 2,28 € Prix pour 100+ 2,05 € Prix pour 250+ 1,89 € Prix pour 500+ 1,71 € Prix pour 1000+ 1,42 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2776248
2776248RL en Mise en bobine

1+ 3,09 €   10+ 2,28 €   100+ 2,05 €   250+ 1,89 €   500+ 1,71 €   1000+ 1,42 €   Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 1 Mult: 1
- - - 30.5W - - SOT-89 3Broche(s) 150°C - -
PMBFJ112,215
PMBFJ112,215 - Transistor JFET, JFET, 40 V, 5 mA, -3 V, SOT-23, JFET

1349667

NXP - Transistor JFET, JFET, 40 V, 5 mA, -3 V, SOT-23, JFET

Température de fonctionnement max.. 150°C

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Transistor JFET, JFET, 40 V, 5 mA, -3 V, SOT-23, JFET

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

17 285 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Disponible jusqu'à épuisement du stock
Polarité transistor -
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
Fréquence de transition ft -
Dissipation de puissance Pd -
Courant de collecteur DC -
Gain en courant DC hFE -
Boîtier de transistor RF -
Nombre de broches -
Température de fonctionnement max.. 150°C
Gamme de produit -
Normes Qualification Automobile -

17 285

5+ 0,294 € Prix pour 25+ 0,268 € Prix pour 100+ 0,211 € Prix pour 250+ 0,198 € Prix pour 500+ 0,188 € Prix pour 1000+ 0,156 € Prix pour 5000+ 0,143 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1349667
1349667RL en Mise en bobine
Disponible jusqu'à épuisement du stock

5+ 0,294 €   25+ 0,268 €   100+ 0,211 €   250+ 0,198 €   500+ 0,188 €   1000+ 0,156 €   5000+ 0,143 €   Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 5 Mult: 5
- - - - - - - - 150°C - -
BF904,215
BF904,215 - Transistor FET RF, 7 V, 30 mA, 200 mW, 40 MHz, 3 GHz, SOT-143B

1349657

NXP - Transistor FET RF, 7 V, 30 mA, 200 mW, 40 MHz, 3 GHz, SOT-143B

Dissipation de puissance Pd 200mW
Boîtier de transistor RF SOT-143B
Nombre de broches 4Broche(s)

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Transistor FET RF, 7 V, 30 mA, 200 mW, 40 MHz, 3 GHz, SOT-143B

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

10 319 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 29/07/19

Polarité transistor -
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
Fréquence de transition ft -
Dissipation de puissance Pd 200mW
Courant de collecteur DC -
Gain en courant DC hFE -
Boîtier de transistor RF SOT-143B
Nombre de broches 4Broche(s)
Température de fonctionnement max.. 150°C
Gamme de produit -
Normes Qualification Automobile -

10 319

5+ 0,169 € Prix pour 25+ 0,144 € Prix pour 100+ 0,126 € Prix pour 250+ 0,121 € Prix pour 500+ 0,116 € Prix pour 1000+ 0,113 € Prix pour 5000+ 0,111 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1349657
1349657RL en Mise en bobine

5+ 0,169 €   25+ 0,144 €   100+ 0,126 €   250+ 0,121 €   500+ 0,116 €   1000+ 0,113 €   5000+ 0,111 €   Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 5 Mult: 5
- - - 200mW - - SOT-143B 4Broche(s) 150°C - -
BB201,215
BB201,215 - Diode à capacité variable, Varicap, 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

1757785

NXP - Diode à capacité variable, Varicap, 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BB201 Series

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Diode à capacité variable, Varicap, 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

3 643 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

740 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 25/03/19

Polarité transistor -
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
Fréquence de transition ft -
Dissipation de puissance Pd -
Courant de collecteur DC -
Gain en courant DC hFE -
Boîtier de transistor RF -
Nombre de broches -
Température de fonctionnement max.. 125°C
Gamme de produit BB201 Series
Normes Qualification Automobile -

4 383

5+ 0,552 € Prix pour 25+ 0,51 € Prix pour 100+ 0,315 € Prix pour 250+ 0,281 € Prix pour 500+ 0,247 € Prix pour 1000+ 0,213 € Prix pour 5000+ 0,207 € Prix pour Plus de tarifs

Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1757785
1757785RL en Mise en bobine

5+ 0,552 €   25+ 0,51 €   100+ 0,315 €   250+ 0,281 €   500+ 0,247 €   1000+ 0,213 €   5000+ 0,207 €   Plus de tarifs

Article restreint
Ajouter
Min: 5 Mult: 5
- - - - - - - - 125°C BB201 Series -
BFS17,215
BFS17,215 - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

1081301

NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

Polarité transistor NPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 15V
Fréquence de transition ft 1GHz

+ Voir toutes les présentations de produits

NXP 

Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

+ Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

90 825 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

4 241 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 24 000 sera/seront disponible(s) le 07/03/19
  • 15 000 sera/seront disponible(s) le 21/03/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 12/08/19

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 15V
    Fréquence de transition ft 1GHz
    Dissipation de puissance Pd 300mW
    Courant de collecteur DC 25mA
    Gain en courant DC hFE 90hFE
    Boîtier de transistor RF SOT-23
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    95 066

    5+ 0,207 € Prix pour 25+ 0,197 € Prix pour 100+ 0,116 € Prix pour 250+ 0,106 € Prix pour 500+ 0,0932 € Prix pour 1000+ 0,0767 € Prix pour 5000+ 0,0683 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1081301
    1081301RL en Mise en bobine

    5+ 0,207 €   25+ 0,197 €   100+ 0,116 €   250+ 0,106 €   500+ 0,0932 €   1000+ 0,0767 €   5000+ 0,0683 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    NPN 15V 1GHz 300mW 25mA 90hFE SOT-23 3Broche(s) 150°C - -
    BF545A,215
    BF545A,215 - Transistor FET RF, 30 V, 6.5 mA, 250 mW, SOT-23

    2776231

    NXP - Transistor FET RF, 30 V, 6.5 mA, 250 mW, SOT-23

    Dissipation de puissance Pd 250mW
    Boîtier de transistor RF SOT-23
    Nombre de broches 3Broche(s)

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor FET RF, 30 V, 6.5 mA, 250 mW, SOT-23

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    1 696 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    2 490 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 25/03/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Fréquence de transition ft -
    Dissipation de puissance Pd 250mW
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Boîtier de transistor RF SOT-23
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. -
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    4 186

    5+ 0,531 € Prix pour 25+ 0,477 € Prix pour 100+ 0,378 € Prix pour 250+ 0,373 € Prix pour 500+ 0,368 € Prix pour 1000+ 0,305 € Prix pour 5000+ 0,241 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2776231
    2776231RL en Mise en bobine

    5+ 0,531 €   25+ 0,477 €   100+ 0,378 €   250+ 0,373 €   500+ 0,368 €   1000+ 0,305 €   5000+ 0,241 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - 250mW - - SOT-23 3Broche(s) - - -
    BB135,115
    BB135,115 - Diode à capacité variable, Varicap, 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

    1349652RL

    NXP - Diode à capacité variable, Varicap, 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit BB135 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Diode à capacité variable, Varicap, 21 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOD-323, 2 broches

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    300 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    3 890 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 29/04/19

    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Fréquence de transition ft -
    Dissipation de puissance Pd -
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Boîtier de transistor RF -
    Nombre de broches -
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit BB135 Series
    Normes Qualification Automobile -

    4 190

    150+ 0,0837 € Prix pour 250+ 0,0755 € Prix pour 500+ 0,0714 € Prix pour 1000+ 0,0632 € Prix pour 5000+ 0,0619 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Mise en bobine
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1349652RL
    1349652 en Bandes découpées
    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

    5+ 0,296 €   25+ 0,0918 €   100+ 0,0837 €   250+ 0,0755 €   500+ 0,0714 €   1000+ 0,0632 €   5000+ 0,0619 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 150 Mult: 5
    - - - - - - - - 125°C BB135 Series -
    PMBFJ175,215
    PMBFJ175,215 - Transistor JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 70 mA, 6 V, SOT-23, JFET

    1758136

    NXP - Transistor JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 70 mA, 6 V, SOT-23, JFET

