Transistors MOSFET Simple
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Réf. Fabricant : | Code Commande | Description / Fabricant | Disponibilité | Prix pour |
Prix
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Quantité | Polarité transistor | Tension Vds max.. | Courant de drain Id | Résistance Rds(on) | Type de boîtier de transistor | Montage transistor | Tension, mesure Rds | Tension de seuil Vgs | Dissipation de puissance Pd | Nombre de broches | Température de fonctionnement max.. | Gamme de produit | Normes Qualification Automobile | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIRC10DP-T1-GE3
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2747684 |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0029 ohm, PowerPAK SO, Montage en surface VISHAY
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Pièce (fournie en bande découpée) |
1+ 0,724 € 10+ 0,601 € 100+ 0,424 € 500+ 0,357 € 1000+ 0,353 € 5000+ 0,348 € Plus de tarifs |
Article restreint
Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 1
Mult:
1
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Canal N + Schottky | 30V | 60A | 0.0029ohm | PowerPAK SO | Montage en surface | 10V | 2.4V | 43W | 8Broche(s) | 150°C | TrenchFET Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SISS66DN-T1-GE3
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3128852 |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 178.3 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212 VISHAY
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Pièce (fournie en bande découpée) |
1+ 1,25 € 10+ 0,952 € 100+ 0,742 € 250+ 0,689 € 500+ 0,633 € 1000+ 0,541 € 5000+ 0,513 € Plus de tarifs |
Article restreint
Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 1
Mult:
1
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Canal N + Schottky | 30V | 178.3A | 0.00115ohm | PowerPAK 1212 | Montage en surface | 10V | 2.5V | 65.8W | 8Broche(s) | 150°C | TrenchFET Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6795MTRPBF
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2725896 |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Montage en surface INFINEON
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Pièce (fournie en bande découpée) |
1+ 1,48 € 10+ 1,15 € 100+ 0,842 € 500+ 0,727 € 1000+ 0,683 € 5000+ 0,638 € Plus de tarifs |
Article restreint
Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 1
Mult:
1
|
Canal N + Schottky | 25V | 160A | 0.0014ohm | DirectFET MX | Montage en surface | 10V | 1.8V | 75W | 7Broche(s) | 150°C | HEXFET Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SISS60DN-T1-GE3
![]() |
3128851RL |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 181.8 A, 0.00109 ohm, PowerPAK 1212 VISHAY
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Pièce (fournie en bande découpée)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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10+ 0,937 € 100+ 0,73 € 250+ 0,677 € 500+ 0,623 € 1000+ 0,531 € 5000+ 0,505 € Plus de tarifs |
Article restreint
Commande minimale de 10 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 10
Mult:
1
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Canal N + Schottky | 30V | 181.8A | 0.00109ohm | PowerPAK 1212 | Montage en surface | 10V | 2.5V | 65.8W | 8Broche(s) | 150°C | TrenchFET Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SIRC10DP-T1-GE3
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2747684RL |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0029 ohm, PowerPAK SO, Montage en surface VISHAY
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Pièce (fournie en bande découpée)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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100+ 0,424 € 500+ 0,357 € 1000+ 0,353 € 5000+ 0,348 € |
Article restreint
Commande minimale de 150 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 150
Mult:
1
|
Canal N + Schottky | 30V | 60A | 0.0029ohm | PowerPAK SO | Montage en surface | 10V | 2.4V | 43W | 8Broche(s) | 150°C | TrenchFET Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SISS66DN-T1-GE3
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3128852RL |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 178.3 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212 VISHAY
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Pièce (fournie en bande découpée)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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10+ 0,952 € 100+ 0,742 € 250+ 0,689 € 500+ 0,633 € 1000+ 0,541 € 5000+ 0,513 € Plus de tarifs |
Article restreint
Commande minimale de 10 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 10
Mult:
1
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Canal N + Schottky | 30V | 178.3A | 0.00115ohm | PowerPAK 1212 | Montage en surface | 10V | 2.5V | 65.8W | 8Broche(s) | 150°C | TrenchFET Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6795MTRPBF
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2725896RL |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Montage en surface INFINEON
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Pièce (fournie en bande découpée)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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10+ 1,15 € 100+ 0,842 € 500+ 0,727 € 1000+ 0,683 € 5000+ 0,638 € |
Article restreint
Commande minimale de 10 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 10
Mult:
1
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Canal N + Schottky | 25V | 160A | 0.0014ohm | DirectFET MX | Montage en surface | 10V | 1.8V | 75W | 7Broche(s) | 150°C | HEXFET Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SISS60DN-T1-GE3
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3128851 |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 181.8 A, 0.00109 ohm, PowerPAK 1212 VISHAY
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Pièce (fournie en bande découpée) |
1+ 1,23 € 10+ 0,937 € 100+ 0,73 € 250+ 0,677 € 500+ 0,623 € 1000+ 0,531 € 5000+ 0,505 € Plus de tarifs |
