Transistors MOSFET Simple

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Polarité transistor Tension Vds max.. Courant de drain Id Résistance Rds(on) Type de boîtier de transistor Montage transistor Tension, mesure Rds Tension de seuil Vgs Dissipation de puissance Pd Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
SIRC10DP-T1-GE3
SIRC10DP-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0029 ohm, PowerPAK SO, Montage en surface

2747684

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0029 ohm, PowerPAK SO, Montage en surface

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1+ 0,724 € 10+ 0,601 € 100+ 0,424 € 500+ 0,357 € 1000+ 0,353 € 5000+ 0,348 € Plus de tarifs

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Canal N + Schottky 30V 60A 0.0029ohm PowerPAK SO Montage en surface 10V 2.4V 43W 8Broche(s) 150°C TrenchFET Series -
SISS66DN-T1-GE3
SISS66DN-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 178.3 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212

3128852

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 178.3 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212

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1+ 1,25 € 10+ 0,952 € 100+ 0,742 € 250+ 0,689 € 500+ 0,633 € 1000+ 0,541 € 5000+ 0,513 € Plus de tarifs

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Canal N + Schottky 30V 178.3A 0.00115ohm PowerPAK 1212 Montage en surface 10V 2.5V 65.8W 8Broche(s) 150°C TrenchFET Series -
IRF6795MTRPBF
IRF6795MTRPBF - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Montage en surface

2725896

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Montage en surface

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2725896RL en Mise en bobine

1+ 1,48 € 10+ 1,15 € 100+ 0,842 € 500+ 0,727 € 1000+ 0,683 € 5000+ 0,638 € Plus de tarifs

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Canal N + Schottky 25V 160A 0.0014ohm DirectFET MX Montage en surface 10V 1.8V 75W 7Broche(s) 150°C HEXFET Series -
SISS60DN-T1-GE3
SISS60DN-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 181.8 A, 0.00109 ohm, PowerPAK 1212

3128851RL

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 181.8 A, 0.00109 ohm, PowerPAK 1212

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10+ 0,937 € 100+ 0,73 € 250+ 0,677 € 500+ 0,623 € 1000+ 0,531 € 5000+ 0,505 € Plus de tarifs

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Canal N + Schottky 30V 181.8A 0.00109ohm PowerPAK 1212 Montage en surface 10V 2.5V 65.8W 8Broche(s) 150°C TrenchFET Series -
SIRC10DP-T1-GE3
SIRC10DP-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0029 ohm, PowerPAK SO, Montage en surface

2747684RL

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0029 ohm, PowerPAK SO, Montage en surface

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Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

100+ 0,424 € 500+ 0,357 € 1000+ 0,353 € 5000+ 0,348 €

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Canal N + Schottky 30V 60A 0.0029ohm PowerPAK SO Montage en surface 10V 2.4V 43W 8Broche(s) 150°C TrenchFET Series -
SISS66DN-T1-GE3
SISS66DN-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 178.3 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212

3128852RL

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 178.3 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212

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Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

10+ 0,952 € 100+ 0,742 € 250+ 0,689 € 500+ 0,633 € 1000+ 0,541 € 5000+ 0,513 € Plus de tarifs

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Min: 10 Mult: 1
Canal N + Schottky 30V 178.3A 0.00115ohm PowerPAK 1212 Montage en surface 10V 2.5V 65.8W 8Broche(s) 150°C TrenchFET Series -
IRF6795MTRPBF
IRF6795MTRPBF - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Montage en surface

2725896RL

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Montage en surface

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2725896 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

10+ 1,15 € 100+ 0,842 € 500+ 0,727 € 1000+ 0,683 € 5000+ 0,638 €

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Min: 10 Mult: 1
Canal N + Schottky 25V 160A 0.0014ohm DirectFET MX Montage en surface 10V 1.8V 75W 7Broche(s) 150°C HEXFET Series -
SISS60DN-T1-GE3
SISS60DN-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 181.8 A, 0.00109 ohm, PowerPAK 1212

3128851

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 181.8 A, 0.00109 ohm, PowerPAK 1212

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Bandes découpées
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3128851RL en Mise en bobine

1+ 1,23 € 10+ 0,937 € 100+ 0,73 € 250+ 0,677 € 500+ 0,623 € 1000+ 0,531 € 5000+ 0,505 € Plus de tarifs