    Tension, claquage Vbr 30V
    Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min 7mA
    Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max 70mA

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 70 mA, 6 V, SOT-23, JFET

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    300 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    189 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Disponible jusqu'à épuisement du stock
    Tension, claquage Vbr 30V
    Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min 7mA
    Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max 70mA
    Tension, Vgs off max.. 6V
    Type de boîtier de transistor SOT-23
    Type de transistor JFET
    Nbre de broches 3 broches
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    489

    5+ 0,24 € Prix pour 25+ 0,219 € Prix pour 100+ 0,172 € Prix pour 250+ 0,162 € Prix pour 500+ 0,153 € Prix pour 1000+ 0,127 € Prix pour 5000+ 0,117 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1758136
    1758136RL en Mise en bobine
    Disponible jusqu'à épuisement du stock

    5+ 0,24 €   25+ 0,219 €   100+ 0,172 €   250+ 0,162 €   500+ 0,153 €   1000+ 0,127 €   5000+ 0,117 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 150°C - -
    BBY40,215
    BBY40,215 - Diode à capacité variable, Varicap, 6 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

    1081217

    NXP - Diode à capacité variable, Varicap, 6 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit BBY40 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Diode à capacité variable, Varicap, 6 pF, 20 mA, 30 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    730 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    680 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 07/02/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 25/03/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Fréquence de transition ft -
    Dissipation de puissance Pd -
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Boîtier de transistor RF -
    Nombre de broches -
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit BBY40 Series
    Normes Qualification Automobile -

    1 410

    5+ 0,195 € Prix pour 25+ 0,165 € Prix pour 100+ 0,146 € Prix pour 250+ 0,136 € Prix pour 500+ 0,126 € Prix pour 1000+ 0,117 € Prix pour 5000+ 0,102 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1081217
    1081217RL en Mise en bobine

    5+ 0,195 €   25+ 0,165 €   100+ 0,146 €   250+ 0,136 €   500+ 0,126 €   1000+ 0,117 €   5000+ 0,102 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 125°C BBY40 Series -
    BFR106,215
    BFR106,215 - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, 80 hFE

    1081293

    NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, 80 hFE

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 15V
    Fréquence de transition ft 5GHz

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, 80 hFE

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    225 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    120 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 06/05/19

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 15V
    Fréquence de transition ft 5GHz
    Dissipation de puissance Pd 500mW
    Courant de collecteur DC 100mA
    Gain en courant DC hFE 80hFE
    Boîtier de transistor RF SOT-23
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    345

    5+ 0,325 € Prix pour 25+ 0,293 € Prix pour 100+ 0,216 € Prix pour 250+ 0,201 € Prix pour 500+ 0,187 € Prix pour 1000+ 0,164 € Prix pour 5000+ 0,154 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1081293
    1081293RL en Mise en bobine

    5+ 0,325 €   25+ 0,293 €   100+ 0,216 €   250+ 0,201 €   500+ 0,187 €   1000+ 0,164 €   5000+ 0,154 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    NPN 15V 5GHz 500mW 100mA 80hFE SOT-23 3Broche(s) 150°C - -
    BFU530AR
    BFU530AR - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE

    2776269

    NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 12V
    Fréquence de transition ft 11GHz

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    2 750 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    2 422 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 25/03/19

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 12V
    Fréquence de transition ft 11GHz
    Dissipation de puissance Pd 450mW
    Courant de collecteur DC 40mA
    Gain en courant DC hFE 60hFE
    Boîtier de transistor RF SOT-23
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    5 172

    5+ 0,403 € Prix pour 25+ 0,38 € Prix pour 100+ 0,216 € Prix pour 250+ 0,192 € Prix pour 500+ 0,167 € Prix pour 1000+ 0,143 € Prix pour 5000+ 0,128 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2776269
    2776269RL en Mise en bobine

    5+ 0,403 €   25+ 0,38 €   100+ 0,216 €   250+ 0,192 €   500+ 0,167 €   1000+ 0,143 €   5000+ 0,128 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    NPN 12V 11GHz 450mW 40mA 60hFE SOT-23 3Broche(s) 150°C - AEC-Q101
    BAP64-02,115
    BAP64-02,115 - Diode PIN / RF, Une, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 broches, 0.35 pF

