Transistors - Réseaux et Modules IGBT

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Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
IXGN200N60B3
IXGN200N60B3 - Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B

2784063

IXYS SEMICONDUCTOR - Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B

Polarité transistor Canal N
Courant de collecteur DC 300A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.35V

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IXYS SEMICONDUCTOR 

Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B

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6 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

8 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 10 sera/seront disponible(s) le 19/06/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 30/09/19

    Polarité transistor Canal N
    Courant de collecteur DC 300A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.35V
    Dissipation de puissance Pd 830W
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 600V
    Type de boîtier de transistor SOT-227B
    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit IGBT Module GenX3 Series

    14

    1+ 30,31 € Prix pour 5+ 28,92 € Prix pour 10+ 25,77 € Prix pour 50+ 25,25 € Prix pour 100+ 21,98 € Prix pour

    Pièce

    1+ 30,31 € 5+ 28,92 € 10+ 25,77 € 50+ 25,25 € 100+ 21,98 €

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 300A 1.35V 830W 600V SOT-227B 4Broche(s) 150°C IGBT Module GenX3 Series
    VLA517-01R
    VLA517-01R - Driver IGBT et MOSFET isolation galvanique, 4A, SIP-15

    1689601

    FUJI ELECTRIC - Driver IGBT et MOSFET isolation galvanique, 4A, SIP-15

    Polarité transistor Canal N
    Courant de collecteur DC 4A
    Type de boîtier de transistor SIP

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    FUJI ELECTRIC 

    Driver IGBT et MOSFET isolation galvanique, 4A, SIP-15

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    28 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    4 051 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 06/01/20

    Polarité transistor Canal N
    Courant de collecteur DC 4A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) -
    Dissipation de puissance Pd -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo -
    Type de boîtier de transistor SIP
    Nombre de broches 15Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 60°C
    Gamme de produit -

    4 079

    1+ 14,90 € Prix pour 5+ 14,04 € Prix pour 10+ 13,15 € Prix pour 50+ 12,88 € Prix pour 100+ 12,62 € Prix pour 250+ 12,36 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 14,90 € 5+ 14,04 € 10+ 13,15 € 50+ 12,88 € 100+ 12,62 € 250+ 12,36 € Plus de tarifs

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 4A - - - SIP 15Broche(s) 60°C -
    SKM50GB12T4
    SKM50GB12T4 - Transistor module et réseau IGBT, Double NPN, 81 A, 1.85 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2

    2301737

    SEMIKRON - Transistor module et réseau IGBT, Double NPN, 81 A, 1.85 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2

    Polarité transistor Double NPN
    Courant de collecteur DC 81A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.85V

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    SEMIKRON 

    Transistor module et réseau IGBT, Double NPN, 81 A, 1.85 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2

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    17 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 01/07/19

    Polarité transistor Double NPN
    Courant de collecteur DC 81A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.85V
    Dissipation de puissance Pd -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 1.2kV
    Type de boîtier de transistor SEMITRANS 2
    Nombre de broches 7Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -

    17

    1+ 55,16 € Prix pour 5+ 54,73 € Prix pour 10+ 54,30 € Prix pour 50+ 53,88 € Prix pour

    Pièce

    1+ 55,16 € 5+ 54,73 € 10+ 54,30 € 50+ 53,88 €

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    Double NPN 81A 1.85V - 1.2kV SEMITRANS 2 7Broche(s) 175°C -
    2MBI100TA-060-50
    2MBI100TA-060-50 - Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

    1689571

    FUJI ELECTRIC - Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

    Courant de collecteur DC 100A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 2.4V
    Dissipation de puissance Pd 310W

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    FUJI ELECTRIC 

    Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

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    1 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    584 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 100 sera/seront disponible(s) le 10/04/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 06/01/20

    Courant de collecteur DC 100A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 2.4V
    Dissipation de puissance Pd 310W

    585

    1+ 47,93 € Prix pour 5+ 46,73 € Prix pour 10+ 45,50 € Prix pour 50+ 44,59 € Prix pour 100+ 43,70 € Prix pour

    Pièce

    1+ 47,93 € 5+ 46,73 € 10+ 45,50 € 50+ 44,59 € 100+ 43,70 €

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 100A 2.4V 310W 600V Module 7Broche(s) 150°C -
    SKM400GB125D
    SKM400GB125D - Transistor module et réseau IGBT, Double canal N, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    2423700

    SEMIKRON - Transistor module et réseau IGBT, Double canal N, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    Polarité transistor Double canal N
    Courant de collecteur DC 400A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 3.3V

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    SEMIKRON 

    Transistor module et réseau IGBT, Double canal N, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

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    21 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 17/06/19

    Polarité transistor Double canal N
    Courant de collecteur DC 400A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 3.3V
    Dissipation de puissance Pd -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 1.2kV
    Type de boîtier de transistor Module
    Nombre de broches 7Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -

    21

    1+ 306,00 € Prix pour 5+ 254,00 € Prix pour

    Pièce

    1+ 306,00 € 5+ 254,00 €

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    Double canal N 400A 3.3V - 1.2kV Module 7Broche(s) 150°C -
    2MBI100U4A-120-50
    2MBI100U4A-120-50 - Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module