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Min: 1 Mult: 1
Canal N + Schottky 30V 181.8A 0.00109ohm PowerPAK 1212 Montage en surface 10V 2.5V 65.8W 8Broche(s) 150°C TrenchFET Series -
NTLJF4156NT1G
NTLJF4156NT1G - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Montage en surface

2728027

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Montage en surface

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2728027RL en Mise en bobine

5+ 0,42 € 10+ 0,328 € 100+ 0,137 € 3000+ 0,134 € 9000+ 0,131 € 24000+ 0,128 € 45000+ 0,125 € Plus de tarifs

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Min: 5 Mult: 5
Canal N + Schottky 30V 3.7A 0.047ohm WDFN Montage en surface 4.5V 700mV 1.5W 6Broche(s) 150°C - -
NTLJF4156NT1G
NTLJF4156NT1G - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Montage en surface

2728027RL

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Montage en surface

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Mise en bobine
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2728027 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

100+ 0,137 € 3000+ 0,134 € 9000+ 0,131 € 24000+ 0,128 € 45000+ 0,125 €

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Min: 150 Mult: 5
Canal N + Schottky 30V 3.7A 0.047ohm WDFN Montage en surface 4.5V 700mV 1.5W 6Broche(s) 150°C - -
FDS6676AS
FDS6676AS - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montage en surface

2454157

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montage en surface

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Bandes découpées
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2454157RL en Mise en bobine
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5+ 0,882 € 10+ 0,717 € 100+ 0,468 €

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Commande minimale de 5 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 5 Mult: 5
Canal N + Schottky 30V 14.5A 0.0045ohm SOIC Montage en surface 10V 1.5V 2.5W 8Broche(s) 150°C - -
FDS6676AS
FDS6676AS - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montage en surface

2454157RL

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montage en surface

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Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2454157RL
2454157 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Disponible jusqu'à épuisement du stock

10+ 0,717 € 100+ 0,468 €

Article restreint

Commande minimale de 10 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 10 Mult: 5
Canal N + Schottky 30V 14.5A 0.0045ohm SOIC Montage en surface 10V 1.5V 2.5W 8Broche(s) 150°C - -
IRF6894MTRPBF
IRF6894MTRPBF - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 25 V, 163 A, 900 µohm, DirectFET MX, Montage en surface

2725898RL

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 25 V, 163 A, 900 µohm, DirectFET MX, Montage en surface

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2725898RL
2725898 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Disponible jusqu'à épuisement du stock

1+ 0,577 €

Article restreint

Commande minimale de 10 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 10 Mult: 1
Canal N + Schottky 25V 163A 900µohm DirectFET MX Montage en surface 10V 1.6V 54W 6Broche(s) 150°C HEXFET Series -
IRF6894MTRPBF
IRF6894MTRPBF - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 25 V, 163 A, 900 µohm, DirectFET MX, Montage en surface

2725898

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 25 V, 163 A, 900 µohm, DirectFET MX, Montage en surface

INFINEON

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2725898
2725898RL en Mise en bobine
Disponible jusqu'à épuisement du stock

1+ 0,577 €

Article restreint

Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 1 Mult: 1
Canal N + Schottky 25V 163A 900µohm DirectFET MX Montage en surface 10V 1.6V 54W 6Broche(s) 150°C HEXFET Series -
NTLJF4156NTAG
NTLJF4156NTAG - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Montage en surface

3616361

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Montage en surface

ON SEMICONDUCTOR

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Pièce (fournie en bobine complète)

3000+ 0,125 €

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Commande minimale de 3000 articles Multiples de 3000 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 3000 Mult: 3000
Canal N + Schottky 30V 3.7A 0.047ohm WDFN Montage en surface 4.5V 700mV 1.5W 6Broche(s) 150°C - -
SI4812BDY-T1-E3
SI4812BDY-T1-E3 - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 7.3 A, 0.013 ohm, SOIC, Montage en surface

2396095RL

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 7.3 A, 0.013 ohm, SOIC, Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Article restreint
Canal N + Schottky 30V 7.3A 0.013ohm SOIC Montage en surface 10V 3V 1.4W 8Broche(s) 150°C - -
SI4812BDY-T1-E3
SI4812BDY-T1-E3 - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 7.3 A, 0.013 ohm, SOIC, Montage en surface

2396095

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 7.3 A, 0.013 ohm, SOIC, Montage en surface

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Pièce (fournie en bande découpée)

Article restreint
Canal N + Schottky 30V 7.3A 0.013ohm SOIC Montage en surface 10V 3V 1.4W 8Broche(s) 150°C - -