    1757789

    NXP - Diode PIN / RF, Une, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 broches, 0.35 pF

    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit BAP64 Series

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Diode PIN / RF, Une, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 broches, 0.35 pF

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    3 253 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 21/07/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 26/08/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Fréquence de transition ft -
    Dissipation de puissance Pd -
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Boîtier de transistor RF -
    Nombre de broches -
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit BAP64 Series
    Normes Qualification Automobile -

    3 253

    5+ 0,106 € Prix pour 25+ 0,10 € Prix pour 100+ 0,0939 € Prix pour 250+ 0,0884 € Prix pour 500+ 0,0828 € Prix pour 1000+ 0,0667 € Prix pour 5000+ 0,0636 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1757789
    1757789RL en Mise en bobine

    5+ 0,106 €   25+ 0,10 €   100+ 0,0939 €   250+ 0,0884 €   500+ 0,0828 €   1000+ 0,0667 €   5000+ 0,0636 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 150°C BAP64 Series -
    BFR93A,215
    BFR93A,215 - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 35 mA, 90 hFE

    1081300RL

    NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 35 mA, 90 hFE

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 12V
    Fréquence de transition ft 6GHz

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 35 mA, 90 hFE

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    7 990 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    30 868 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 29/07/19

    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 12V
    Fréquence de transition ft 6GHz
    Dissipation de puissance Pd 300mW
    Courant de collecteur DC 35mA
    Gain en courant DC hFE 90hFE
    Boîtier de transistor RF SOT-23
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    38 858

    150+ 0,163 € Prix pour 250+ 0,149 € Prix pour 500+ 0,131 € Prix pour 1000+ 0,108 € Prix pour 5000+ 0,0962 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Mise en bobine
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1081300RL
    1081300 en Bandes découpées
    Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

    5+ 0,292 €   25+ 0,277 €   100+ 0,163 €   250+ 0,149 €   500+ 0,131 €   1000+ 0,108 €   5000+ 0,0962 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 150 Mult: 5
    NPN 12V 6GHz 300mW 35mA 90hFE SOT-23 3Broche(s) 175°C - -
    BFU590GX
    BFU590GX - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    2776268

    NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 12V
    Fréquence de transition ft 8.5GHz

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    400 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    606 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 1 000 sera/seront disponible(s) le 28/03/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 25/03/19

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 12V
    Fréquence de transition ft 8.5GHz
    Dissipation de puissance Pd 2W
    Courant de collecteur DC 200mA
    Gain en courant DC hFE 60hFE
    Boîtier de transistor RF SOT-223
    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    1 006

    5+ 0,707 € Prix pour 25+ 0,638 € Prix pour 100+ 0,485 € Prix pour 250+ 0,457 € Prix pour 500+ 0,428 € Prix pour 1000+ 0,30 € Prix pour 5000+ 0,29 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2776268
    2776268RL en Mise en bobine

    5+ 0,707 €   25+ 0,638 €   100+ 0,485 €   250+ 0,457 €   500+ 0,428 €   1000+ 0,30 €   5000+ 0,29 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    NPN 12V 8.5GHz 2W 200mA 60hFE SOT-223 4Broche(s) 150°C - AEC-Q101
    BFU910FX
    BFU910FX - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 2 V, 90 GHz, 300 mW, 15 mA, 1200 hFE

    2776287

    NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 2 V, 90 GHz, 300 mW, 15 mA, 1200 hFE

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 2V
    Fréquence de transition ft 90GHz

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 2 V, 90 GHz, 300 mW, 15 mA, 1200 hFE

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    575 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    3 001 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 25/03/19

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 2V
    Fréquence de transition ft 90GHz
    Dissipation de puissance Pd 300mW
    Courant de collecteur DC 15mA
    Gain en courant DC hFE 1200hFE
    Boîtier de transistor RF SOT-343F
    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    3 576