Article restreint
Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 1
Mult:
1
|
Canal N + Schottky | 30V | 181.8A | 0.00109ohm | PowerPAK 1212 | Montage en surface | 10V | 2.5V | 65.8W | 8Broche(s) | 150°C | TrenchFET Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTLJF4156NT1G
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2728027 |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Montage en surface ON SEMICONDUCTOR
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Pièce (fournie en bande découpée) |
5+ 0,42 € 10+ 0,328 € 100+ 0,137 € 3000+ 0,134 € 9000+ 0,131 € 24000+ 0,128 € 45000+ 0,125 € Plus de tarifs |
Article restreint
Commande minimale de 5 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 5
Mult:
5
|
Canal N + Schottky | 30V | 3.7A | 0.047ohm | WDFN | Montage en surface | 4.5V | 700mV | 1.5W | 6Broche(s) | 150°C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTLJF4156NT1G
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2728027RL |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Montage en surface ON SEMICONDUCTOR
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Pièce (fournie en bande découpée)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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100+ 0,137 € 3000+ 0,134 € 9000+ 0,131 € 24000+ 0,128 € 45000+ 0,125 € |
Article restreint
Commande minimale de 150 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 150
Mult:
5
|
Canal N + Schottky | 30V | 3.7A | 0.047ohm | WDFN | Montage en surface | 4.5V | 700mV | 1.5W | 6Broche(s) | 150°C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS6676AS
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2454157 |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montage en surface ON SEMICONDUCTOR
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Pièce (fournie en bande découpée)
Disponible jusqu'à épuisement du stock
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5+ 0,882 € 10+ 0,717 € 100+ 0,468 € |
Article restreint
Commande minimale de 5 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 5
Mult:
5
|
Canal N + Schottky | 30V | 14.5A | 0.0045ohm | SOIC | Montage en surface | 10V | 1.5V | 2.5W | 8Broche(s) | 150°C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS6676AS
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2454157RL |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montage en surface ON SEMICONDUCTOR
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Pièce (fournie en bande découpée)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Disponible jusqu'à épuisement du stock
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10+ 0,717 € 100+ 0,468 € |
Article restreint
Commande minimale de 10 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 10
Mult:
5
|
Canal N + Schottky | 30V | 14.5A | 0.0045ohm | SOIC | Montage en surface | 10V | 1.5V | 2.5W | 8Broche(s) | 150°C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6894MTRPBF
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2725898RL |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 25 V, 163 A, 900 µohm, DirectFET MX, Montage en surface INFINEON
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Pièce (fournie en bande découpée)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Disponible jusqu'à épuisement du stock
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1+ 0,577 € |
Article restreint
Commande minimale de 10 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 10
Mult:
1
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Canal N + Schottky | 25V | 163A | 900µohm | DirectFET MX | Montage en surface | 10V | 1.6V | 54W | 6Broche(s) | 150°C | HEXFET Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6894MTRPBF
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2725898 |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 25 V, 163 A, 900 µohm, DirectFET MX, Montage en surface INFINEON
Vous avez déjà acheté ce produit.
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Pièce (fournie en bande découpée)
Disponible jusqu'à épuisement du stock
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1+ 0,577 € |
Article restreint
Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 1
Mult:
1
|
Canal N + Schottky | 25V | 163A | 900µohm | DirectFET MX | Montage en surface | 10V | 1.6V | 54W | 6Broche(s) | 150°C | HEXFET Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTLJF4156NTAG
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3616361 |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Montage en surface ON SEMICONDUCTOR
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Pièce (fournie en bobine complète) |
3000+ 0,125 € |
Article restreint
Commande minimale de 3000 articles Multiples de 3000 uniquement Veuillez saisir une quantité valide Min: 3000
Mult:
3000
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Canal N + Schottky | 30V | 3.7A | 0.047ohm | WDFN | Montage en surface | 4.5V | 700mV | 1.5W | 6Broche(s) | 150°C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SI4812BDY-T1-E3
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2396095RL |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 7.3 A, 0.013 ohm, SOIC, Montage en surface VISHAY
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Pièce (fournie en bande découpée)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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Canal N + Schottky | 30V | 7.3A | 0.013ohm | SOIC | Montage en surface | 10V | 3V | 1.4W | 8Broche(s) | 150°C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SI4812BDY-T1-E3
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2396095 |
MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 7.3 A, 0.013 ohm, SOIC, Montage en surface VISHAY
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Pièce (fournie en bande découpée) |
Canal N + Schottky | 30V | 7.3A | 0.013ohm | SOIC | Montage en surface | 10V | 3V | 1.4W | 8Broche(s) | 150°C | - | - |