    1689580

    FUJI ELECTRIC - Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module

    Polarité transistor Canal N
    Courant de collecteur DC 150A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 2.2V

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    FUJI ELECTRIC 

    Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    100 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 06/01/20

    Polarité transistor Canal N
    Courant de collecteur DC 150A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 2.2V
    Dissipation de puissance Pd 540W
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 1.2kV
    Type de boîtier de transistor Module
    Nombre de broches 7Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 125°C
    Gamme de produit -

    100

    1+ 76,80 € Prix pour 5+ 64,68 € Prix pour 10+ 59,97 € Prix pour 50+ 48,45 € Prix pour

    Pièce

    1+ 76,80 € 5+ 64,68 € 10+ 59,97 € 50+ 48,45 €

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 150A 2.2V 540W 1.2kV Module 7Broche(s) 125°C -
    VS-GA200SA60UP
    VS-GA200SA60UP - Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227

    2547317

    VISHAY - Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227

    Polarité transistor Canal N
    Courant de collecteur DC 200A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.92V

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    VISHAY 

    Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    3 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 10 sera/seront disponible(s) le 22/07/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 21/10/19

    Polarité transistor Canal N
    Courant de collecteur DC 200A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.92V
    Dissipation de puissance Pd 500W
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 600V
    Type de boîtier de transistor SOT-227
    Nombre de broches 4Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -

    3

    1+ 33,06 € Prix pour 5+ 29,75 € Prix pour 10+ 27,44 € Prix pour 50+ 26,71 € Prix pour 100+ 25,98 € Prix pour

    Pièce

    1+ 33,06 € 5+ 29,75 € 10+ 27,44 € 50+ 26,71 € 100+ 25,98 €

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 200A 1.92V 500W 600V SOT-227 4Broche(s) 150°C -
    VS-CPV363M4FPBF
    VS-CPV363M4FPBF - Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 11 A, 2 V, 36 W, 600 V, SIP

    2101469

    VISHAY - Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 11 A, 2 V, 36 W, 600 V, SIP

    Polarité transistor Canal N
    Courant de collecteur DC 11A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 2V

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    VISHAY 

    Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 11 A, 2 V, 36 W, 600 V, SIP

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    2 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    12 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 5 sera/seront disponible(s) le 16/04/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 30/03/20

    Polarité transistor Canal N
    Courant de collecteur DC 11A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 2V
    Dissipation de puissance Pd 36W
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 600V
    Type de boîtier de transistor SIP
    Nombre de broches 13Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit -

    14

    1+ 53,68 € Prix pour 5+ 52,70 € Prix pour 10+ 48,94 € Prix pour

    Pièce

    1+ 53,68 € 5+ 52,70 € 10+ 48,94 €

    Article restreint
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 11A 2V 36W 600V SIP 13Broche(s) 150°C -
    FSBB15CH60C
    FSBB15CH60C - Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

    1700678

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

    Polarité transistor Canal N
    Courant de collecteur DC 15A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 2V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    40 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    15 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 60 sera/seront disponible(s) le 31/05/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 02/03/20

    Polarité transistor Canal N
    Courant de collecteur DC 15A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 2V
    Dissipation de puissance Pd 55W
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 600V
    Type de boîtier de transistor SPM27-CC
    Nombre de broches 27Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 150°C
    Gamme de produit Motion SPM 3 Series

    55

    1+ 17,64 € Prix pour 5+ 15,77 € Prix pour 10+ 14,77 € Prix pour 50+ 13,90 € Prix pour 100+ 13,02 € Prix pour 250+ 11,58 € Prix pour Plus de tarifs

    Pièce

    1+ 17,64 € 5+ 15,77 € 10+ 14,77 € 50+ 13,90 € 100+ 13,02 € 250+ 11,58 € Plus de tarifs

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 15A 2V 55W 600V SPM27-CC 27Broche(s) 150°C Motion SPM 3 Series
    SKM150GB12V
    SKM150GB12V - Transistor module et réseau IGBT, Double canal N, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    2423689

    SEMIKRON - Transistor module et réseau IGBT, Double canal N, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    Polarité transistor Double canal N
    Courant de collecteur DC 231A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.75V

    + Voir toutes les présentations de produits

    SEMIKRON 

    Transistor module et réseau IGBT, Double canal N, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    + Consulter le stock et les délais d'approvisionnement

    1 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    8 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 17/06/19

    Polarité transistor Double canal N
    Courant de collecteur DC 231A
    Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on) 1.75V
    Dissipation de puissance Pd -
    Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 1.2kV
    Type de boîtier de transistor Module
    Nombre de broches 7Broche(s)
    Température de fonctionnement max.. 175°C
    Gamme de produit -

    9

    1+ 117,00 € Prix pour 5+ 107,00 € Prix pour 10+ 103,00 € Prix pour

    Pièce

    1+ 117,00 € 5+ 107,00 € 10+ 103,00 €

    Article restreint
    Ajouter
    Min: 1 Mult: 1
    Double canal N 231A 1.75V - 1.2kV Module 7Broche(s) 175°C -
    SKM150GAL12T4
    SKM150GAL12T4 - Transistor module et réseau IGBT, NPN, 232 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    2423685