    5+ 0,301 € Prix pour 25+ 0,289 € Prix pour 100+ 0,14 € Prix pour 250+ 0,136 € Prix pour 500+ 0,115 € Prix pour 1000+ 0,0932 € Prix pour 5000+ 0,0718 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2776287
    2776287RL en Mise en bobine

    5+ 0,301 €   25+ 0,289 €   100+ 0,14 €   250+ 0,136 €   500+ 0,115 €   1000+ 0,0932 €   5000+ 0,0718 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    NPN 2V 90GHz 300mW 15mA 1200hFE SOT-343F 4Broche(s) 150°C - -
    BFR31,215
    BFR31,215 - Transistor JFET, JFET, 1 mA, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, JFET

    1758134

    NXP - Transistor JFET, JFET, 1 mA, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, JFET

    Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min 1mA
    Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max 5mA
    Tension, Vgs off max.. -2.5V

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor JFET, JFET, 1 mA, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, JFET

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    1 126 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    2 355 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 25/03/19

    Tension, claquage Vbr -
    Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min 1mA
    Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max 5mA
    Tension, Vgs off max.. -2.5V
    Type de boîtier de transistor SOT-23
    Type de transistor JFET
    Nbre de broches 3 broches
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    3 481

    5+ 0,321 € Prix pour 25+ 0,288 € Prix pour 100+ 0,225 € Prix pour 250+ 0,224 € Prix pour 500+ 0,223 € Prix pour 1000+ 0,148 € Prix pour 5000+ 0,133 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1758134
    1758134RL en Mise en bobine

    5+ 0,321 €   25+ 0,288 €   100+ 0,225 €   250+ 0,224 €   500+ 0,223 €   1000+ 0,148 €   5000+ 0,133 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 150°C - -
    AFT05MS004NT1
    AFT05MS004NT1 - Transistor FET RF, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89

    2776253

    NXP - Transistor FET RF, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89

    Tension Vds max.. 30VDC
    Dissipation de puissance Pd 28W
    Fréquence, fonctionnement min. 136MHz

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor FET RF, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    20 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    53 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 1 000 sera/seront disponible(s) le 13/04/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 22/04/19

    Tension Vds max.. 30VDC
    Courant de drain Id -
    Dissipation de puissance Pd 28W
    Fréquence, fonctionnement min. 136MHz
    Fréquence, fonctionnement max.. 941MHz
    Boîtier de transistor RF SOT-89
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -

    73

    1+ 1,98 € Prix pour 10+ 1,49 € Prix pour 100+ 1,32 € Prix pour 250+ 1,20 € Prix pour 500+ 1,09 € Prix pour 1000+ 0,979 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2776253
    2776253RL en Mise en bobine

    1+ 1,98 €   10+ 1,49 €   100+ 1,32 €   250+ 1,20 €   500+ 1,09 €   1000+ 0,979 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    - - - 28W - - SOT-89 3Broche(s) 150°C - -
    PMBF4393,215
    PMBF4393,215 - Transistor FET RF, 40 V, 30 mA, 250 mW, SOT-23

    2776233

    NXP - Transistor FET RF, 40 V, 30 mA, 250 mW, SOT-23

    Dissipation de puissance Pd 250mW
    Boîtier de transistor RF SOT-23
    Nombre de broches 3Broche(s)

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor FET RF, 40 V, 30 mA, 250 mW, SOT-23

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    70 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    2 227 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 25/03/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Fréquence de transition ft -
    Dissipation de puissance Pd 250mW
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Boîtier de transistor RF SOT-23
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    2 297

    5+ 0,326 € Prix pour 25+ 0,265 € Prix pour 100+ 0,196 € Prix pour 250+ 0,19 € Prix pour 500+ 0,184 € Prix pour 1000+ 0,121 € Prix pour 5000+ 0,115 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2776233
    2776233RL en Mise en bobine

    5+ 0,326 €   25+ 0,265 €   100+ 0,196 €   250+ 0,19 €   500+ 0,184 €   1000+ 0,121 €   5000+ 0,115 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    - - - 250mW - - SOT-23 3Broche(s) 150°C - -
    BLT81,115
    BLT81,115 - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

    1212471

    NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 9.5V
    Fréquence de transition ft 900MHz

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    87 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 25/03/19

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 9.5V
    Fréquence de transition ft 900MHz
    Dissipation de puissance Pd 2W
    Courant de collecteur DC 500mA
    Gain en courant DC hFE 25hFE
    Boîtier de transistor RF SOT-223
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    87

    5+ 0,847 € Prix pour 25+ 0,83 € Prix pour 100+ 0,813 € Prix pour 250+ 0,796 € Prix pour 500+ 0,779 € Prix pour 1000+ 0,762 € Prix pour 5000+ 0,745 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1212471
    1212471RL en Mise en bobine

    5+ 0,847 €   25+ 0,83 €   100+ 0,813 €   250+ 0,796 €   500+ 0,779 €   1000+ 0,762 €   5000+ 0,745 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    NPN 9.5V 900MHz 2W 500mA 25hFE SOT-223 3Broche(s) 175°C - -
    BFG35,115
    BFG35,115 - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

    1758045

    NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 18V
    Fréquence de transition ft 4GHz

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    118 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    1 794 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 25/03/19

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 18V
    Fréquence de transition ft 4GHz
    Dissipation de puissance Pd 1W
    Courant de collecteur DC 150mA
    Gain en courant DC hFE 70hFE
    Boîtier de transistor RF SOT-223
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    1 912

    5+ 0,602 € Prix pour 25+ 0,585 € Prix pour 100+ 0,577 € Prix pour 250+ 0,561 € Prix pour 500+ 0,545 € Prix pour 1000+ 0,38 € Prix pour 5000+ 0,372 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :1758045
    1758045RL en Mise en bobine

    5+ 0,602 €   25+ 0,585 €   100+ 0,577 €   250+ 0,561 €   500+ 0,545 €   1000+ 0,38 €   5000+ 0,372 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    NPN 18V 4GHz 1W 150mA 70hFE SOT-223 3Broche(s) 175°C - -
    BFU590QX
    BFU590QX - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    2776273

    NXP - Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 12V
    Fréquence de transition ft 8GHz

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    110 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    417 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 29/04/19

    Polarité transistor NPN
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 12V
    Fréquence de transition ft 8GHz
    Dissipation de puissance Pd 2W
    Courant de collecteur DC 200mA
    Gain en courant DC hFE 60hFE
    Boîtier de transistor RF SOT-89
    Nombre de broches 3Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile AEC-Q101

    527

    5+ 0,758 € Prix pour 25+ 0,677 € Prix pour 100+ 0,436 € Prix pour 250+ 0,389 € Prix pour 500+ 0,342 € Prix pour 1000+ 0,295 € Prix pour 5000+ 0,284 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2776273
    2776273RL en Mise en bobine

    5+ 0,758 €   25+ 0,677 €   100+ 0,436 €   250+ 0,389 €   500+ 0,342 €   1000+ 0,295 €   5000+ 0,284 €   Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 5 Mult: 5
    NPN 12V 8GHz 2W 200mA 60hFE SOT-89 3Broche(s) 150°C - AEC-Q101
    MRFE6VS25NR1
    MRFE6VS25NR1 - Transistor FET RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270

    2776252

    NXP - Transistor FET RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270

    Boîtier de transistor RF TO-270
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 225°C

    + Voir toutes les présentations de produits

    NXP 

    Transistor FET RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    411 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 17/06/19

    Polarité transistor -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Fréquence de transition ft -
    Dissipation de puissance Pd -
    Courant de collecteur DC -
    Gain en courant DC hFE -
    Boîtier de transistor RF TO-270
    Nombre de broches 2Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 225°C
    Gamme de produit -
    Normes Qualification Automobile -

    411

    1+ 24,56 € Prix pour 5+ 24,32 € Prix pour 10+ 21,64 € Prix pour 50+ 20,05 € Prix pour 100+ 18,46 € Prix pour

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées
    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2776252
    2776252RL en Mise en bobine

    1+ 24,56 €   5+ 24,32 €   10+ 21,64 €   50+ 20,05 €   100+ 18,46 €  

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    - - - - - - TO-270 2Broche(s) 225°C - -

    Les clients ont aussi acheté

    Les clients ont aussi acheté

    Les clients ont aussi acheté